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能源電力

GS湯淺將新建鋰電池工廠并“計劃2012年春季正式投產”

日本GS湯淺（GS Yuasa）宣布，將在滋賀縣栗東市建設鋰離子充電電池工廠。該公司已于2009年11月16日為獲得土地而與栗東市開始交涉。該公司公關部介紹說，計劃2010年10月開工建設，“2012年春季正式投產”。

2009-11-26

GS湯淺鋰電池工廠正式投產 2012

三年后我國半導體市場全球最牛將趕超美國

畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示：“中國作為終端用戶市場，將變得越來越重要。”他表示，傳統上中國是制造業大國，不是消費大國，但他預計，三年后中國市場將高出美國市場近1倍。

2009-11-26

畢馬威半導體市場全球最牛趕超美國

群創、奇美與統寶通過三合一合并方案

據臺灣媒體報道，全球第二大電腦顯示器制造商群創光電上周五傍晚發布重大消息稱，該公司近日與奇美電子及統寶光電同步召開臨時董事會，通過三合一合并案。三家公司預計明年元月6日召開股東臨時會通過合并案，三合一合并基準日為明年4月30日。

2009-11-26

群創奇美統寶合并方案

IMEC開發的硅納米線太陽能電池使轉換效率達30％以上

在太陽能電池領域，瞄準下下代太陽能電池的各種構想不斷涌現。其中一種設想是在底板上排列細線狀的硅（硅納米線）。包括美國通用電氣（General Electric）在內，目前世界各地都在進行開發。

2009-11-25

IMEC 太陽能電池硅納米線 EUV曝光

最先進液晶面板線項目啟動投資逾200億

總投資達二百四十五億元的深圳市第八點五代薄膜晶體管液晶顯示器件生產線項目，十六日在深圳高交會上宣布正式啟動，標志著中國主要依靠自主創新建設、中國內地迄今最高世代液晶面板生產線項目落戶深圳。

2009-11-25

液晶面板線最先進 TFT-LCD

FDFMA2P859T:飛兆半導體推出行業領先的薄型封裝MOSFET

飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現推出行業領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作，開發了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiple...

2009-11-25

飛兆半導體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET

中國電子報：今年第三季度是半導體業拐點

近日，企業第三季度財報紛紛出籠，產業好轉趨勢進一步明朗化。但由于企業上升動力不足，產業出現“V型”反彈的可能性不大，應該會在振蕩中上升。

2009-11-25

第三季度半導體業拐點中國電子報

Vishay擴展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強后的器件使高可靠性應用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差...

2009-11-25

Vishay 擴展可靠性貼片電阻范圍

中國在未來三年將成為拉動半導體行業增長的主要力量

畢馬威會計師事務所(KPMG)一項對半導體商高層的最新調查顯示，未來三年中國將成為該產業營收增長最重要的市場，其後是美國。

2009-11-24

半導體半導體產業

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