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汽車IC分類一張圖，國際大廠與中國步伐有差異
汽車IC就是車規(guī)級產(chǎn)品，滿足汽車質(zhì)量管理體系，符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）在2020年發(fā)布了《純電動乘用車車規(guī)級芯片一般要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，將汽車半導(dǎo)體分為10個(gè)大類和60個(gè)小類，10個(gè)大類分別包括控制芯片、存儲芯片、計(jì)算芯片、信息安全芯片、驅(qū)動芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
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恒流負(fù)載導(dǎo)致的啟動故障
內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動前輸出端被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會出現(xiàn)無法啟動的問題。
2022-12-08
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提高電源轉(zhuǎn)換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構(gòu)顯示出多項(xiàng)優(yōu)勢）
近年來隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）總線接口被應(yīng)用到越來越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-08
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復(fù)雜電源系統(tǒng)中的明星：數(shù)字化多路電源模塊將即將嶄露頭角
近幾年來，板級電源模塊產(chǎn)品呈現(xiàn)爆炸式發(fā)展態(tài)勢，其集成度高、體積緊湊的優(yōu)點(diǎn)，吸引了越來越多的終端客戶選擇。而越來越多的應(yīng)用類型、越來越復(fù)雜的使用場景，也對電源模塊產(chǎn)品提出了更高的挑戰(zhàn)。如何達(dá)到性能最優(yōu)？如何提升用戶設(shè)計(jì)體驗(yàn)？如何增強(qiáng)可靠性？各種尖銳的問題，促使IC電源廠商不斷追求著控制策略優(yōu)化、工藝優(yōu)化、設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)優(yōu)化。MPS在電源模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面有著自己獨(dú)到的理解和技術(shù)沉淀，并藉此推動電源模塊產(chǎn)品的交付量迅猛增長。
2022-12-07
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適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設(shè)計(jì)和易擴(kuò)展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設(shè)計(jì)，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導(dǎo)體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應(yīng)用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設(shè)計(jì)原理、開關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長模塊的使用壽命等關(guān)鍵點(diǎn)。
2022-12-05
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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貿(mào)澤電子帶你探索汽車設(shè)計(jì)發(fā)展新趨勢
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 致力于為采購人士和工程師提供各類資源和新產(chǎn)品，助其走在汽車解決方案的創(chuàng)新前沿。貿(mào)澤攜手知名制造商合作伙伴通過博客、文章、視頻等，帶你深入了解現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和解決方案，洞察汽車行業(yè)的未來。
2022-12-02
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車輛電壓保護(hù)——將電壓水平保持在限度內(nèi)
車輛中可能會短暫存在高電壓，而僅比規(guī)定電壓高出幾伏就足以損壞高度敏感的IC器件。因而針對靜電放電 (ESD)、拋負(fù)載(load dump)脈沖和瞬變提供充分保護(hù)是至關(guān)重要的。
2022-12-02
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5G毫米波有源陣列封裝天線技術(shù)研究
提出了一種5G 毫米波有源陣列封裝天線。該陣列由8×16 個(gè)微帶天線單元組成，通過耦合式差分饋電，天線實(shí)現(xiàn)了寬帶匹配和方向圖高度對稱特性。通過對天線與芯片進(jìn)行合理布局，減小了芯片射頻端口到天線子陣的饋電線損，提高了有源陣列天線的整體效率。測試結(jié)果表明，該陣列天線在工作頻段為24．25～ 27．5 GHz 的等效全向輻射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大于60 dBm，并且陣列波束掃描至±30°、±60°時(shí)的增益下降分別不超過0．6 dB、4．1 dB，具有良好的寬角度波束掃描特性。
2022-12-02
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
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談?wù)劅衢T的氧化鎵
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85 eV的大帶隙和晶體生長方面的突破，導(dǎo)致了2012年第一個(gè)Ga2O3晶體管的演示。Ga2O3有希望成為電力電子平臺，但在未來十年將這種UWBG半導(dǎo)體投入商用存在挑戰(zhàn)。
2022-11-28
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