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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩態小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動手機連接器之類的終端設備，零瓦充電器就會停止從電網中取電， TE的IMF是專為這樣的應用而設計的，其設計是對現有AXICOM IM繼電器產品線的補充。
2012-02-22
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ADIsimRF 1.6版：ADI新版模擬器件設計工具簡化RF設計
Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，近日推出其頗受歡迎的ADIsimRF?設計工具的全新版本ADIsimRF 1.6版。ADI公司的ADIsimRF設計工具是ADI公司所有RF至數字功能模塊系列產品的配套軟件，通過該設計工具，工程師可以使用ADI公司的RF IC和數據轉換器產品系列進行RF信號鏈建模。
2012-02-22
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰
TSV 3D IC技術雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術發展速度可說是相當緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV 3D IC實用化的序幕。
2012-02-22
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業內首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級MOSFET，是目前市場上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片級器件中具有最低的導通電阻。
2012-02-21
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AD9737A：ADI推出低功耗DAC用于電纜前端
Analog Devices, Inc. (ADI)，數據轉換器市場份額領先者，最近推出一款11位DAC AD9737A，它能夠讓有線電視和寬帶運營商將高至1 GHz的整個電纜頻譜合成于單個RF（射頻）端口，而最大功耗僅為1.1 W。AD9737A 2.5 GSPS DAC具有較寬的帶寬和動態范圍，因而電纜基礎設施設計人員能夠將QAM通道密度提高至目前電纜調制解調器實現方案的20倍，并且支持經過改良的全新服務，例如互動電視、高清廣播和新專業頻道。
2012-02-20
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EV1320：Enpirion推出高效率DDR電源解決方案
業界最小負載點直流—直流轉換器領先創新者Enpirion 公司發布了其 DDR 存儲器終端電源的電源集成電路 (IC) 產品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉換器，最高效率達到 96%——比傳統 LDO（低壓差）穩壓器解決方案省電 1.4 瓦，同時擁有低成本、小尺寸的優點。
2012-02-17
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飛兆、英飛凌擴展功率MOSFET封裝兼容協議
全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-16
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PCC-M0512W：松下推出低直流電阻的電源電感器用于便攜設備
松下元器件公司（Panasonic Device）推出了直流電阻號稱業界最小的、采用金屬復合物鐵心結構的電源電感器（功率扼流圈）“PCC-M0512W系列”。3.3μH產品的直流電阻為80mΩ，較該公司以前的產品減小了10～20％。外形尺寸為5.4mm×5.15mm×1.2mm，電感值為0.47～4.7μH，額定電流為2.2～5.5A。主要面向智能手機、平板終端及游戲機的硬盤驅動器（HDD）等使用的DC-DC轉換電路。
2012-02-16
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WCSP 在克服各種挑戰的同時不斷發展
晶圓芯片級封裝 (WCSP) 去掉了許多傳統的封裝步驟，例如：裸片焊接、引線接合以及芯片級倒裝片 (flip chip) 連接工藝等。這種方法使半導體客戶加速了產品上市進程。WCSP 應用正擴展到一些新領域，并逐漸出現基于引腳數量和器件類型的細分市場。集成無源分立 RF 和存儲器件的 WCSP 應用也正擴展到邏輯 IC 和 MEMS。但是這種發展也帶來了許多挑戰，包括裸片尺寸和引腳數的增長對板級可靠性所產生的影響。本文將介紹我們當前面臨的諸多挑戰，以及集成化和硅過孔 (TSV) 技術等一些未來發展趨勢。
2012-02-15
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安森美半導體推出降低待機能耗的突破性電源產品
應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 持續開發創新技術及產品，使公司能夠為市場提供豐富的電源半導體方案。
2012-02-13
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瑞薩電子巴西辦事處成立，增強南美地區服務和支持
全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）進入宣布在巴西圣保羅市成立Renesas Electronics Brasil-Servicos Ltda.,（以下簡稱“瑞薩電子巴西辦事處”），以進一步擴大在海外發展中市場的銷售額。
2012-02-13
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RJQ6020/1/2DPM:瑞薩電子宣布推出低損耗SiC功率器件系列
全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調）、PC服務器和太陽能發電系統等電力電子產品。
2012-02-13
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