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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發布的SiC FET具有不凡的性能，是不斷成長的電動車市場向著800V母線車載充電器（OBC）和直流轉換器邁進過程中的理想選擇。與前幾代一樣，新FET也非常適合工業電池充電器、工業電源、光伏轉換器、不間斷電源和各種其他功率轉換應用。
2022-06-15
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅動系統
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-15
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。
2022-06-15
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25kW SiC直流快充設計指南(第五部分)：控制算法、調制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-13
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“創新強鏈，雙驅發展”2022年中國（深圳）集成電路峰會
由深圳市人民政府聯合中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創新強鏈，雙驅發展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），將于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。
2022-06-13
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貿澤電子榮獲知名互連廠商Hirose頒發的年度分銷商大獎
2022年6月10日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布榮獲創新連接器解決方案知名設計和制造商Hirose Electric USA頒發的2021年度分銷商大獎。這個年度分銷商獎旨在表彰在銷售額和增長率，以及客戶服務和滿意度方面表現突出的分銷商。
2022-06-10
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Digi-Key推出 myLists 報價功能，以提高訂貨效率
美國明尼蘇達州錫夫里弗福爾斯市訊——全球供應品類豐富、發貨快速的現貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布，已增強其 myLists 工具，將報價功能包含其中，以提高訂貨效率。 現在 Digi-Key 客戶可以借助 myLists 更高效地工作，使用 myLists 的報價功能將所有內容保存在一個方便的位置，用一份零件清單創建多個報價，并將報價輕松轉換為在線訂單。
2022-06-09
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瑞薩電子收購Reality AI為終端帶來先進信號處理及智能化
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，已與嵌入式AI解決方案供應商Reality Analytics, Inc.（Reality AI）達成最終協議，根據協議，瑞薩將以全現金交易方式收購Reality AI。該交易已獲得兩家公司董事會的一致批準，在獲得股東和所需的監管機構批準以及其他慣例成交條件后，預計將于2022年年末前完成。此次收購將顯著增強瑞薩電子在端點人工智能的實力，為系統開發人員提供更大的靈活性和效率，幫助他們的產品 AIoT（物聯網人工智能）做好準備并更快進入市場。
2022-06-09
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使用新型MEMS開關加快測試能力并提高系統產出
先進的數字處理器IC要求通過單獨的DC參數和高速數字自動測試設備(ATE)測試，以達到質保要求。這帶來了很大的成本和組織管理挑戰。本文介紹 ADGM1001 SPDT MEMS開關如何助力一次性通過單插入測試，以幫助進行DC參數測試和高速數字測試，從而降低測試成本，簡化數字/RF片上系統(SoC)的測試流程。
2022-06-09
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魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。
2022-06-07
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25 kW SiC直流快充設計指南(第三部分)：PFC仿真
在本系列的前幾篇文章中，我們介紹了電動車快充系統的主要系統要求，概述了系統開發過程中的關鍵階段以及認識了參與設計25 kW SiC直流快充系統的工程師團隊。
2022-06-07
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯手，800V直流方案賦能AI數據中心能效升級
- 貿澤電子自動化資源中心上線：工程師必備技術寶庫
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