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      元器件的完整型號(hào)說明和各國命名方法

      發(fā)布時(shí)間:2018-09-26 責(zé)任編輯:wenwei

      【導(dǎo)讀】不少公司的采購會(huì)發(fā)現(xiàn),拿到工程師提供的BOM中的器件去采購物料時(shí),經(jīng)常供應(yīng)商還會(huì)問得更仔細(xì),否則就不知道供給你哪種物料,嚴(yán)重時(shí),采購回來的物料用不了。為什么會(huì)有這種情況呢?問題就在于,很多經(jīng)驗(yàn)不夠的工程師,沒有把器件型號(hào)寫完整。下面舉例來說明,完整的器件型號(hào)是怎么樣的。
       
      完整的器件型號(hào),一般都是包括主體型號(hào)、前綴、后綴等組成。一般工程師只關(guān)心前綴和主體型號(hào),而會(huì)忽略后綴,甚至少數(shù)工程師連前綴都會(huì)忽略。當(dāng)然,并不是所有器件一定有前綴和后綴,但是,只要這個(gè)器件有前綴和后綴,就不可以忽略。
       
      器件前綴一般是代表器件比較大的系列,比如邏輯IC中的74LS系列代表低功耗肖特基邏輯IC,74ASL系列代表先進(jìn)的低功耗肖特基邏輯IC,74ASL系列比74LS系列的性能更好。
       
      又比如,2N5551三極管和MMBT5551三極管兩者封裝不同,一個(gè)是插件的(TO-92),一個(gè)是貼片的(SOT-23)。如果BOM上只寫5551三極管,那肯定不知道是哪個(gè)。
       
      忽略前綴的現(xiàn)象一般稍少一點(diǎn),但是忽略后綴的情況就比較多了。一般來說,后綴有以下這些用處:
       
      1、 區(qū)分細(xì)節(jié)性能
       
      比如,拿MAXIM公司的復(fù)位芯片MAX706來說,同樣是706,但是有幾種閥值電壓,比如MAX706S的閥值電壓為2.93V,MAX706T的閥值電壓為3.08V,這里的后綴“S”和“T”就代表不同的閥值電壓。
       
      2、區(qū)分器件等級(jí)和工作溫度
       
      比如TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431,TL431C代表器件的工作溫度是0度至70度(民用級(jí)),TL431I代表器件的工作溫度是-40度至85度(工業(yè)級(jí)),其中后綴“C”和“I”就代表不同的工作溫度。
       
      3、區(qū)分器件封裝形式
       
      比如TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431,TL431CP代表的是PDIP封裝,TL431CD代表的是SOIC封裝,其中后綴“P”和“D”代表的就是不同封裝(“C”代表溫度,在上面已經(jīng)解釋)。
       
      4、區(qū)分訂貨包裝方式
       
      比如,TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431 CD,如果要求是按盤裝(2500PCS/盤)的采購,那么必須按TL431 CDR的型號(hào)下單,這里的后綴“R”代表的就是盤裝。否則,按TL431 CD下單,買回來的可能是管裝(75PCS/管)的物料。
       
      5、區(qū)分有鉛和無鉛
       
      比如,ON公司的比較器芯片LM393D(“D”表示是SOIC封裝),如果要用無鉛型號(hào),必須按LM393DG下單,這里的后綴“G”就表示無鉛型號(hào),沒這個(gè)后綴就是有鉛型號(hào)。
       
      后綴可能還有其他特殊的用處,總之,后綴的信息不能省略,否則買回來的可能就不是你想要的物料。
       
      不同的公司的前綴和后綴可能是不同的(也有少數(shù)公司的一些前綴后綴一致),這需要參考實(shí)際選用廠家的具體情況。
       
      元器件的完整型號(hào)說明和各國命名方法
       
      各國半導(dǎo)體元器件型號(hào)的命名方法
       
      一、中國半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
       
      半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分的意義分別如下:
       
      第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
       
      第二部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。
       
      表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
       
      表示三極管時(shí):A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
       
      第三部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。
       
      P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、
       
      N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(f <3MHz,Pc<1W)、
       
      G-高頻小功率管(f >3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、
       
      A-高頻大功率管(f >3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、
       
      Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、
       
      BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
       
      第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)
       
      第五部分:用漢語拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。
       
      二、日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
       
      日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。
       
      通常只用到前五個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:
       
      第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。
       
      0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、
       
      1-二極管、
       
      2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、
       
      3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、
       
      ┄┄依此類推。
       
      第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。
       
      S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。
       
      第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。
       
      A-PNP型高頻管、
       
      B-PNP型低頻管、
       
      C-NPN型高頻管、
       
      D-NPN型低頻管、
       
      F-P控制極可控硅、
       
      G-N控制極可控硅、
       
      H-N基極單結(jié)晶體管、
       
      J-P溝道場效應(yīng)管,如 2SJ—-
       
      K-N溝道場效應(yīng)管,如 2SK—-
       
      M-雙向可控硅。
       
      第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。
       
      兩位以上的整數(shù)-從“11”開始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào);
       
      不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào);數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
       
      第五部分:用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。
       
      A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
       
      三、美國半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
       
      美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。
       
      美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:
       
      第一部分:用符號(hào)表示器件用途的類型。
       
      JAN-軍級(jí)、
       
      JANTX-特軍級(jí)、
       
      JANTXV-超特軍級(jí)、
       
      JANS-宇航級(jí)、
       
      無—非軍用品。
       
      第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
       
      第三部分:美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志。
       
      N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)登記。
       
      第四部分:美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。
       
      多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。
       
      第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如:
       
      JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管
       
      JAN-軍級(jí)、
       
      2-三極管、
       
      N-EIA注冊(cè)標(biāo)志、
       
      3251-EIA登記順序號(hào)、
       
      A-2N3251A檔。
       
      四、國際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
       
      德國、法國、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,大都采用國際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。
       
      這種命名方法由四個(gè)基本部分組成,各部分的符號(hào)及意義如下:
       
      第一部分:用字母表示器件使用的材料。
       
      A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、
       
      B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、
       
      C-器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化鎵、
       
      D-器件使用材料的Eg <0.6eV如銻化銦、
       
      E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料。
       
      第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。
       
      A-檢波開關(guān)混頻二極管、
       
      B-變?nèi)荻O管、
       
      C-低頻小功率三極管、
       
      D-低頻大功率三極管、
       
      E-隧道二極管、
       
      F-高頻小功率三極管、
       
      G-復(fù)合器件及其他器件、
       
      H-磁敏二極管、
       
      K-開放磁路中的霍爾元件、
       
      L-高頻大功率三極管、
       
      M-封閉磁路中的霍爾元件、
       
      P-光敏器件、
       
      Q-發(fā)光器件、
       
      R-小功率晶閘管、
       
      S-小功率開關(guān)管、
       
      T-大功率晶閘管、
       
      U-大功率開關(guān)管、
       
      X-倍增二極管、
       
      Y-整流二極管、
       
      Z-穩(wěn)壓二極管。
       
      第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。
       
      三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、 一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。
       
      第四部分:用字母對(duì)同一類型號(hào)器件進(jìn)行分檔。
       
      A、B、C、D、E、、、表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。
       
      除四個(gè)基本部分外,有時(shí)還加后綴,以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下:
       
      1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母,表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%; 其后綴第二部分是數(shù)字,表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值; 后綴的第三部分是字母V,代小數(shù)點(diǎn), 字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
       
      2、整流二極管后綴是數(shù)字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。
       
      3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,
       
      通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。 如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
       
      五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
       
      歐洲有些國家,如德國、荷蘭采用如下命名方法:
       
      第一部分:O-表示半導(dǎo)體器件。
       
      第二部分:A-二極管、C-三極管、 AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
       
      第三部分:多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。
       
      第四部分:A、B、C、、、表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。
       
      文章來源:可靠性技術(shù)交流
       
       
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