中心議題：

• MOSFET簡(jiǎn)化三相無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)

解決方案：

• 使用具有快速體二極管恢復(fù)特性MOSFET
• MOSFET內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管

提高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問(wèn)題。三相無(wú)刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)備中以及很多其他應(yīng)用中。此外，由于采用了電子換向器代替機(jī)械換向裝置，三相無(wú)刷直流電機(jī)被認(rèn)為可靠性更高。

標(biāo)準(zhǔn)的三相功率級(jí)(powerstage)被用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)三相無(wú)刷直流電機(jī)，如圖1所示。功率級(jí)產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)，為了使電機(jī)很好地工作，這個(gè)電場(chǎng)必須保持與轉(zhuǎn)子磁場(chǎng)之間的角度接近90°。六步序列控制產(chǎn)生6個(gè)定子磁場(chǎng)向量，這些向量必須在一個(gè)指定的轉(zhuǎn)子位置下改變?；魻栃?yīng)傳感器掃描轉(zhuǎn)子的位置。為了向轉(zhuǎn)子提供6個(gè)步進(jìn)電流，功率級(jí)利用6個(gè)可以按不同的特定序列切換的功率MOSFET。下面解釋一個(gè)常用的切換模式，可提供6個(gè)步進(jìn)電流。

MOSFETQ1、Q3和Q5高頻(HF)切換，Q2、Q4和Q6低頻(LF)切換。當(dāng)一個(gè)低頻MOSFET處于開(kāi)狀態(tài)，而且一個(gè)高頻MOSFET處于切換狀態(tài)時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)功率級(jí)。

步驟1)功率級(jí)同時(shí)給兩個(gè)相位供電，而對(duì)第三個(gè)相位未供電。假設(shè)供電相位為L(zhǎng)1、L2，L3未供電。在這種情況下，MOSFETQ1和Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流流經(jīng)Q1、L1、L2和Q4。

步驟2）MOSFETQ1關(guān)斷。因?yàn)殡姼胁荒芡蝗恢袛嚯娏鳎鼤?huì)產(chǎn)生額外電壓，直到體二極管D2被直接偏置，并允許續(xù)流電流流過(guò)。續(xù)流電流的路徑為D2、L1、L2和Q4。

步驟3）Q1打開(kāi)，體二極管D2突然反偏置。Q1上總的電流為供電電流(如步驟1)與二極管D2上的恢復(fù)電流之和。
         
                                                    圖1：三相逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖   

圖2所示MOSFET器件的截面圖，顯示出其中的體-漏二極管。在步驟2，電流流入到體-漏二極管D2(見(jiàn)圖1)，該二極管被正向偏置，少數(shù)載流子注入到二極管的區(qū)和P區(qū)。
      
                                      圖2：MOSFET器件的截面圖，電流流經(jīng)其內(nèi)部的體二極管[page]

當(dāng)MOSFETQ1導(dǎo)通時(shí)，二極管D2被反向偏置，N區(qū)的少數(shù)載流子進(jìn)入P+體區(qū)，反之亦然。這種快速轉(zhuǎn)移導(dǎo)致大量的電流流經(jīng)二極管，從N-epi到P+區(qū)，即從漏極到源極。電感L1對(duì)于流經(jīng)Q2和Q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。Q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導(dǎo)通期間的開(kāi)關(guān)損耗。圖4a描述了MOSFET的導(dǎo)通過(guò)程。

為改善在這些特殊應(yīng)用中體二極管的性能，研發(fā)人員開(kāi)發(fā)出具有快速體二極管恢復(fù)特性MOSFET。當(dāng)二極管導(dǎo)通后被反向偏置，反向恢復(fù)峰值電流Irrm較小，完成恢復(fù)所需要的時(shí)間更短(見(jiàn)圖3)。

                     
                 圖3：具有快速體二極管恢復(fù)特性MOSFET，反向恢復(fù)峰值電流較小，恢復(fù)時(shí)間縮短。

我們對(duì)比測(cè)試了標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET和快恢復(fù)MOSFET。ST推出的STD5NK52ZD(SuperFREDmesh系列)放在Q2(LF)中，如圖4b所示。在Q1MOSFET(HF)的導(dǎo)通工作期間，開(kāi)關(guān)損耗降低了65%。采用STD5NK52ZD時(shí)效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動(dòng)空氣環(huán)境下，殼溫從60°C降低到50°C)。在這種拓?fù)渲?，MOSFET內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管，采用具有快速體二極管恢復(fù)特性MOSFET更為合適。

           


           
        圖4：a)Q2采用標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的開(kāi)狀態(tài)操作；b)Q2采用ST公司的STD5NK52ZDMOSFET開(kāi)狀態(tài)操作

SuperFREDmesh技術(shù)彌補(bǔ)了現(xiàn)有的FDmesh技術(shù)，具有降低導(dǎo)通電阻，齊納柵保護(hù)以及非常高的dv/dt性能，并采用了快速體-漏恢復(fù)二極管。N溝道520V、1.22歐姆、4.4ASTD5NK52ZD可提供多種封裝，包括TO-220、DPAK、I2PAK和IPAK封裝。

該器件為工程師設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供了更大的靈活性。其他優(yōu)勢(shì)包括非常高的dv/dt，經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，具有非常低的本征電容、良好的可重復(fù)制造性，以及改良的ESD性能。此外，與其他可選模塊解決方案相比，使用分立解決方案還能在PCB上靈活定位器件，從而實(shí)現(xiàn)空間的優(yōu)化，并獲得有效的熱管理，因而這是一種具有成本效益的解決方案。