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能源電力

腐蝕傳感器技術革新創新產品市場適應力更強

如今各行各業中傳感器應用已經越來越多，各種技術問題也提上日程，腐蝕傳感器由于壽命問題一直是行業發展的阻礙，此次英國研發抗腐蝕傳感器的技術革新成功，正彌補了腐蝕傳感器壽命短的問題，這一創新產品將擁有更強的市場適應能力，引領未來市場導向。

2012-02-14

腐蝕傳感器

電路設計中的抗干擾措施

單片機測控系統的電路較復雜，產生干擾的原因很多。下面幾種常用的抗干擾措施。

2012-02-14

電路設計抗干擾電源大功率器件

電路設計中三極管和mos管的區別

我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區別工作性質：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。

2012-02-14

電路設計三極管 mos管雙極晶體管

PCB焊接工藝使用氮氣的理由

焊接的一個行進中的問題是在回流焊接爐中使用氮氣的好處。在這個主題上我遇到的問題至少每周一次。這個問題不是什么新問題。十年前，所訂購的回流焊接爐至少一半規定有氮氣容器。最近與回流焊接爐制造商的交談告訴我，這個比例保持還是一樣的，盡管使用氮氣的關鍵理由現在再不是什么站得住腳的理由...

2012-02-14

PCB 焊接工藝氮氣氟里昂

第五講：專家解答電路保護設計的常見問題

本文整理工程師在電路保護設計中經常遇到的一些問題，精選出關于保險絲、防雷器件和ESD保護器件的選型及應用的問題，由資深電路保護設計專家給予專業權威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護器件，設計高可靠性的電路保護解決方案。

2012-02-13

電路保護保險絲熔斷器防雷 ESD

HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級8英寸0.18μm Trench工藝

2011年12月，廣州成啟半導體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導體表示，這次產品升級已經過一年準備和試產，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機效率，同時獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國內一線分...

2012-02-13

HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET

晶閘管在高壓軟起動中的選型及應用

晶閘管電機軟起動器的出現，彌補了傳統軟起動器的各種不足，很好地降低了電機的起動電流，降低了配電容量，延長了電機及相關設備的使用壽命。起動參數可視負載調整，易于維護。本文介紹晶閘管電機軟起動器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護設計。

2012-02-13

晶閘管電機軟起動過壓過流

線性穩壓器的短路保護電路設計

一個高可靠性的線性穩壓器通常需要有限流保護電路，以防止因負載短路或者過載對穩壓器造成永久性的損壞。在限流型保護電路的基礎上，設計改進了一個短路保護電路，確保短路情況下，關斷功率MOS管。本文分別定性和定量地分析了這種短路保護電路的工作過程和原理，同時給出基于TSMCO．18μm CMOS工藝的...

2012-02-13

線性穩壓器限流保護電路短路保護短路保護電路

集成電路對EMI控制的影響

在考慮EMI控制時，設計工程師及PCB板級設計工程師首先應該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(例如CMoS、ECI、刀1)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。

2012-02-13

集成電路 IC EMI 電磁干擾

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