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      ZXMN15A27K/ZXMN20B28K:Diodes推出兩款N溝道MOSFET

      發布時間:2009-12-07 來源:電子產品世界

      產品特性:
      • 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V
      • 能夠承受SLIC環境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護電路
      • 其低輸入電容使其易于以很少或沒有緩沖直接從SLIC控制IC進行驅動
      • 采用TO252-3L封裝
      適用范圍:
      • 寬帶語音系統、PBX系統、有線和DSL網關

      Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案,極大地降低了電路的復雜性和成本。

      ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經過特別設計,能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統、PBX系統、有線和DSL網關。

      兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V,能夠承受SLIC環境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護電路。配合正確選擇的變壓器,這些MOSFET就能驅動150V以上的線路電壓,并以6公里以上的環路長度提供多種用戶線路。

      這些MOSFET的低輸入電容使其易于以很少或沒有緩沖直接從SLIC控制IC進行驅動,進一步簡化了電路設計,減少了元件數量和成本。ZXMN20B28K還可在邏輯電平實現低柵極驅動。

      ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封裝。
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