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通信廣電

詳解部分元等效電路法在電磁仿真中的應(yīng)用

滿(mǎn)足 EMC 標(biāo)準(zhǔn)是至關(guān)重要的，因?yàn)樗鼈円?guī)范了產(chǎn)品和其他相鄰設(shè)備之間的電磁效應(yīng)。電磁效應(yīng)會(huì)影響電子系統(tǒng)的性能，如果這些效應(yīng)超過(guò)了電磁兼容性 (EMC) 的限度，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品退出市場(chǎng)。

2022-02-10

等效電路法電磁仿真

LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案

為了理解這種技術(shù)，讓我們回顧一些為L(zhǎng)LC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案時(shí)遇到的挑戰(zhàn)。在其最簡(jiǎn)單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡(jiǎn)言之，當(dāng)電流擬從正極流向負(fù)極時(shí)，MOSFET導(dǎo)通。一旦電流開(kāi)始從負(fù)極流向正極，則MOSFET關(guān)斷。

2022-02-09

LLC轉(zhuǎn)換器穩(wěn)健型同步整流

適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型

當(dāng)電源設(shè)計(jì)人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時(shí)，他們會(huì)利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進(jìn)行預(yù)測(cè)有助于縮小反饋環(huán)路補(bǔ)償元件的選擇范圍。

2022-02-09

電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTspice AC模型

將ICT和FCT優(yōu)勢(shì)結(jié)合在單個(gè)測(cè)試適配器中

一般以針床來(lái)測(cè)試不上電的電路板，使用直接數(shù)字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術(shù)生成刺激信號(hào)進(jìn)行模擬測(cè)量分析，以此讓在線測(cè)試儀（ICA）測(cè)量電感、電容、阻抗和電阻等實(shí)際數(shù)據(jù)，以便確認(rèn)所有被測(cè)器件（DUT）測(cè)試節(jié)點(diǎn)的結(jié)果在公差范圍內(nèi)，以及是否有開(kāi)路、短路、錯(cuò)件或極性接反的問(wèn)題。這...

2022-02-09

ICT和FCT 測(cè)試適配器

LDO如何更加功效

隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT）不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場(chǎng)所，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)越來(lái)越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪問(wèn)這些電器和系統(tǒng)。不過(guò)，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計(jì)數(shù)的待機(jī)電能。

2022-02-08

LDO 物聯(lián)網(wǎng)

可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散

您曾設(shè)計(jì)過(guò)具有分?jǐn)?shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來(lái)很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點(diǎn)上雜散就會(huì)變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過(guò)整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時(shí)。

2022-02-08

可編程輸入倍頻法整數(shù)邊界雜散

如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出

對(duì)于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來(lái)看，還沒(méi)有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型。現(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶(hù)就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶(hù)能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問(wèn)題。

2022-02-08

仿真轉(zhuǎn)換器數(shù)字輸入／輸出

關(guān)于相控陣三種波束成型架構(gòu)的那些事兒~

本文對(duì)模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進(jìn)行了比較，并針對(duì)接收相控陣開(kāi)發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說(shuō)明了各種器件對(duì)總功耗的貢獻(xiàn)，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對(duì)不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對(duì)于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢(shì)。

2022-02-08

相控陣波束成型架構(gòu)

如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢(shì)？

隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展，器件也在日趨成熟和商業(yè)化，其材料獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃走向175℃，有的公司稱(chēng)，現(xiàn)在已開(kāi)始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。

2022-01-28

碳化硅

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