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能源電力

從過流、過壓、過熱三方面講述IGBT保護電路如何設計

本文從過流保護、過壓保護與過熱保護三個方面，論述了IGBT的相關問題，并從實際應用中總結出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設計必備知識。

2013-01-05

IGBT 保護電路過流保護

鋰電池保護電路如何設計？

隨著便攜式設備不斷小型化、輕量化和高性能化的日益提高，作為其電源的二次電池市場正迅速拓寬，而鋰離子電池的眾多優點使其成為了二次電池的主流產品。

2013-01-05

鋰電池保護電路電路設計

PCB工程師必看

在PCB設計中如何最大限度地實現電路的性能指標，以達到電磁兼容要求。

2013-01-05

PCB 設計電磁兼容

MEMS設計的高度復雜性的體現

針對困擾MEMS發展的制約因素，人們一直在尋求相應的解決辦法。國外的研究結果顯示，MEMS的加工能力強于其設計能力。因此，提高MEMS的設計能力就更為迫切。

2013-01-05

MEMS 器件微機電

適用于用于電信系統和POE網絡應用程序的MOSFET

AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競爭對手，分別構建。的低導通電阻減小導通損耗，并允許器件工作在較低的溫度下。

2013-01-05

MOSFET 電信系統網絡應用

比較不同的電路保護技術及濾波技術

消費者要求智能手機等便攜/無線設備具有更多功能特性及采用纖薄型工業設計，這就要求設計人員要求更加注重小外形封裝之中的ESD及EMI性能。靜電放電(ESD)保護及電磁干擾(EMI)正在成為所有電氣設備越來越重要的考慮因素。本文將分析電路保護要求，比較不同的電路保護技術及濾波技術，介紹安森美半導體...

2013-01-05

電路保護濾波安森美

低鉗位電壓的TVS，非常實用USB3.0 接口保護

由于USB3.0的速率非常快，端口的ESD保護越來越重要，這就要求保護器件不能影響這個信號質量。Semtech新的TVS最大的優勢在于非常低的ESD鉗位電壓，這對敏感的USB3.0芯片起到很好的保護作用。

2013-01-05

TVS USB3.0 ESD

適用于智能電網的新型鋰離子電容器

太陽誘電開發出最高使用溫度高達85℃的圓筒型鋰離子電容器，在3.8V電壓下也可于70℃環境下工作，適用于智能電網、為SSD儲存服務器。

2013-01-05

電網鋰離子電容

MDO能夠很好的解決EMI和EMC

MDO擁有獨特的功能，可以把多個域中的原因和結果關聯起來，這標志著測試設備的根本性變革，在調試EMI問題時打開了新的、當然也是更簡便的道路。

2013-01-05

MDO EMI EMC

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