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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第七部分)：800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個(gè)可擴(kuò)展系統(tǒng)的整體架構(gòu)和規(guī)格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設(shè)計(jì)和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設(shè)計(jì)部分講完了，除了輔助電源設(shè)計(jì)的相關(guān)內(nèi)容。
2022-07-07
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安森美的VE-TracTM SiC系列為電動(dòng)車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢(shì)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來，如在關(guān)鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠(yuǎn)續(xù)航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢(shì)中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢(shì)，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商之一，其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用穩(wěn)定可靠的平面SiC技術(shù)，結(jié)合燒結(jié)技術(shù)和壓鑄模封裝，幫助設(shè)計(jì)人員解決上述挑戰(zhàn)，配合公司其他先進(jìn)的智能功率電源半導(dǎo)體，加快市場(chǎng)采用電動(dòng)車，助力未來的交通邁向可持續(xù)發(fā)展。
2022-07-07
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貿(mào)澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎(jiǎng)
2022年7月6日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發(fā)的2021年度目錄分銷商獎(jiǎng)。RECOM Power Inc.是一家專門生產(chǎn)AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器及開關(guān)穩(wěn)壓器的電源制造商。在頒獎(jiǎng)典禮上，RECOM表彰了貿(mào)澤在新產(chǎn)品引入和全球客戶增長(zhǎng)方面的卓越表現(xiàn)。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究
米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是，這對(duì)于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？
2022-07-06
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仿真看世界之SiC單管的開關(guān)特性
如下圖1是今年英飛凌新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45m?的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB后，其管腳到器件內(nèi)部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數(shù)如下圖所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測(cè)到的信號(hào)，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內(nèi)部芯片的信號(hào)，芯片Q1內(nèi)包含寄生電阻Rgint=4?。
2022-07-06
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。
2022-07-05
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計(jì)。
2022-07-04
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Trinamic步進(jìn)電機(jī)控制模塊助力抗擊瘧疾
瘧疾是世界上最致命的傳染病之一。這種疾病在亞洲、非洲和南美洲的熱帶地區(qū)十分常見，越早診斷，越能有效治療。標(biāo)準(zhǔn)瘧疾檢測(cè)需要由訓(xùn)練有素的技術(shù)人員在顯微鏡下檢測(cè)血液樣本，以確認(rèn)是否存在瘧原蟲，以及瘧原蟲的數(shù)量和類型。僅在印度，每年就會(huì)進(jìn)行1.75億次瘧疾檢測(cè)。
2022-07-04
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Spectricity在X-FAB部署專有技術(shù)，為移動(dòng)設(shè)備帶來光譜成像功能
中國(guó)北京，2022年6月29日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，與專注多光譜成像技術(shù)研發(fā)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Spectricity攜手，推出獨(dú)特成像解決方案。來自Spectricity的專有光譜成像技術(shù)已部署在X-FAB工藝平臺(tái)的量產(chǎn)設(shè)備中；此舉將首次實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備光譜圖像傳感器的低成本制造。
2022-07-02
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貿(mào)澤電子連續(xù)第五年榮獲Littelfuse年度全球分銷商獎(jiǎng)
2022年6月30日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲Littelfuse頒發(fā)的2021年度全球卓越服務(wù)分銷商獎(jiǎng)。Littelfuse是一家致力于打造一個(gè)可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全世界的工業(yè)技術(shù)制造公司。這是貿(mào)澤連續(xù)第5年、歷年來第11次獲得這項(xiàng)大獎(jiǎng)。
2022-07-02
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貿(mào)澤電子榮獲Bourns 2021年度全球電子商務(wù)分銷商大獎(jiǎng)
2022年6月28日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) ?自豪地宣布榮獲業(yè)界知名電子元件制造商和供應(yīng)商Bourns? Inc頒發(fā)的2021年度電子商務(wù)分銷商大獎(jiǎng)。這個(gè)大獎(jiǎng)旨在表彰貿(mào)澤通過其卓越的設(shè)計(jì)創(chuàng)新能力，在電子商務(wù)中取得的銷售成功和業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。
2022-07-01
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SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程
使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-07-01
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 貿(mào)澤電子自動(dòng)化資源中心上線：工程師必備技術(shù)寶庫(kù)
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