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      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削

      發(fā)布時間:2020-09-17 來源:Peter Delos, Bob Broughton, 和 Jon Kraft 責(zé)任編輯:wenwei

      【導(dǎo)讀】在第一部分中,我們介紹了相控陣概念、波束轉(zhuǎn)向和陣列增益。在第二部分中,我們討論了柵瓣和波束斜視概念。在這第三部分中,我們首先討論天線旁瓣,以及錐削對整個陣列的影響。錐削就是操控單個元件的振幅對整體天線響應(yīng)的影響。
       
      在第一部分中未應(yīng)用錐削,且從圖中可以看出第一旁瓣為–13 dBc。錐削提供了一種減少天線旁瓣的方法,但會降低天線增益和主瓣波束寬度。在簡要介紹錐削之后,我們會詳細(xì)說明與天線增益相關(guān)的幾個要點。
       
      傅里葉變換:矩形函數(shù) ↔ sinc函數(shù)
       
      在電氣工程中,有各種不同的方法可以將一個域中的矩形函數(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€域中的sinc函數(shù)。最常見的形式是時域中的矩形脈沖轉(zhuǎn)換成sinc函數(shù)的頻譜分量。這個轉(zhuǎn)換過程是可逆的,在寬帶應(yīng)用中,寬帶波形也可以轉(zhuǎn)換為時域中的窄脈沖。相控陣天線也具有類似的特性:沿陣列平面軸的矩形加權(quán)按照正弦函數(shù)輻射方向圖。
       
      應(yīng)用到此特性,以sinc函數(shù)表示的第一旁瓣只有-13dBc是有問題的。圖1顯示了這個原理。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖1.時域中的矩形脈沖在頻域中產(chǎn)生正弦函數(shù),第一旁瓣僅為–13 dBc。
       
      錐削(或加權(quán))
       
      要解決旁瓣問題,可以在整個矩形脈沖內(nèi)使用加權(quán)處理。這在FFT中很常見,相控陣中的錐削選項則是直接模擬了FFT中加權(quán)。遺憾的是,加權(quán)也是存在缺點的,它雖然實現(xiàn)了減少旁瓣但需要以加寬主瓣為代價。圖2顯示了一些加權(quán)函數(shù)示例。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖2.加權(quán)函數(shù)示例。
       
      波形與天線類比
       
      從時間到頻率的轉(zhuǎn)換是很平常的,大多數(shù)電氣工程師自然會明白。但是,對于剛接觸相控陣的工程師來說,如何使用天線方向圖類比在一開始并不明確。為此,我們用場域激勵代替時域信號,并用空間域代替頻域輸出。
       
      時域 → 場域
       
      ●   v(t)—電壓是時間的函數(shù)
      ●   E(x)—場強與孔徑中的位置呈函數(shù)關(guān)系
       
      頻域 → 空間域
       
      ●   Y(f)—功率譜密度是頻率的函數(shù)
      ●   G(q)—天線增益是角度的函數(shù)
       
      圖3顯示了這些原理。在這里,我們比較了陣列中應(yīng)用兩種不同加權(quán)的輻射能量。圖3a和圖3c顯示場域。每個點表示這個N = 16陣列中一個元件的振幅。在天線之外,沒有輻射能量,輻射從天線邊緣開始。在圖3a中,場強出現(xiàn)突變,而在圖3c中,場強隨著距離天線邊緣的距離增大而逐漸增大。對輻射能量造成的影響分別如圖3b和圖3d所示。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖3.顯示變窄元件轉(zhuǎn)化為輻射能量加權(quán)的圖表;(A)對所有元件使用統(tǒng)一加權(quán);(b)正弦函數(shù)在空間內(nèi)輻射;(c)對所有元件使用海明窗加權(quán)處理;以及(d)以加寬主波束為代價,將輻射旁瓣降低到40 dBc。
       
      在下一節(jié)中,我們將介紹影響天線方向圖性能的兩種附加誤差項。第一種是互耦。在本文中,我們只是提出存在此問題,并且給出用于量化此影響的EM模型的數(shù)量。第二種是由于在相移控制中精度有限而產(chǎn)生的量化旁瓣。我們對量化誤差進行了更深入地處理,并對量化旁瓣進行了量化。
       
      互耦誤差
       
      這里討論的所有方程和陣列因子圖都假設(shè)元件是相同的,并且每個元件都具有相同的輻射方向圖。但事實并非如此。其中一個原因是互耦,即相鄰元件之間耦合。元件分散在陣列中與元件彼此緊密排列相比,其輻射性能會發(fā)生很大變化。位于陣列邊緣的元件和位于陣列中心的元件所處的環(huán)境不同。此外,當(dāng)波束轉(zhuǎn)向時,元件之間的互耦也會改變。所有這些影響會產(chǎn)生一個附加的誤差項,需要天線設(shè)計人員加以考慮,在實際設(shè)計中,需要花大量精力使用電磁仿真器來表征這些條件下的輻射影響。
       
      波束角度分辨率和量化旁瓣
       
      相控陣天線還有另一個缺陷,用于波束轉(zhuǎn)向的時間延遲單元或移相器的分辨率是有限的。這通常利用離散時間(或相位)步長來實現(xiàn)數(shù)字控制。但是,如何確定延遲單元或移向器的分辨率或位數(shù),以達到的所需的波束質(zhì)量呢?
       
      與常見的理解相反,波束角度分辨率并不等于移相器的分辨率。從方程式1(第二部分中的方程式2)中,我們可以看出這樣的關(guān)系:
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
       
      我們可以用整個陣列中的相移來表達這種關(guān)系,需要將陣列寬度D替換為元件間隔d。然后如果我們將移相器ΦLSB 替換為?Φ,我們可以粗略估算波束角度分辨率。對于N個元件以半個波長間隔排列的線性陣列來說,波束角度分辨率如方程式2所示。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
       
      這是背離瞄準(zhǔn)線的波束角度分辨率,描述了當(dāng)陣列的一半相移為零,另一半的相移為移相器的LSB時的波束角度。如果不到一半的陣列通過編程達到相位LSB,則角度可能更小。圖4顯示使用2位移相器的30元件陣列的波束角度(相位LSB逐漸增加)。注意,波束角度增加,直到一半元件移相LSB,然后在所有元件移相LSB時歸零。當(dāng)波束角度通過陣列中的相位差而變化時,這是有意義的。注意,正如前面計算的那樣,此特性的峰值為θRES。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖4.30元件線性陣列在LSB時的波束角度與元件數(shù)量之間的關(guān)系。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖5.移相器分辨率為2位至8位時,波束角度分辨率與陣列大小的關(guān)系。
       
      圖5顯示不同移相器分辨率下θRES與陣列直徑(元件間隔為λ/2)的關(guān)系。這表明,即使是LSB為90°的非常粗糙的2位移相器,也可以在直徑為30個元件的陣列中實現(xiàn)1°的分辨率。在第一部分使用方程式10針對30元件、λ/2間隔條件進行求解時,主瓣波束寬度約為3.3°,表示即便使用這個非常粗糙的移相器,我們也具備足夠的分辨率。那么,使用更高分辨率的移相器又會得出什么結(jié)果?從時間采樣系統(tǒng)(數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器)和空間采樣系統(tǒng)(相控陣天線)之間的類比可以看出,較高分辨率的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生較低的量化本底噪聲。更高分辨率的相位/時間偏移器會導(dǎo)致較低的量化旁瓣電平(QSLL)。
       
      圖6顯示之前描述的編程采用θRES波束分辨率角度的2位30元件線性陣列的移相器設(shè)置和相位誤差。一半陣列設(shè)為零相移,另一半設(shè)為90°LSB。注意,誤差(理想量化相移與實際量化相移之間的差異)曲線呈鋸齒狀。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖6.陣列中的元件相移和相位誤差。
       
      圖7顯示同一天線在轉(zhuǎn)向0°和轉(zhuǎn)向波束分辨率角度時的天線方向圖。請注意,由于移相器的量化誤差,出現(xiàn)了嚴(yán)重的方向圖退化。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖7.在最小波束角度下具有量化旁瓣的天線方向圖。
       
      當(dāng)孔徑內(nèi)發(fā)生最大量化誤差,其他所有元件都是零誤差,且相鄰元件間隔LSB/2時,出現(xiàn)最糟糕的量化旁瓣情形。這代表了最大可能的量化誤差和孔徑誤差的最大周期。圖8顯示了使用2位30元件時的這種情況。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖8.最糟糕的天線量化旁瓣情形——2位。
       
      這種情況在可預(yù)測的波束角度下(如方程3所示)發(fā)生。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
       
      其中 n < 2BITS,且n為奇數(shù)。對于2位系統(tǒng),這種情況會在±14.5°和±48.6°范圍之間發(fā)生4次。圖9顯示該系統(tǒng)在n = 1,q = +14.5°時的天線方向圖。注意在–50°時具有明顯的–7.5 dB量化旁瓣。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖9.最糟糕的天線量化旁瓣情形:2位,n = 1,30元件。
       
      除了量化誤差依次為0和LSB/2的特殊情況外,在其他波束角度下,rms誤差隨著波束在孔徑上的擴散而減小。事實上,對于n為偶數(shù)值的角度方程(方程式3),量化誤差為0。如果我們繪制在不同移相器分辨率下最高量化旁瓣的相對電平,會出現(xiàn)一些有趣的方向圖。圖9顯示100元件線性陣列最糟糕的QSLL,該陣列使用海明錐形,以便將量化旁瓣與本節(jié)前面討論的經(jīng)典開窗旁瓣區(qū)分開來。
       
      注意,在30°時,所有量化誤差都趨于0,這可以顯示為sin(30°) = 0.5時的結(jié)果。請注意,對于任何特定的n位移相器,在最糟糕電平下的波束角度在更高分辨率n下會顯示零量化誤差。在這里可以看出描述的最糟糕旁瓣電平下的波束角度,以及QSLL在每位分辨率下改善了6 dB。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖10.在2位至6位移相器分辨率下,最糟糕的量化旁瓣與波束角度的關(guān)系。
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
      圖11.最糟糕的量化旁瓣電平與移相器分辨率的關(guān)系。
       
      2位至8位移相器分辨率的最大量化旁瓣電平QSLL如圖11所示,它遵循類似的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器量化噪聲規(guī)律,
       
      相控陣天線方向圖——第3部分:旁瓣和錐削
       
      或每位分辨率約6 dB。在2位時,QSLL電平約為-7.5 dB,高于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器進行隨機信號采樣時經(jīng)典的+12 dB。這種差異可以視為在孔徑采樣時周期性出現(xiàn)的鋸齒誤差導(dǎo)致的結(jié)果,其中空間諧波會增加相位。注意QSLL與孔徑大小不呈函數(shù)關(guān)系。
       
      總結(jié)
       
      我們現(xiàn)在可以總結(jié)出天線工程師面臨的與波束寬度和旁瓣相關(guān)的一些挑戰(zhàn):
       
      ●   角度分辨率需要窄波束。窄波束需要大孔徑,這又需要許多元件。此外,波束在背離瞄準(zhǔn)線時會變寬,所以需要額外的元件,以在掃描角度增大時保持波束寬度不變。
       
      ●   似乎可以通過增大元件間隔來擴大整個天線區(qū)域,而無需額外增加元件。此舉可以讓波束變窄,但是,很遺憾,如果元件分布不均,會導(dǎo)致產(chǎn)生柵瓣。可嘗試通過減小掃描角度,同時采用有意隨機顯示元件方向圖的非周期陣列,來利用增加的天線區(qū)域,同時最大限度減少柵瓣問題。
       
      ●   旁瓣是另一個問題,我們已知可以通過將陣列增益朝向邊緣逐漸減小來解決。但是,這種錐削以波束變寬為代價,又會需要更多元件。移相器分辨率會導(dǎo)致出現(xiàn)量化旁瓣,在設(shè)計天線時也必須加以考慮。對于采用移相器的天線,波束斜視現(xiàn)象會導(dǎo)致角位移與頻率相互影響,從而限制高角度分辨率下可用的帶寬。
       
      以上就是有關(guān)相控陣天線方向圖全部三個部分的內(nèi)容。在第一部分中,我們介紹波束指向、陣列因子和天線增益。在第二部分中,我們討論柵瓣和波束斜視的缺點。在第三部分中,我們討論錐削和量化誤差。本文不是針對精通電磁和輻射元件設(shè)計的天線設(shè)計工程師,而是針對在相控陣領(lǐng)域工作的大量相鄰學(xué)科的工程師,這些直觀的解釋,將有助于他們理解影響整個天線方向圖的性能的各種因素。
       
      參考電路
       
      Balanis, Constantine A. 天線理論、分析和設(shè)計。第3版,Wiley,2005年。
       
      Mailloux, Robert J. 相控陣天線手冊。第2版。Artech House,2005年。
       
      O’Donnell, Robert M. “雷達系統(tǒng)工程:簡介。” IEEE,2012年6月。
       
      Skolnik, Merrill. 雷達手冊。第3版,McGraw Hill,2008年。
       
       
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