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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開...
2023-07-19
安森美 Elite Power 仿真工具
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RTD 電阻溫度特性建模
為了獲得線性響應(yīng)，我們期望靈敏度曲線在感興趣的溫度范圍內(nèi)變化。RTD 和熱電偶都不是完美的線性；然而，RTD 往往提供更線性的響應(yīng)。在上面的示例中，RTD 的靈敏度從 0 °C 到 800 °C 變化約 25%，而熱電偶的塞貝克系數(shù)變化約 83%。
2023-07-18
RTD 電阻 建模
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數(shù)字溫度計(jì)和磁場檢測器
理論上，人們可以簡單地將測試儀連接到兩個傳感器的輸出，讀取輸出電壓并將其轉(zhuǎn)換為有效的溫度和磁場測量結(jié)果。當(dāng)然，使用微控制器，操作更簡單，并且還可以將數(shù)據(jù)存儲在內(nèi)存中。兩個傳感器提供的電壓必須使用適當(dāng)?shù)墓睫D(zhuǎn)換為各自的物理量。
2023-07-16
數(shù)字溫度計(jì) 磁場檢測器
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實(shí)時嵌入式系統(tǒng)簡介
電氣和計(jì)算機(jī)工程令人興奮但挑戰(zhàn)性的領(lǐng)域之一是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。如果您不確定什么是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，請參閱文章末尾的鏈接。嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)如此具有挑戰(zhàn)性的部分原因在于任何嵌入式系統(tǒng)都需要眾多的設(shè)計(jì)約束。這些因素包括功耗、有限的內(nèi)存、I/O 可用性、溫度、空間限制，當(dāng)然還有總體成本。對于某...
2023-07-16
實(shí)時嵌入式系統(tǒng)
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工業(yè)變頻器的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)須知
工業(yè)變頻器和伺服驅(qū)動器的設(shè)計(jì)工程師需要了解電磁兼容 (EMC) 抗擾度與電磁發(fā)射 (EMI)，以及隔離安全要求。 你知道你設(shè)計(jì)的產(chǎn)品的法規(guī)需求嗎？ 每個終端產(chǎn)品設(shè)計(jì)都必須滿足相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，以確保產(chǎn)品在所需的終端設(shè)備類別和環(huán)境中使用合規(guī)且安全。
2023-07-14
工業(yè)變頻器 電磁兼容
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熱環(huán)路 PCB ESR 和 ESL 與去耦電容器位置的關(guān)系
LTM4638 是一款集成的 20 V IN、15 A 降壓轉(zhuǎn)換器模塊，采用微型 6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm BGA 封裝。它具有高功率密度、快速瞬態(tài)響應(yīng)和高效率。該模塊內(nèi)部集成了一個小型高頻陶瓷C IN，但受模塊封裝尺寸的限制，還不夠。
2023-07-13
熱環(huán)路 PCB ESR ESL 去耦電容器
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技術(shù)淺談之電流傳感器
電流傳感器是一種電流檢測裝置，可以檢測被測電流的信息，按比例換算成符合標(biāo)準(zhǔn)的電壓或電流信號，以滿足信息的傳遞、處理、存儲、顯示、記錄和控制等要求。
2023-07-12
電流傳感器 Littelfuse
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2023第17屆中國國際電池及儲能技術(shù)博覽會（IBEE Global 2023)——東莞站
東莞站將于2023年9月1-3日，在廣東現(xiàn)代國際展覽中心舉辦，金浪會展作為新能源電池領(lǐng)域?qū)I(yè)組展商，深耕新能源行業(yè)數(shù)載時光，在新能源行業(yè)積累的豐富的人脈以及品牌效應(yīng)，致力于通過整合各產(chǎn)業(yè)鏈資源為行業(yè)客戶搭建匯“商”、”貿(mào)“、”服“平臺。
2023-07-11
電池 新能源 儲能技術(shù)
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
2023-07-11
SiC MOSFET 逆變焊機(jī) 設(shè)計(jì)要點(diǎn)
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