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應(yīng)用為王，躍昉科技透露芯片產(chǎn)品定義底層邏輯折射未來規(guī)劃
“3年多前離開谷歌回到中國，我就考慮做一些難而正確的事，首先想到的就是‘科技報(bào)國’，”躍昉科技創(chuàng)始人、CEO及CTO江朝暉博士在近期媒體專訪會(huì)上解釋了當(dāng)初成立躍昉的初心。事實(shí)上，仍在谷歌的時(shí)候，江朝暉就時(shí)刻關(guān)注著中國高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，此番回國創(chuàng)業(yè)，她將自己對于行業(yè)的觀察和志向結(jié)合在一起，...
2022-09-01
躍昉科技 芯片 RISC-V
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使用旋轉(zhuǎn)變壓器的電機(jī)控制設(shè)計(jì)
如今，在科技的浪潮下，機(jī)械設(shè)備的智能化發(fā)展已經(jīng)成為一種必然趨勢，這使得高能效的電機(jī)控制設(shè)計(jì)面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。與此同時(shí)，隨著電子產(chǎn)品精細(xì)化發(fā)展趨勢顯著，能夠在體積和成本雙重受限的狀況下，還能保持長期運(yùn)行且安全可靠的電機(jī)控制設(shè)計(jì)更是難上加難。
2022-08-11
變壓器 電機(jī)控制 設(shè)計(jì)
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單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2022-08-09
驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 電源系統(tǒng)
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想要一鍵選型？AC/DC小功率電源模塊也有“萬金油”！
不少電子工程師熟悉DC/DC電源或開關(guān)電源的選型，卻對小功率的AC/DC電源模塊選型頭痛——既不像DC/DC電源分類明確，又不像開關(guān)電源標(biāo)準(zhǔn)通用。在中小型設(shè)備里，常見功率幾十瓦，但處于前端的AC/DC電源需要面臨的工況、EMC、體積、封裝等問題都不會(huì)少。
2022-07-26
選型 AC/DC 電源模塊
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淺談驅(qū)動(dòng)芯片的絕緣安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)
眾所周知，各個(gè)行業(yè)各個(gè)領(lǐng)域都有其需要遵循的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，一般會(huì)對其產(chǎn)品需要達(dá)到的使用條件提出各方面的要求。諸如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏、乘用汽車等都有各自的應(yīng)用規(guī)范，而每個(gè)零部件也有相應(yīng)的規(guī)范認(rèn)證。前者屬于應(yīng)用安全標(biāo)準(zhǔn)，而后者屬于產(chǎn)品安全標(biāo)準(zhǔn)。
2022-07-19
驅(qū)動(dòng)芯片 絕緣 安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)
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LLC的工作原理（第 I 部分）：電源開關(guān)和諧振腔
LLC 諧振變換器因能滿足現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)苛刻的性能要求而成為電力電子領(lǐng)域的熱門話題。 LLC 屬于龐大的諧振變換器拓?fù)浼易逑盗校C振腔是該拓?fù)湎盗械幕A(chǔ)特征。諧振腔是一組以特定頻率（稱為諧振頻率）振蕩的電感器和電容器組成的電路。
2022-07-07
LLC 電源開關(guān) 諧振腔
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簡單的電氣隔離！
許多電路都需要電氣隔離，通常使用變壓器來提供這種電氣隔離。許多不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都是通過變壓器來傳輸電能，反激式轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的電路類型，尤其適用于大約50 W或更低的功率。
2022-07-01
電氣隔離 轉(zhuǎn)換器 ADI
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電源管理的智能化之路
電源管理技術(shù)作為電氣化時(shí)代各行各業(yè)發(fā)展必不可少的一項(xiàng)技術(shù)，是提升終端設(shè)備能效的主要途徑。從系統(tǒng)層面看，電源管理系統(tǒng)讓設(shè)備實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性、低功耗、高性能，在節(jié)能減排的大趨勢下，這項(xiàng)優(yōu)勢會(huì)愈發(fā)突出；從器件層面看，電源管理芯片和模擬芯片等器件負(fù)責(zé)系統(tǒng)中電能的轉(zhuǎn)換、配電、檢測和其他電源...
2022-06-24
電源管理 智能化 TI
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速...
2022-06-21
變頻器 IGBT模塊 故障分析
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