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      霍爾元件應(yīng)用

      發(fā)布時間:2010-06-10

      中心議題:
      • 霍爾元件工作原理
      • 霍爾元件供電方案
      解決方案:
      • 材料性質(zhì)與霍爾系數(shù)乘以電子移動度之積之平方根成正比
      • 材料之形狀與厚度之平方根之倒數(shù)成正比

      霍爾元件之作用原理也就是霍爾效應(yīng),所謂霍耳效應(yīng)如圖1所示,系指將電流I通至一物質(zhì),并對與電流成正角之方向施加磁場B時,在電流與磁場兩者之直角方向所產(chǎn)生的電位差V之現(xiàn)象。此電壓是在下列情況下所產(chǎn)生的,有磁場B時,由于弗萊銘(Fleming)左手定則,使洛仁子力(即可使流過物質(zhì)中之電子或正孔向箭頭符號所示之方向彎曲的力量:(Lorentzforce)發(fā)生作用,而將電子或正孔擠向固定輸出端子之一面時所產(chǎn)生。電位差V之大小通常決定于洛仁子力與藉所發(fā)生之電位差而將電
      子或正孔推回之力(亦即前者之力等于后者之力),而且與電流I乘以磁場B之積成比例。比例常數(shù)為決定于物質(zhì)之霍耳常數(shù)除以物質(zhì)在磁場方向之厚度所得之值。


      圖1霍爾組件之原理

      在平板半導(dǎo)體介質(zhì)中,電子移動(有電場)的方向,將因磁力的作用(有磁場),而改變電子行進的方向。若電場與磁場互相垂直時,其傳導(dǎo)的載子(電子或電洞),將集中于平板的上下兩邊,因而形成電位差存在的現(xiàn)象。該電位差即霍爾電壓(霍爾電壓)在實際的霍爾組件中,一般使用物質(zhì)中之電流載子為電子的N型半導(dǎo)體材料。將一定之輸入施加至霍爾組件時之輸出電壓,利用上述之關(guān)系予以分析時,可以獲致下列的結(jié)論:

      (1)材料性質(zhì)與霍爾系數(shù)乘以電子移動度之積之平方根成正比。
      (2)材料之形狀與厚度之平方根之倒數(shù)成正比。

      由于上述關(guān)系,實際的霍爾組件中,可將霍爾系數(shù)及電子移動度大的材料加工成薄的十字形予以制成。

      圖2系表示3~5端子之霍爾組件的使用方法,在三端子霍爾元件之輸出可以產(chǎn)生輸入端子電壓之大致一半與輸出信號電壓之和的電壓,而在四端子及五端子霍爾組件中,在原理上雖然可以免除輸入端子電壓的影響,但實際上即使在無磁場時,也有起因于組件形狀之不平衡等因素之不平衡電壓存在。


      (a)3腳組件(b)4腳組件(c)5腳組件

      圖2霍爾組件使用方法
      [page]
      種類及接法

      構(gòu)造:
      無鐵心型
      鐵心型
      測試用探針霍爾集成電路

      接法:
      三端子組件
      四端子組件
      五端子組件

      用途

      霍爾組件有下列三種用法:

      (A)事先使一定電流流過霍爾組件,用以檢出磁場或變換成磁場的其它物理量的方法。

      (B)利用組件的電流、磁場及作為其變量的該兩種量的乘法作用的方法。

      (C)利用非相反性(即在一定磁場中,使與輸入端子通以電流時所得的輸出同方向的電流流過輸出端子時,在輸入端子會產(chǎn)生與最初的電壓反方向的霍爾電壓的現(xiàn)象)的方法。上述各種使用方法的具體例參照前述磁電變換組件的用途的項所述。在這些具體例中,有不少在組件的靈敏度及溫度特性上,霍爾組件形成1匝(Turn)的線圈有妨礙而難以符合實用。但利用霍爾探針測定磁場因?qū)儆诒容^簡便的用法,已經(jīng)定型,另外例如無電刷馬達(霍爾馬達)開關(guān)等也逐漸進入實用的階段,磁頭的制造也有人嘗試過。

      霍爾元件供電


      圖3定電壓驅(qū)動之一

      圖4定電壓驅(qū)動之二

      圖5定電流驅(qū)動之一[page]

      圖6定電流驅(qū)動之二

      圖7霍爾傳感器不平衡調(diào)整方法

      在一個結(jié)晶片中形成有霍爾組件及放大并控制其輸出電壓的電路而具有磁場─電氣變換機能的固態(tài)組件稱為霍爾集成電路。

      外觀構(gòu)造

      如圖2-19所示,具有與樹脂封閉型晶體管、集成電路等相同的構(gòu)造,即多半呈現(xiàn)在大小5mm見方、厚3mm以下的角形或長方形板狀組件上附設(shè)四根導(dǎo)線的構(gòu)造。導(dǎo)線系由金屬薄片所形成,各個金屬薄片上均附有半導(dǎo)體結(jié)晶片(通常為硅芯片),而在結(jié)晶體中利用集成電路技術(shù)形成有霍爾組件及信號處理電路。為防止整個組件性能的劣化,通常利用樹脂加以封閉,另外為了使磁場的施加容易起見,其厚度也盡量減薄。


      圖8霍爾集成電路的構(gòu)造

      作用原理

      磁場強度可利用形成在結(jié)晶片的一部份的霍爾組件變換成電氣信號(參照前述霍爾組件的作用原理)。結(jié)晶通常使用半導(dǎo)體硅,霍爾組件的磁場靈敏度為10~20mV/K.Oe。此信號經(jīng)形成在同一結(jié)晶中的信號處理電路放大后,作為適合所定目的的信號電壓被取出。通常四根導(dǎo)線中的兩根連接于一方接地的電源,而從剩下的兩根的一根取出正極性的信號電壓,并從另一根取出負極性的信號電壓?;魻柦M件的輸入電阻通常需符合信號處理電路的電源,以便可利用定電壓使用霍爾組件。此時組件的輸出電壓不管在N型或P型均無大差異。又因輸出電壓與電子或正孔的移動度成正比,故溫度特性也應(yīng)該盡量保持一定,這是與單體霍爾組件不同的地方。

      種類:

      依輸出信號的性質(zhì)加以分類時如表1所示。如圖9所示,線性型(Lineartype)霍爾集成電路可以獲得與磁場強度成正比的輸出電壓。磁場靈敏度雖然可利用電路的放大度加以調(diào)節(jié),但在高靈敏度時,比例范圍會變窄(雖電源5V使靈敏度達到10mV/Oe,但比例范圍在500Oe以下)。


      表1依輸出電壓分類時的種類

      (a)線性型(b)開關(guān)型
      圖9霍爾集成電路的輸出特性
      [page]
      開關(guān)型霍爾集成電路可在一定范圍的磁場中獲得ON-OFF的電壓,此開關(guān)型對磁場的磁滯(Hysteresis)現(xiàn)象,乃是為使開關(guān)動作更為霍爾集成電路線性型確實起見而故意如此設(shè)計的。

      依照制造方法加以分類時如表2所示,但任何一種制造方法雖然均可獲得同樣的特性,在現(xiàn)階段中,雙極性型霍爾集成電路已開始進入商品化的階段。


      表2依制造方法分類時的種類

      用途

      霍爾集成電路通常使用于前述磁電變換組件的項所述的(A-1)、(A-2)范圍的用途,在這些用途的中,特別像開關(guān)那樣,以磁氣為媒介將位置的變化、速度、回轉(zhuǎn)等的物理量變換為電氣量時,使用起來非常簡單。使用霍爾集成電路的開關(guān)系如圖2-21所示,這種開關(guān)具有:(1)無震動(Chattering),(2)不生雜音,(3)使用壽命長,可靠度高,(4)響應(yīng)速度快等特征,已經(jīng)實際被使用作為高級的鍵盤用開關(guān)。


      圖10使用霍爾集成電路的開關(guān)

      圖11是A44E集成霍耳開關(guān),A44E集成霍耳開關(guān)由穩(wěn)壓器A、霍耳電勢發(fā)生器(即硅霍耳片)(mT)、差分放大器C、施密特觸發(fā)器D和OC門輸出E五個基本部分組成,如圖12(a)所示。(1)、(2)、(3)代表集成霍耳開關(guān)的三個引出端點。在輸入端輸入電壓VCC,經(jīng)穩(wěn)壓器穩(wěn)壓后加在霍耳電勢發(fā)生器的兩端,根據(jù)霍耳效應(yīng)原理,當霍耳片處在磁場中時,在垂直于磁場的方向通以電流,則與這二者相垂直的方向上將會產(chǎn)生霍耳電勢差HV輸出,該HV信號經(jīng)放大器放大后送至施密特觸發(fā)器整形,使其成為方波輸送到OC門輸出。

      當施加的磁場達到工作點(即BOP)時,觸發(fā)器輸出高電壓(相對于地電位),使三極管導(dǎo)通,此時OC門輸出端輸出低電壓,通常稱這種狀態(tài)為開。當施加的磁場達到釋放點(即BrP)時,觸發(fā)器輸出低電壓,三極管截止,使OC門輸出高電壓,這種狀態(tài)為關(guān)。這樣兩次電壓變換,使霍耳開關(guān)完成了一次開關(guān)動作。BOP與BrP的差值一定,此差值BH=BOP-BrP稱為磁滯,在此差值內(nèi),V0保持不變,因而使開關(guān)輸出穩(wěn)定可靠,這也就是集電成霍耳開關(guān)傳感器優(yōu)良特性之一。


      圖11A44E集成開關(guān)型霍耳傳感器原理圖

      圖12A44E集成開關(guān)型霍耳傳感器引腳圖


      霍爾轉(zhuǎn)速傳感器應(yīng)用電路
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