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      使用廣泛的Littelfuse瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)

      發(fā)布時(shí)間:2012-05-30

      中心議題:

      • Littelfuse TVS 二極管特性
      • TVS 與其他二極管技術(shù)、工作特性、裝置結(jié)構(gòu)比較


      我們在保護(hù)傳輸線、數(shù)據(jù)線或因雷擊、感應(yīng)式負(fù)載開關(guān)及ESD引起的線路過壓保護(hù)中經(jīng)常用到TVS 二極管。你真的了解TVS二極管嗎,還是對它一知半解?TVS和硅保護(hù)陣列、二極管陣列等其他二極管技術(shù)有哪些區(qū)別?如果你曾關(guān)注TVS的選型指南,那你不妨看看Littelfuse的這篇文章。

      Littelfuse TVS 二極管用來保護(hù)半導(dǎo)體元件免受高壓瞬態(tài)電壓的影響。 其 p-n 結(jié)的橫截面積大于普通二極管的橫截面積,這使它能將大電流接地,而不會造成損壞。 Littelfuse 提供峰值功率為 400W 到 15kW、反向變位電壓為 5V 到 376V 的 TVS 二極管。

      TVS 二極管通常用來保護(hù)傳輸線或數(shù)據(jù)線以及電路中因雷擊、感應(yīng)式負(fù)載開關(guān)以及靜電放電 (ESD) 等引起的電壓過載。

      Littelfuse TVS 二極管可適用于廣泛的電路保護(hù)應(yīng)用,但主要是為保護(hù)遠(yuǎn)程通信和工業(yè)設(shè)備、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的 I/O 接口而設(shè)計(jì)。

      二極管技術(shù)比較、大功率 TVS 二極管、TVS 二極管介紹、TVS 二極管(通用電氣)、TVS 二極管應(yīng)用培訓(xùn)文章點(diǎn)擊查看:http://www.gdnengbo.cn/ads/cntads/banner_id/435/from/alone

      Littelfuse TVS 二極管特性包括:

      • 低增量電涌電阻
      • 提供單向和雙向極性
      • 從 5V 到 512V 的反向變位電壓
      • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的霧錫無鉛電鍍層
      • 從 400W 到 5000W 的表面貼裝額定功率
      • 從 400W 到 30000W (30kW) 的軸心引線額定功率
      • 可用于 6kA 和 10kA 的高電流保護(hù)


      了解其他瞬態(tài)抑制技術(shù)和它們的不同之處,請參考:http://www.gdnengbo.cn/ads/cntads/banner_id/435/from/alone

      TVS 與其他二極管技術(shù)比較:

          TVS 與其他二極管技術(shù)比較:

      工作特性比較:
      工作特性比較:

      裝置結(jié)構(gòu)比較:


      肖特基二極管由金屬半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成。 它通過多數(shù)載流子輸送電荷,并快速響應(yīng)處理,具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓 (VF)。 肖特基二極管主要用于高頻電路中。

      齊納二極管由重?fù)诫s P-N 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成。 有兩種物理效應(yīng),可稱為齊納狀態(tài)(齊納效應(yīng)和雪崩效應(yīng))。 當(dāng) P-N 結(jié)兩端施加低反向電壓因量子效應(yīng)導(dǎo)通時(shí),出現(xiàn)齊納效應(yīng)。 當(dāng) PN 結(jié)兩端施加 5.5 伏以上反向電壓生成電子空穴對與晶格碰撞時(shí),出現(xiàn)雪崩效應(yīng)。 基于齊納效應(yīng)的齊納二極管廣泛用作電路中的電壓基準(zhǔn)源。

      TVS 二極管由專為過壓保護(hù)設(shè)計(jì)的 P-N 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成。 P-N 結(jié)通常敷有涂層,用來保護(hù)非導(dǎo)通狀態(tài)中的過早電壓電弧。 出現(xiàn)瞬態(tài)電壓事件時(shí),TVS 二極管因雪崩效應(yīng)導(dǎo)通以鉗固瞬態(tài)電壓。 TVS 二極管廣泛用作遠(yuǎn)程通信、通用電子和數(shù)字消費(fèi)類產(chǎn)品市場中的過電壓電路保護(hù)裝置,保護(hù)其免受雷電、ESD 和其他瞬態(tài)電壓的危害。

      SPA 代表Silicon Protection Arrays(硅保護(hù)陣列)。 它是一個將 PN 結(jié)、SCR 或其他硅保護(hù)結(jié)構(gòu)集成封裝在一個多針結(jié)構(gòu)中的陣列。 SPA 可在具有多重保護(hù)機(jī)會的遠(yuǎn)程通信、通用電子和數(shù)字消費(fèi)類產(chǎn)品市場中用作 ESD、雷電和 EFT 保護(hù)的集成解決方案。 例如,它可用于 HDMI、USB 和以太網(wǎng)端口 ESD 保護(hù)。

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