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      詳解肖特基、快恢復和超快恢復二極管的區別

      發布時間:2019-03-04 責任編輯:lina

      【導讀】在高頻、大電流整流以及續流電路中,大量使用了快恢復二極管(FBR)、超快恢復二極管(SRD)和肖特基二極管(SBD)。
       
      在高頻、大電流整流以及續流電路中,大量使用了快恢復二極管(FBR)、超快恢復二極管(SRD)和肖特基二極管(SBD)。
       
      肖特基二極管利用了肖特基,來對金屬或半導體接觸面上的反向電壓來進行阻擋,從而讓電流進行單向的傳導。與傳統的二極管不同,肖特基與PN結的結構相比,存在很大的差異。快速恢復二極管,顧名思義是一種能夠快速恢復反向時間的半導體二極管,本文主要從結構特點、性能參數方面來進行分析對比。
       
      詳解肖特基、快恢復和超快恢復二極管的區別
       
      簡介
       
      肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。
       
      快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結構上有采用PN結型結構,有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長,后者則在100納秒以下。
       
      超快恢復二極管(簡稱fred)是一種具有開關特性好、反向恢復時間超短的半導體二極管,常用來給高頻逆變裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器,使開關器件的功能得到充分發揮。超快恢復二極管是用電設備高頻化(20khz以上)和高頻設備固態化發展不可或缺的重要器件。
       
      詳解肖特基、快恢復和超快恢復二極管的區別
       
      快恢復、超快恢復二極管的結構特點
       
      快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同,它是在P 型、N 型硅材料中間增加了基區I,構成P-I-N硅片。由于基區很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒。
       
      20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看,可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內部包含兩只快恢復二極管,根據兩只二極管接法的不同,又有共陰對管、共陽對管之分。幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
       
      性能、參數比較
       
      下表列出了肖特基二極管和超快恢復二極管、快速恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。由表可見,硅高速開關二極管的trr雖極低,但平均整流電流很小,不能作大電流整流用。
       
      詳解肖特基、快恢復和超快恢復二極管的區別
       
      反向恢復時間
       
      什么是反向恢復時間?當外加二極管的電壓瞬間從正向轉到反向時,流經器件的電流并不能相應地瞬間從正向電流轉換為反向電流。此時,正向注入的少數載流子(空穴)被空間電荷區的強電場抽取,由于這些空穴的密度高于基區平衡空穴密度,因而在反向偏置瞬間,將產生一個遠大于反向漏電流的反向電流,即反向恢復電流IRM。與此同時,符合過程的強化也在加速這些額外載流子密度的下降,直到基區中積累的額外載流子的完全消失,反向電流才下降并穩定到反向漏電流。整個過程所經歷的時間為反向恢復時間。
       
      反向恢復時間trr的定義是:電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。
       
       
      區分肖特基二極管與快恢復二極管
      1、結構原理不同,肖特基二極管是貴重金屬和n型半導體結合成,快恢復二極管是普通pn結加了個薄基區。
       
      2、快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結構上有采用PN結型結構,有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長,后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。
       
      3、肖特基二極管反向擊穿電壓大多不高于60V,最高僅約100V,限制其使用,快恢復二極管反向峰值可以到幾百到幾千伏,因此像在開關電源變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管等只有使用快速恢復(UFRD)。
       
      4、肖特基正向導通壓降僅0.4V左,快回復二級館0.6伏, 總的來說,由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。快恢復二極管:有0.8-1.1V的正向導通壓降,35-85nS的反向恢復時間,在導通和截止之間迅速轉換,提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。
       
      詳解肖特基、快恢復和超快恢復二極管的區別
       
       
       
       
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