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干貨

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

應用在電源管理中的肖特基二極管

很多設計都采用一個轉換器設計（網絡）工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優選擇。本文將探討一些在選擇正確的二極管時應仔細考慮的典型參數，以及如何應用這些參數來快速確定選型的正確與否。詳細閱讀>>

內置肖特基二極管的MOSFET可提高應用性能

當一個功率MOSFET被用在電橋拓撲或用作電源二次側同步整流時，體漏二極管的特性及質量因子將變得非常重要。當需要Qrr數值很低的軟反向恢復時，集成肖特基二極管的新60V"F7"功率MOSFET確保能效和換向性能更加出色。詳細閱讀>>

采用額外的肖特基二極管減少干擾

在負載點(POL)降壓轉換器領域，同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關的架構相比，此類開關穩壓器具有多項優勢。主要優勢是電壓轉換效率更高，因為與采用無源二極管的情況相比，低端開關承載電流時的壓降更低。詳細閱讀>>

碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導率等優良的材料特性，在中高壓功率半導體器件制造中得到了廣泛的應用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經成功地應用于電力領域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結構。后來，這種結構演變成一種結勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結構被稱為合并PN肖特基...詳細閱讀>>

如何提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

半導體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業和汽車應用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率MOSFET。與此同時，由于可供分析的現場數據有限，這些器件的長期可靠性成為一個需要解決的熱點問題。一些SiC供應商已開始根據嚴格的工業和汽車（AEC-Q101）標準來認證SiC器件，而另一些供應商不但超出了這些認證標準的要求，還能為惡劣環境耐受性測試提供數據...詳細閱讀>>

肖特基二極管引腳辨別方法

電阻元件接入電路可不分極性，但是肖特基二極管是有極性的，而且它必須正確安裝。肖特基二極管如果安裝不正確不僅會破壞它本身，就可能會破壞電路其他許多零件。因此，懂得辨別肖特基二極管引腳的方法顯得特別重要。詳細閱讀>>

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UnitedSiC推出新型結壘肖特基二極管

10月26日消息，美國SiC功率半導體制造商UnitedSiC日前宣布推出四款新型結壘肖特基(JBS)二極管，以補充其FET和JFET晶體管產品。UJ3D 1200V和1700V器件號稱具有業界最佳的浪涌電流性能，是該公司第3代SiC Merged-PiN-Schottky（MPS）二極管的一部分。詳細閱讀>>

意法半導體推出薄型貼裝肖特基二極管

意法半導體新推出26款封裝采用薄型SMA和SMB扁平封裝、額定電壓25-200V、額定電流1-5A的肖特基二極管。新二極管的厚度是1.0mm，比標準SMA和SMB封裝產品薄50％，讓設計人員能夠在提高功率密度的同時節省空間。封裝面積與標準SMA和SMB相同，可直接插入...詳細閱讀>>

聯合碳化硅擴大肖特基二極管產品組合

碳化硅（SiC）功率半導體的領先制造商美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，將推出四種新型結勢壘肖特基（JBS）二極管，以補充FET和JFET晶體管產品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有業界更佳的浪涌電流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN...詳細閱讀>>

肖特基（Schottky）二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全面考慮。