新聞事件：

• 英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

事件影響：

• CoolMOS™ 晶體管技術得到不斷優化

近日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS™ 晶體管技術不斷優化，這為取得成功奠定了堅實基礎。

在晶體管問世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS™ 晶體管技術，喜獲“德國工業創新獎”。這種高壓功率晶體管提升了一系列產品的能效，例如PC電源、服務器、太陽能逆變器、照明設備與通信電源設備等。而且這些節能晶體管如今還是各種消費類電子產品的核心器件，例如平板電視和游戲機等。當前所有電力工業設備和家用電器的都將高能效和節能做為主要性能指標。采用英飛凌的高能效半導體解決方案可使全球節省25%的能耗。例如，通過選用CoolMOS™產品，服務器電路板的功耗可減少約30W。全球服務器若按約6,000萬臺計算，共計可節電18億瓦，這相當于一座核電站的發電量。

英飛凌副總裁兼電源管理與供應分立式器件業務總經理Andreas Urschitz指出：“我們堅持不懈地提升CoolMOS™ 晶體管技術，確保能效達到最優，使客戶具備強有力的競爭優勢。我們為實現資源利用可持續利用做出了巨大的貢獻，此舉造福子孫后代。臺灣高雄足球場的太陽能發電系統就是采用我們CoolMOS™ 技術的很成功例子。太陽能逆變器選用CoolMOS™芯片，可確保最高的能效。該太陽能發電站的年發電量可達110萬千瓦小時，并年均減少約660噸的碳排放。”

代表最新技術的650V CoolMOS™ CFD2

英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS™ MOSFET。這種全新的650V CoolMOS™ CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。較軟的換向性能帶來更出色的抗電磁干擾特性，從而使該器件競爭力首屈一指。CoolMOS™ CFD 2 650V產品具備快速開關超結結構MOSFET的所有優點，例如更高的輕載效率、更低的柵極電荷、方便的使用和出色的可靠性。英飛凌預計這種晶體管的最大潛在市場主要集中在太陽能逆變器、電腦服務器、LED照明和通信設備等領域。

英飛凌的CoolMOS™ 技術

革命性的CoolMOS™ 功率晶體管系列在能效方面樹立了行業新標桿。作為高壓MOSFET技術的領導者，CoolMOS™ 可大幅降低導通和開關損耗，確保高端電源轉換系統實現高功率密度和高能效。針對應用專門優化的CoolMOS™器件適用于消費類產品、可再生能源、通信電源、適配器和其他產品。憑借其出類拔萃的性價比，CoolMOS™ 成為滿足目前不斷攀升的能源需求的理想之選。尤其是最新的，代表最高技術含量的高壓功率MOSFET使交流/直流電源系統更高效、更緊湊、更輕更涼。這種高壓MOSFET之所以取得這樣的成功，得益于其每種封裝上具備最低的通態電阻、最快的開關速度和最低的柵極驅動需求。