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測試測量

國家將收緊多晶硅項目再融資

國家發改委產業協調司司長陳斌10月15日表示，為了引導多晶硅產業健康發展，避免產業過度競爭，促進節能減排，國家將多晶硅產業列為產能過剩的行業，將控制多晶硅項目的再融資。而最近，中國證監會也向國家發改委移交了部分關于企業融資的審查權，以控制多晶硅等企業的再融資

2009-10-27

國家發改委多晶硅再融資

振興規劃作用，推動電子信息產業走出低谷

伴隨著“家電下鄉”，“汽車下鄉”、調整出口退稅稅率等政策相繼實施，振興規劃對電子信息產業的提振效應開始顯現。賽迪顧問研究數據顯示，從2009年4月起，電子信息產業經濟運行開始出現企穩跡象，主營收入降幅趨緩，并逐漸開始走出低谷。

2009-10-27

電子信息通信元器件

揚智科技攜M7108系列在深圳成立中國大陸區總部

揚智科技于深圳成立中國大陸區總部，力拓全新多媒體生活，深耕中國大陸市場，豐富消費電子應用。

2009-10-26

IC 揚智科技機頂盒 M7108系列

電源變換器中電流/電壓模式相互轉化分析

本文先簡單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優缺點；然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過輸入電壓前饋加入電流模式的工作過程。也討論了電流模式在輸出輕載或無負載時，在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補償后，系統會從電流...

2009-10-26

變換器電流/電壓模式轉化

基于漏極導通區特性理解MOSFET開關過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。開關過程中，功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時，功率MOSFET漏極的電流和...

2009-10-26

MOSFET 關斷區恒流區可變電阻區

理解功率MOSFET的開關損耗

本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對應的Qg，Qds和Qgs在開關過程中對開關損耗的影響。基于在理想狀態下，用工程簡化方式計算出MOSFET在開關過程中不同階段的開關損耗，并分析出Crss及相對應的Qgd對于MOSFET管的開關損耗起主導作用。然后，論述了在實際狀態下，Coss對開通和關斷過程...

2009-10-26

米勒電容開關損耗零電壓開關

基于MOSFET內部結構設計優化的驅動電路

功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數調整并不是十分關注，尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定...

2009-10-26

MOSFET 驅動電路

帶有內置ESD保護的MOSFET

CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強模式MOSFET，帶有內置的2kV ESD保護。它帶有兩個獨立的50V，280mA的MOSFET，在每個器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時是3.0歐姆

2009-10-26

CMLDM7003 MOSFET ESD保護

3390:HIOKI最新功率分析儀

從地球環境保護的角度來看的話，和功率測量相關的需求及期待越來越大。太陽能發電和電動車（EV）的推廣、以及智慧型電網的構想等措施都將促進功率計的性能和功能的發展。本文特別將EV用馬達和變頻器的功率測量為例，通過日置電機針對支持高效控制系統的研發而開發的“功率分析儀3390”，來介紹近期功...

2009-10-26

HIOKI 功率分析儀 3390

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