產品特性：

• 具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS條例。
• 面積為1.6平方毫米
• RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V
• 具有優異的dv/dt抗干擾性能

應用范圍：

• 高速DC/DC電源、負載點轉換器
• D類音頻放大器、硬開關和高頻電路

宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。

EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明顯更高的性能優勢。EPC2012的脈沖額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在較低柵極電壓時，其性能得以全面增強，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012還具有優異的dv/dt抗干擾性能。

與具有相同導通電阻的先進硅功率MOSFET相比，EPC2012體積小很多，而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

“隨著宜普氮化鎵場效應晶體管系列產品的不斷擴展，氮化鎵場效應晶體管的性能標桿得以進一步提升。另外，這種新一代eGaN產品是業界首批不含鉛及符合RoHS要求的器件。”共同創始人兼首席執行官Alex Lidow表示。