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能源電力

市場低迷下元器件分銷攻略:得渠道者得未來(二）

2008年市場需求的下滑使電子元器件廠家的銷售壓力增大，很多企業(yè)都沒有完成預期的指標。而2009年的經(jīng)濟形勢現(xiàn)在并不明朗，有專家認為上半年有可能會繼續(xù)下滑，這無疑給元器件廠家的分銷工作提出了嚴峻的挑戰(zhàn)。本期分銷策略專題特別邀請了業(yè)內部分知名企業(yè)針對分銷熱點問題發(fā)表精彩觀點

2009-01-23

電子元器件分銷市場模擬器件 demandcreation designin

1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導體

對于采用先進、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應用市場而言，經(jīng)過優(yōu)化的各種功率半導體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結合改進型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應用滿足現(xiàn)代化變頻器的要求。

2009-01-22

IGBT4-T4 IGBT4-E4 IGBT4-P4 IGBT 功率模塊

電子電路產(chǎn)業(yè)穩(wěn)中有升、面臨轉型

中國電子電路產(chǎn)業(yè)將進入重新調整布局的新時代，產(chǎn)品技術含量越來越高，企業(yè)具有更多的自主研發(fā)、自主知識產(chǎn)權的項目，管理水平全面提升，企業(yè)效益不斷增長，三廢治理逐步達到國際先進水平。中國將迎來PCB業(yè)強盛的新時代。中國電子電路行業(yè)盡管這五六年有些起伏，但是近30年來總體上保持持續(xù)高...

2009-01-19

PCB 覆銅箔板 RoHS UL HDI 印制電路板 CCL 深南電路

多晶硅量子效應及其對MOSFET閾值電壓的影響

根據(jù)載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結果進行了比較，表明其具有較好的準確性

2009-01-17

多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓

FCI收購IMPLO Technologies公司

法國FCI日前收購了面向電力市場的內爆(implosive)連接器產(chǎn)品開發(fā)商——IMPLO Technologies公司，這項收購將使FCI能夠把IMPLO開發(fā)的技術用于其為電力傳輸連接應用提供的產(chǎn)品。

2009-01-16

FCI內爆技術電力應用

太陽能發(fā)電成本下降，2010年將達到每千瓦時0.13美元

太陽能發(fā)電的成本不斷下降，但仍高于傳統(tǒng)的發(fā)電技術。

2009-01-15

太陽能發(fā)電薄膜太陽能光電模組硅晶太陽能光電模組

WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻

Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。

2009-01-15

WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測電阻 EMF TCR

08年國內高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%

國內20多個省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點，規(guī)劃或計劃建設多晶硅項目，國內對千噸級多晶硅的規(guī)模化生產(chǎn)技術尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產(chǎn)能增長快，為國內多晶硅企業(yè)提升工藝技術留下緩沖時間。

2009-01-14

洛陽中硅新光硅業(yè) 江蘇中能東汽峨嵋多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) 太陽能

“可以給壁掛電視充電”，Powermat公開非接觸充電技術

以色列Powermat公司在面向新聞界舉行的CES 2009會前發(fā)布會上，公開演示了該公司的非接觸充電系統(tǒng)。不久之后將上市用于手機、智能電話、便攜式游戲終端及個人電腦的非接觸充電產(chǎn)品。

2009-01-14

CES 2009 磁耦合電腦手機智能手機游戲終端壁掛電視照明適配器 RFID

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