1.HBM：Human Body Model，人體模型：

 

該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb 為等效人體電阻，Cb 為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件 HBM 模型的 ESD 等級。

 

ESD人體模型等效電路圖及其ESD等級

 

2.MM：Machine Model，機器模型：

 

機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容(Cb)是 200pF，等效電阻為 0，機器模型與人體模型的差異較大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取 200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型。

 

ESD機器模型等效電路圖及其ESD等級

 

3.CDM：Charged Device Model，充電器件模型：

 

半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳 遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM 模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的，器件帶電模型如下：

 

ESD充電器件模型等效電路圖及其ESD等級

 

器件的 ESD 等級一般按以上三種模型測試，大部分 ESD 敏感器件手冊上都有器件的 ESD數(shù)據(jù)，一般給出的是 HBM 和 MM。

 

通過器件的 ESD 數(shù)據(jù)可以了解器件的 ESD 特性，但要注意，器件的每個管腳的 ESD 特性差異較大，某些管腳的 ESD 電壓會特別低，一般來說，高速端口，高阻輸入端口，模擬端口 ESD電壓會比較低。

 

ESD 防護是一項系統(tǒng)工程，需要各個環(huán)節(jié)實施全面的控制。下圖是一個 ESD 防護的流程圖：

 

ESD 防護設(shè)計流程圖

 

ESD 防護設(shè)計可分為單板防護設(shè)計、系統(tǒng)防護設(shè)計、加工環(huán)境設(shè)計和應(yīng)用環(huán)境防護設(shè)計，單板防護設(shè)計可以提高單板 ESD 水平，降低系統(tǒng)設(shè)計難度和系統(tǒng)組裝的靜電防護要求。當系統(tǒng)設(shè)計還不能滿足要求時，需要進行應(yīng)用環(huán)境設(shè)計防護設(shè)計。ESD 敏感器件在裝聯(lián)和整機組裝時，環(huán)境的 ESD 直接加載到器件，所以加工環(huán)境的 ESD 防護是至關(guān)重要的。

 

一般整機、單板、接口的接觸放電應(yīng)達到±2000V(HBM)以上的防護要求。器件的 ESD 防護設(shè)計是在器件不能滿足 ESD 環(huán)境要求的情況下，通過衰減加到器件上的 ESD 能量達到保護器件的目的。ESD 是電荷放電，具有電壓高，持續(xù)時間短的特點，根據(jù)這些特點，ESD 能量衰減可通過電壓限制、電流限制、高通濾波、帶通濾波等方式實現(xiàn)，所以防護電路的形式多種多樣，這里就不一一列舉。

 

 

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