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能源電力

光伏陣列保護(hù)用熔斷器的選擇分析

光伏(solar photovoltaic,簡(jiǎn)稱(chēng)PV)發(fā)電系統(tǒng)是由能把入射的光能直接轉(zhuǎn)換為電能的部件和子系統(tǒng)構(gòu)成。其中的光伏陣列是將入射的太陽(yáng)輻射直接轉(zhuǎn)化為直流電能的單元，太陽(yáng)能板組成的陣列和光伏陣列連接箱連接，光伏電流經(jīng)連接箱匯流后輸出到逆變或直接應(yīng)用環(huán)節(jié)。光伏發(fā)電系統(tǒng)約有70%的成本在光伏太陽(yáng)能板...

2011-01-10

熔斷器太陽(yáng)能光伏發(fā)電

今年高亮度LED產(chǎn)值估增53%

DIGITIMES指出，全球高亮度LED市場(chǎng)規(guī)模在2010年達(dá)到82.5億美元，預(yù)期到2011年產(chǎn)值將成長(zhǎng)至126億美元，年成長(zhǎng)率估達(dá)53%。預(yù)估2012年、2013年全球高亮度LED產(chǎn)值，更將分別達(dá)到168億美元、219億美元，年增率分別仍將達(dá)30%以上。

2011-01-10

高亮度LED 政策補(bǔ)貼 MOCVD

機(jī)頂盒市場(chǎng)發(fā)展能效標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)鍵

雖然機(jī)頂盒整體功率并不高，但由于消費(fèi)快速增長(zhǎng)，機(jī)頂盒的耗能狀況不可忽視。當(dāng)前，機(jī)頂盒產(chǎn)品主要包括有線(xiàn)產(chǎn)品、衛(wèi)星產(chǎn)品、地面產(chǎn)品和IP產(chǎn)品。美國(guó)的 “能源之星”和歐盟EuP指令實(shí)施要求均涵蓋了上述產(chǎn)品。但在中國(guó)，IP數(shù)字電視接收器數(shù)量極少，所以經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)起草人員的討論后，機(jī)頂盒能效標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品...

2011-01-10

機(jī)頂盒能效標(biāo)準(zhǔn)

智能電網(wǎng)：蛋糕慢慢變大設(shè)備供應(yīng)商最受益

根據(jù)國(guó)家電網(wǎng)規(guī)劃，2009年至2010年是智能電網(wǎng)規(guī)劃試點(diǎn)階段，“十二五”智能電網(wǎng)將進(jìn)入全面建設(shè)階段。“十二五”期間，國(guó)網(wǎng)和南網(wǎng)電網(wǎng)投資將大幅增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)年均將超過(guò)4000億元，總量超過(guò)2萬(wàn)億元。一次設(shè)備供應(yīng)商將顯著受益……

2011-01-10

智能電網(wǎng) 設(shè)備供應(yīng) 輸電

2010年接線(xiàn)端子市場(chǎng)回顧

接線(xiàn)端子通常指由銅材等沖制而成的連接器接觸件。端子是連接電氣線(xiàn)路的常用元件，主要在器件與組件、組件與機(jī)柜、系統(tǒng)與子系統(tǒng)之間起電連接和信號(hào)傳遞的作用，并且盡量保持系統(tǒng)與系統(tǒng)之間不發(fā)生信號(hào)失真和能量損失的變化。

2011-01-07

接線(xiàn)端子連接器元件

2011年美國(guó)在太陽(yáng)能市場(chǎng)將扮演重要角色

在美國(guó)中央、政府延長(zhǎng)或推出補(bǔ)助、獎(jiǎng)勵(lì)政策的情況下，Wang認(rèn)為2011年美國(guó)太陽(yáng)能市場(chǎng)不但發(fā)展可因此加快，在全球太陽(yáng)能市場(chǎng)當(dāng)中的角色也將越加吃重。比方說(shuō)在補(bǔ)助太陽(yáng)能設(shè)備安裝成本達(dá)3成的獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃延長(zhǎng)至12月31日后，美國(guó)不少公司都搶著在此之前開(kāi)始安裝。除以計(jì)劃鼓勵(lì)民間投資太陽(yáng)能設(shè)備外，美國(guó)地...

2011-01-07

美國(guó) 太陽(yáng)能能源

2011第十屆大連國(guó)際電子設(shè)備、電子元器件工業(yè)展覽會(huì)

2011-01-06

2011第十屆大連國(guó)際電子設(shè)備、電子元器件工業(yè)展覽會(huì)

如何正確的選擇MOSFET

MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)來(lái)選擇正確的MOSFET。

2011-01-06

MOSFET 溝道開(kāi)關(guān)性能額定電流選擇

臺(tái)系太陽(yáng)能電池廠(chǎng)仿效大陸廠(chǎng)商

臺(tái)灣太陽(yáng)能電池廠(chǎng)近來(lái)面臨電池跌價(jià)壓力，營(yíng)收獲利表現(xiàn)開(kāi)始滑落。另一方面，臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)界的垂直整合風(fēng)潮卻愈演愈烈，無(wú)論是電池廠(chǎng)跨入上游硅片、擴(kuò)大下游模組廠(chǎng)，還是硅片廠(chǎng)涉足電池制造，無(wú)非都想在2010年產(chǎn)能大舉擴(kuò)充后，在2011年可預(yù)見(jiàn)的價(jià)格戰(zhàn)中，取得最佳的競(jìng)爭(zhēng)定位。

2011-01-06

太陽(yáng)能電池跌價(jià)壓力

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