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汽車電子

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。

2022-06-15

SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓

25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。

2022-06-15

直流快充電源模塊柵極驅(qū)動(dòng)

性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...

2022-06-15

SiC FET 高壓市場解決方案

電解電容

在博文基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。

2022-06-14

電解電容光耦振蕩電路

電解電容

2022-06-14

電解電容光耦振蕩電路

電動(dòng)汽車對(duì)提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈

幾年來，xEV的普及率一直很高。預(yù)計(jì)2021至2027年間，全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達(dá)到21%，所有細(xì)分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動(dòng)力技術(shù)也將大幅增長。事實(shí)上，不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。

2022-06-13

電動(dòng)汽車車輛效率供應(yīng)鏈

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來看，單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個(gè)MOSFET時(shí)，極小的故障都可能帶來極大的影響。

2022-06-13

IGBT MOSFET ESD

在自動(dòng)駕駛汽車中實(shí)現(xiàn)5G和DSRC V2X

很顯然，車輛通信是實(shí)現(xiàn)更高的自動(dòng)駕駛水平的重要推動(dòng)因素。但是，長期以來，汽車廠商一直在研究分析所需的無線接入技術(shù)應(yīng)基于蜂窩技術(shù)（也稱為C-V2X）還是基于直接接入技術(shù)（稱為DSRC）。在本文中，我們將展示未來的自動(dòng)駕駛場景需要協(xié)調(diào)或組合使用這兩種技術(shù)。先進(jìn)的多無線標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備需要集成分別采...

2022-06-10

自動(dòng)駕駛汽車 5G DSRC V2X

安霸CV2FS/CV22FS獲得ASIL C芯片功能安全認(rèn)證，超越市場同類芯片水平

2022年6月7日，美國加利福尼亞州圣克拉拉市，Ambarella (下稱“安霸”，納斯達(dá)克股票代碼：AMBA，專注AI視覺感知的半導(dǎo)體公司) 于今天宣布，其汽車AI視覺感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通過exida的ASIL C芯片功能安全認(rèn)證，獲得證書，并且其內(nèi)置的功能安全島為ASIL D級(jí)別。CV2FS/CV22FS這一功能安全...

2022-06-08

安霸 CV2FS/CV22FS 芯片

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