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      塑封工藝:微電子封裝的“保護(hù)鎧甲”與“成型魔術(shù)師”

      發(fā)布時(shí)間:2025-08-20 責(zé)任編輯:zoe

      【導(dǎo)讀】在智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等電子設(shè)備的核心部件中,芯片無(wú)疑是“大腦”,但這個(gè)“大腦”卻異常脆弱——微小的灰塵、潮濕的空氣、輕微的機(jī)械沖擊都可能導(dǎo)致其失效。為了讓芯片“堅(jiān)不可摧”,塑封工藝應(yīng)運(yùn)而生,它就像給芯片穿上一層“保護(hù)鎧甲”,不僅能隔絕外界環(huán)境的損害,還能提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度,便于后續(xù)貼片安裝。如今,塑封工藝已占據(jù)微電子封裝市場(chǎng)90%以上的份額,其中環(huán)氧模塑料(EMC)因耐高溫、耐化學(xué)腐蝕、機(jī)械強(qiáng)度高的特性,成為塑封材料的“絕對(duì)主流”。從芯片到成品,塑封工藝貫穿了微電子封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié),每一步都蘊(yùn)含著精密的技術(shù)與細(xì)節(jié)。


      一、塑封材料:熱塑性與熱固性的“終極選擇”

      塑封材料是塑封工藝的基礎(chǔ),其性能直接決定了芯片的可靠性。根據(jù)加工特性,塑封材料分為熱塑性塑料熱固性塑料兩大類(lèi):

      • 熱塑性塑料(如聚碳酸酯PC、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯PBT):具有可重復(fù)加工的特點(diǎn),加熱時(shí)融化,冷卻后固化,適合批量生產(chǎn)。但它的耐高溫性和機(jī)械強(qiáng)度較差,無(wú)法滿(mǎn)足芯片長(zhǎng)期工作的需求(芯片工作溫度可達(dá)80℃以上),因此僅用于低端電子元件(如電阻、電容)的封裝。

      • 熱固性塑料(如環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂):固化后形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),不可逆,具有出色的耐高溫性(可承受150℃以上的溫度)、耐化學(xué)腐蝕性(不易被酸堿侵蝕)和機(jī)械強(qiáng)度(比熱塑性塑料高2-3倍)。其中,環(huán)氧模塑料(EMC)因添加了二氧化硅填充劑(提高機(jī)械強(qiáng)度)、固化劑(促進(jìn)固化)、脫模劑(便于脫模)等成分,成為微電子封裝的“首選材料”,占據(jù)了90%以上的市場(chǎng)份額。

      為什么環(huán)氧模塑料能成為“主流”?舉個(gè)例子,手機(jī)中的芯片需要在高溫(充電時(shí)溫度可達(dá)60℃以上)、潮濕(雨天或手汗)的環(huán)境下工作,環(huán)氧模塑料能有效隔絕 moisture 和氧氣,防止芯片氧化;同時(shí),它的高機(jī)械強(qiáng)度能承受手機(jī)掉落時(shí)的沖擊,避免芯片開(kāi)裂。這些特性讓環(huán)氧模塑料成為芯片的“最佳保護(hù)者”。



      二、塑封成型:轉(zhuǎn)移與壓縮的“技術(shù)巔峰對(duì)決”

      塑封成型是將模塑料轉(zhuǎn)化為芯片“保護(hù)鎧甲”的關(guān)鍵步驟,目前主要有轉(zhuǎn)移成型壓縮成型兩種技術(shù),它們各有優(yōu)勢(shì),適用于不同的封裝場(chǎng)景:

      1. 轉(zhuǎn)移成型:效率與批量生產(chǎn)的“王者”

      轉(zhuǎn)移成型是微電子封裝中最常用的成型技術(shù),它整合了注塑和壓縮成型的優(yōu)點(diǎn),流程大致分為以下幾步:

      • 定位引線(xiàn)框架:將貼有芯片的引線(xiàn)框架(Chip-on-Lead,COL)準(zhǔn)確放入模具型腔中,確保芯片位置無(wú)誤;

      • 合模:模具閉合,形成密封的型腔;

      • 加入模塑料:將預(yù)熱至80-100℃的模塑料(呈粘稠狀)注入模具的澆道;

      • 預(yù)加熱與加壓:模具加熱至120-150℃,同時(shí)施加10-20MPa的壓力,讓模塑料填充整個(gè)型腔(包括芯片與引線(xiàn)之間的縫隙);

      • 固化:保持壓力和溫度,讓模塑料固化(約幾十秒),形成堅(jiān)硬的塑封體。

      轉(zhuǎn)移成型的優(yōu)點(diǎn)是成型快、效率高(每 cycle 僅需幾十秒),適合批量生產(chǎn)(如電阻、電容、普通IC等);但也存在利用率低、填充不均的缺點(diǎn)——模塑料需要填充澆道和澆口,導(dǎo)致材料利用率僅為70%左右;此外,若模塑料的流動(dòng)性不好,容易在芯片周?chē)纬蓺馀莼蚩障叮绊懕Wo(hù)效果。



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      2. 壓縮成型:薄型與大尺寸封裝的“專(zhuān)家”

      壓縮成型是一種更“直接”的成型技術(shù),它省去了澆道和澆口,直接將模塑料放入模具型腔中,流程為:

      • 放入模塑料:將模塑料(顆粒狀或片狀)直接放入模具型腔;

      • 合模與加熱:模具閉合,加熱至150-180℃,讓模塑料融化;

      • 加壓固化:施加5-10MPa的壓力,讓模塑料填充型腔,然后保持壓力直到固化(約幾分鐘)。

      壓縮成型的優(yōu)點(diǎn)是材料利用率高(可達(dá)90%以上)、填充均勻(無(wú)澆道和澆口,避免了材料流動(dòng)的阻力),特別適合薄型(如0.5mm以下的手機(jī)攝像頭模塊)和大尺寸(如100mm以上的服務(wù)器芯片)封裝。例如,手機(jī)的攝像頭模塊需要非常薄(否則會(huì)增加手機(jī)厚度),壓縮成型能讓模塑料均勻填充,形成薄而堅(jiān)硬的塑封體;服務(wù)器芯片尺寸大(如Intel的Xeon芯片),壓縮成型能避免轉(zhuǎn)移成型中常見(jiàn)的“填充不均”問(wèn)題,確保芯片整體受力均勻。不過(guò),壓縮成型的效率較低(每 cycle 需幾分鐘),適合小批量或高端產(chǎn)品的生產(chǎn)。


      成型對(duì)比q.jpg


      三、塑封后處理:固化與去溢料的“細(xì)節(jié)必修課”

      塑封成型后,產(chǎn)品還需要經(jīng)過(guò)固化處理去溢料兩個(gè)關(guān)鍵步驟,才能進(jìn)入下一步流程:

      1. 固化處理:讓模塑料“徹底變硬”

      塑封成型后的模塑料并未完全固化(僅固化了60%-70%),需要放入烘箱中進(jìn)行二次固化(Post Molding Cure,PMC)。固化條件通常為150-180℃,持續(xù)2-4小時(shí),其作用有兩個(gè):

      • 充分固化:讓模塑料的分子鏈完全交聯(lián),形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),提高機(jī)械強(qiáng)度和耐高溫性;

      • 消除內(nèi)應(yīng)力:成型過(guò)程中,模塑料的溫度變化會(huì)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力(如冷卻時(shí)收縮不均),二次固化能釋放這些應(yīng)力,避免塑封體開(kāi)裂。

      若固化不充分,模塑料會(huì)比較脆,容易在后續(xù)的切筋成型中開(kāi)裂;若固化過(guò)度,模塑料會(huì)變脆,同樣影響可靠性。因此,固化溫度和時(shí)間的控制非常關(guān)鍵,需要根據(jù)模塑料的型號(hào)(如環(huán)氧模塑料的固化溫度通常為175℃)進(jìn)行調(diào)整。

      2. 去溢料:讓產(chǎn)品“煥然一新”

      塑封成型時(shí),模塑料會(huì)溢出到模具的縫隙中(如引線(xiàn)之間的小縫隙),形成溢料(Flash)。溢料會(huì)影響后續(xù)的電鍍和引腳成型,必須去除。目前,去溢料的方法主要有以下幾種:

      • 機(jī)械噴砂:用高壓沙子(或氧化鋁顆粒)噴擊產(chǎn)品表面,將溢料打掉。這種方法適合簡(jiǎn)單形狀的產(chǎn)品(如電阻、電容),但可能會(huì)損傷產(chǎn)品表面的鍍層(如錫層),影響可焊性;

      • 堿性電解法:將產(chǎn)品放入堿性溶液(如氫氧化鈉溶液)中,通電,讓溢料(主要成分為環(huán)氧樹(shù)脂)被電解掉。這種方法環(huán)保(無(wú)粉塵),適合復(fù)雜形狀的產(chǎn)品(如QFP封裝,引腳之間的溢料很難用機(jī)械方法去掉),但對(duì)模塑料的腐蝕性較強(qiáng),需要控制電解時(shí)間;

      • 激光去溢料:用激光(如CO?激光)照射溢料,將其燒掉。這種方法精度高(可以去掉0.1mm以下的溢料),適合高端封裝(如BGA、CSP),因?yàn)檫@些產(chǎn)品的引腳密度高(如BGA的引腳在底部,數(shù)量可達(dá)數(shù)百個(gè)),溢料容易導(dǎo)致短路。激光去溢料不會(huì)損傷引腳,是目前最先進(jìn)的去溢料技術(shù),但成本較高(激光設(shè)備價(jià)格昂貴)。



      四、電鍍與退火:提升性能的“雙重保險(xiǎn)”

      塑封后的產(chǎn)品需要進(jìn)行電鍍退火處理,以提高引線(xiàn)框架的可焊性和導(dǎo)電性,同時(shí)抑制錫須生長(zhǎng)(短路的“隱形殺手”):

      1. 電鍍:讓引線(xiàn)“更易焊接”

      引線(xiàn)框架的材料是銅(導(dǎo)電性好),但銅容易氧化(氧化后表面會(huì)形成氧化銅,焊錫無(wú)法粘上去)。因此,需要在引線(xiàn)框架表面電鍍一層可焊性金屬(如錫、錫銀銅合金),其作用有兩個(gè):

      • 提高可焊性:錫層的表面張力小,焊錫容易潤(rùn)濕,便于后續(xù)的貼片安裝(如SMT貼片);

      • 提高導(dǎo)電性:錫的導(dǎo)電性比銅差,但電鍍層很薄(約5-10μm),不會(huì)影響整體導(dǎo)電性。

      目前,無(wú)鉛電鍍是趨勢(shì)(歐盟的RoHS指令禁止使用含鉛的電子元件),常用的無(wú)鉛鍍層有錫銀銅合金(Sn-3Ag-0.5Cu)、錫鉍合金(Sn-58Bi)等。錫銀銅合金的熔點(diǎn)(217℃)比純錫(232℃)低,更適合SMT貼片(回流焊溫度通常為240℃左右);同時(shí),它的機(jī)械強(qiáng)度比純錫高,能承受更多的插拔次數(shù)(如USB接口的連接器)。

      2. 退火:抑制錫須“生長(zhǎng)”

      電鍍后的錫層容易生成錫須(Tin Whisker)——一種細(xì)長(zhǎng)的錫結(jié)晶(長(zhǎng)度可達(dá)1mm以上)。錫須會(huì)導(dǎo)致相鄰引腳之間短路(如手機(jī)中的芯片,引腳間距僅0.5mm,錫須長(zhǎng)到0.5mm就會(huì)短路),是電子設(shè)備死機(jī)的“隱形殺手”。

      為了抑制錫須生長(zhǎng),需要進(jìn)行退火處理(Annealing):將電鍍后的產(chǎn)品放在烘箱中,在120-150℃下烤1-2小時(shí)。退火的原理是讓錫層的晶粒長(zhǎng)大(晶粒尺寸從1-2μm長(zhǎng)大到5-10μm),減少晶界(錫須通常從晶界處生長(zhǎng)),從而降低錫須生成的概率。此外,還有其他抑制錫須的方法,如鍍霧錫(錫層表面有細(xì)小的顆粒,減少晶界)、添加有機(jī)金屬添加劑(如鉍,阻止錫原子擴(kuò)散)、鎳層阻擋(在銅和錫之間鍍一層鎳,阻止銅擴(kuò)散到錫層里,減少錫須生成的動(dòng)力)。



      五、切筋成型:從“毛坯”到“成品”的最后一步

      切筋成型是塑封工藝的最后一步,將引線(xiàn)框架上的“毛坯”(多個(gè)芯片連在一起)變成“成品”(單個(gè)芯片),流程分為切筋引腳成型兩步:

      1. 切筋:把芯片“分開(kāi)”

      引線(xiàn)框架上的芯片是連在一起的(通過(guò)筋條連接),需要用切筋模具(Trim Die)把多余的筋條切掉。切筋的原理是用沖床(壓力可達(dá)100-200噸)將筋條沖斷,留下單個(gè)芯片。切筋的精度要求很高(誤差需小于0.1mm),否則會(huì)導(dǎo)致引腳變形(如引腳彎曲)。

      2. 引腳成型:把引腳“彎成需要的形狀”

      切筋后的芯片引腳是直的,需要根據(jù)封裝形式(如SOP、QFP、BGA)進(jìn)行引腳成型(Forming)。例如,SOP(小外形封裝)的引腳是“L”形(貼在PCB表面),QFP( quad flat package)的引腳是“J”形(插入PCB的孔中),BGA(球柵陣列)的引腳是“球”形(在芯片底部)。引腳成型的方法有沖床成型(用模具把引腳彎成需要的形狀)、機(jī)器人成型(用機(jī)器人手臂彎曲引腳,精度更高)等。

      隨著封裝技術(shù)的進(jìn)步,切筋成型工藝也在不斷發(fā)展:

      • 激光切筋:用激光(如光纖激光)切掉筋條,精度更高(誤差小于0.05mm),適合高端封裝(如BGA);

      • 3D引腳成型:用機(jī)器人進(jìn)行三維引腳成型(如手機(jī)的連接器,引腳需要彎成“Z”形),提高效率和一致性;

      • 在線(xiàn)檢測(cè):用AOI(自動(dòng)光學(xué)檢測(cè))設(shè)備實(shí)時(shí)檢測(cè)切筋成型后的產(chǎn)品(如引腳變形、裂紋),確保產(chǎn)品質(zhì)量。



      結(jié)語(yǔ):塑封工藝——微電子封裝的“基石”

      從材料選擇到成型,再到后處理,塑封工藝的每一步都蘊(yùn)含著精密的技術(shù)與細(xì)節(jié)。它不僅是芯片的“保護(hù)鎧甲”,更是芯片“成型的魔術(shù)師”——將脆弱的芯片變成能承受各種環(huán)境考驗(yàn)的成品。隨著封裝技術(shù)的進(jìn)步(如扇出型封裝、3D封裝),塑封工藝也在不斷創(chuàng)新:比如用更薄的模塑料(如0.1mm以下的扇出型封裝)、更精確的成型方法(如壓縮成型用于3D封裝)、更環(huán)保的后處理工藝(如激光去溢料),以適應(yīng)更高的要求(如更薄、更小、更高密度的封裝)。

      塑封工藝作為微電子封裝的關(guān)鍵步驟,將繼續(xù)發(fā)揮重要作用,保護(hù)芯片,提高性能,讓我們的電子設(shè)備更可靠、更先進(jìn)。無(wú)論是智能手機(jī)中的芯片,還是服務(wù)器中的CPU,都離不開(kāi)塑封工藝的“守護(hù)”——它是微電子產(chǎn)業(yè)的“基石”,也是我們?nèi)粘I钪小翱床灰?jiàn)的英雄”。



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