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能源電力

全球半導(dǎo)體景氣繼續(xù)下降

2011年，全球經(jīng)濟(jì)受到歐債危機(jī)的影響，電子產(chǎn)品需求持續(xù)低迷，電子行業(yè)景氣度持續(xù)走低。在疲弱需求下，中低端產(chǎn)品將成為圣誕節(jié)消費(fèi)的主體，給中國終端企業(yè)，以及零組件企業(yè)帶來很好的提升市場份額和開發(fā)優(yōu)質(zhì)客戶的機(jī)會。2012年一季度或可成為行業(yè)景氣度變化的時(shí)間窗口。

2011-10-25

電子半導(dǎo)體電子產(chǎn)品零組件

納米結(jié)構(gòu)使硅薄膜太陽能電池成本減半

新加坡科學(xué)家將一個(gè)新奇的納米結(jié)構(gòu)（比人的頭發(fā)絲小數(shù)千倍）置于非結(jié)晶硅制成的太陽能電池的表面，研制出了一種轉(zhuǎn)化效率高、成本低的新型薄膜太陽能電池。科學(xué)家們認(rèn)為，最新技術(shù)有望將太陽能電池的制造成本減半。

2011-10-25

薄膜太陽能電池太陽能電池納米結(jié)構(gòu) 結(jié)晶硅

薄膜電容取代鋁電解電容新契機(jī)—新興產(chǎn)業(yè)

我國是全球最大的電容器生產(chǎn)國和出口國，同時(shí)也是電容器的消費(fèi)大國。在日前公布的電容器行業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃中明確指出，“十二五”期間電容器的發(fā)展重點(diǎn)為：新能源配套用電容器、功率型逆變電容器、功率型變頻電容器、汽車電子配套電容器。可以說，節(jié)能環(huán)保、信息技術(shù)、新能源、新材料及新能源汽車...

2011-10-25

薄膜電容電動(dòng)汽車節(jié)能燈具

展通新推光纖冷接革命性專利產(chǎn)品：石英V槽式現(xiàn)場連接器

展通公司通過長時(shí)間的研發(fā)和巨大的財(cái)力投入，率先推出了石英玻璃V槽式現(xiàn)場組裝型光纖連接器，其核心部件V槽采用精密切割工藝切割而成，精密度達(dá)到了目前世界上先進(jìn)技術(shù)水平。

2011-10-25

工業(yè)光纖高壓變頻器弱電 PWM

安費(fèi)諾推出新款A(yù)mphe-PPC電源連接器

安費(fèi)諾工業(yè)部（AIO）作為連接系統(tǒng)及方案的世界領(lǐng)導(dǎo)者。在新能源汽車發(fā)展的全球化浪潮面前，安費(fèi)諾也迎合市場需求適時(shí)的推出了一系列全新的大電流、單芯塑料圓形電源連接器---Amphe-PPC 連接器。

2011-10-25

電源連接器戶外LED 觸摸

Max-M12：安費(fèi)諾重磅推出全新高傳輸、加固耐用型連接器

安費(fèi)諾重磅推出全新高傳輸、加固耐用型Max-M12連接器隨著科技的發(fā)展，設(shè)備在惡劣環(huán)境中的應(yīng)用越來越廣泛，因而，人們對惡劣環(huán)境中數(shù)據(jù)的傳輸也提出越來越高的要求。面對日益蓬勃的市場需求，安費(fèi)諾適時(shí)的推出了一款全新的高速傳輸、加固耐用型連接器---Max-M12 連接器。

2011-10-25

連接器電氣觸點(diǎn) 系統(tǒng)布線

精確測量并改進(jìn)設(shè)備的低效率

全球的工程師和科學(xué)家正在為迎接能源保護(hù)的挑戰(zhàn)而努力，其中之一就是“一瓦倡議”行動(dòng)，該項(xiàng)工作極大地阻止了由于“電流吸血鬼”而造成的損失，它在全球數(shù)十億設(shè)備上浪費(fèi)了大量能源。另外一項(xiàng)行動(dòng)是“能源之星”認(rèn)證，其目標(biāo)是促進(jìn)這些設(shè)備的效率優(yōu)于法律要求的指標(biāo)。

2011-10-25

測量設(shè)備低效率精確測量

影響電解電容壽命的因素

電解電容廣泛應(yīng)用在電力電子的不同領(lǐng)域，主要是用于平滑、儲存能量或者交流電壓整流后的濾波，另外還用于非精密的時(shí)序延時(shí)等。在開關(guān)電源的MTBF預(yù)計(jì)時(shí)，模型分析結(jié)果表明電解電容是影響開關(guān)電源壽命的主要因素，因此了解、影響電容壽命的因素非常重要。

2011-10-25

電容器鋁電解電容器消費(fèi)電子電解電容

MOSFET柵漏電流噪聲分析

柵漏電流大的MOS器件噪聲特性的研究仍是現(xiàn)今研究中活躍的課題。尤其當(dāng)MOS-FET縮減至直接隧穿尺度(<3 nm)時(shí)，柵漏電流噪聲模型顯得尤為重要，并可為MOSFET可靠性表征和器件設(shè)計(jì)提供依據(jù)。文中基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng)，總結(jié)了柵漏電流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的...

2011-10-24

MOSFET 柵漏電流噪聲

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