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      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道

      發(fā)布時(shí)間:2021-04-27 責(zé)任編輯:lina

      【導(dǎo)讀】2021年開局至今,整個(gè)存儲行業(yè)可以用“兇猛”來形容,漲價(jià)兇猛、缺貨兇猛。受供應(yīng)鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費(fèi)用大幅上漲、投產(chǎn)周期延長等因素影響,導(dǎo)致產(chǎn)品成本大幅上升,不少芯片企業(yè)紛紛發(fā)出漲價(jià)通告。
        
      2021年開局至今,整個(gè)存儲行業(yè)可以用“兇猛”來形容,漲價(jià)兇猛、缺貨兇猛。受供應(yīng)鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費(fèi)用大幅上漲、投產(chǎn)周期延長等因素影響,導(dǎo)致產(chǎn)品成本大幅上升,不少芯片企業(yè)紛紛發(fā)出漲價(jià)通告。
       
      目前,存儲行業(yè)的高景氣度現(xiàn)象持續(xù)爆發(fā),產(chǎn)業(yè)普遍出現(xiàn)超額下單情況,甚至競標(biāo)得晶圓產(chǎn)能等。未來,存儲市場走勢如何,持續(xù)多久,讓我們靜觀其變。
       
      話不多說,先來一覽存儲大廠最新市場動(dòng)向。
       
      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道
       
      :三星在2021年仍保持相當(dāng)積極的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃,而西安的晶圓二廠便是其中重點(diǎn)。三星轉(zhuǎn)移到128L的過程有些延遲,但在2021年的主力仍是92L堆棧工藝。
       
      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道
       
      :KIOXIA和Western Digital宣布,已經(jīng)共同開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。96L BiCS4的堆迭工藝將成為Western Digital今年制造NAND Flash的主要技術(shù)。
       
      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道
       
      :SK海力士也持續(xù)積極提高NAND Flash堆棧的層數(shù)。2021年起也有望開始量產(chǎn)176L的產(chǎn)品。
       
      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道
       
      :目前鎂光主要的堆棧制程仍為96L,2021上半年將加速轉(zhuǎn)移到176L;因此美光也將128L制程視為是臨時(shí)過渡期技術(shù)。
       
      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道
       
      :目前KIOXIA大部分的NAND Flash產(chǎn)品仍采用96L BiCS4的制程生產(chǎn)。展望未來,KIOXIA計(jì)劃今年要提高112L BiCS5產(chǎn)品的出貨量。
       
      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道
       
      :Intel計(jì)劃直接從64L制程升級到144L。此外,即使Intel仍在開發(fā)TLC產(chǎn)品,其產(chǎn)品組合也會傾向于QLC架構(gòu)。
       
      【4月產(chǎn)業(yè)新訊】存儲行業(yè)市場動(dòng)向早知道
       
      閃存2020-2021年供給/滿足率
       
      滿足率: 供給至Q2底仍將不足
       
      庫存: 低于正常水位
       
      價(jià)格趨勢: 256Gb TLC合約價(jià)至2021年底將維持上漲態(tài)勢 
       
      控制器與被動(dòng)組件: 2021整年將持續(xù)短缺,臺積電刪減了更多給控制器廠商的晶圓供應(yīng)
       
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      依應(yīng)用分析全球NAND Flash需求比重
       
      依應(yīng)用分析2021 Q2 NAND Flash需求比重,前三名為: 
       
      Top 1:手持式裝置
      Top 2:PC用SSD
      Top 3:企業(yè)級SSD  
       
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      2020-2021年DDR4價(jià)格趨勢
       
      內(nèi)存滿足率: 供不應(yīng)求  
      庫存: 緊張
      價(jià)格趨勢: 持續(xù)上漲
       
      由于DRAM IC供不應(yīng)求,價(jià)格自2021年Q1就開始上漲,且將持續(xù)到2021年底。
       
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      關(guān)于工業(yè)級5G應(yīng)用
       
      與4G相比,5G技術(shù)擁有超高傳輸速度與超低延遲的優(yōu)勢,可加速各項(xiàng)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的發(fā)展,包括5G基礎(chǔ)建設(shè)(基站)、邊緣計(jì)算、云服務(wù)、AI人工智能(深度學(xué)習(xí))、智慧工廠、車載應(yīng)用、醫(yī)療照護(hù)等領(lǐng)域。
       
      為滿足不同5G裝置的存儲與運(yùn)算需求,威剛提供一系列規(guī)格完整的工業(yè)級Flash存儲產(chǎn)品(SSD、DOM、記憶卡、嵌入式存儲卡),以及DDR4內(nèi)存。
       
      除了性能優(yōu)異,還支持多項(xiàng)技術(shù),如威剛獨(dú)家開發(fā)的A+SLC技術(shù)、PLP(斷電保護(hù))、抗硫化、耐寬溫(-40ºC至85ºC),確保產(chǎn)品耐用性及傳輸穩(wěn)定性。
       
      此外,威剛還有專業(yè)的軟件與固件研發(fā)團(tuán)隊(duì),能根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化服務(wù),量身打造理想的解決方案。
       
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      5G應(yīng)用 – 閃存解決方案推薦
       
      閃存重點(diǎn)技術(shù)
       
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      威剛閃存解決方案
       
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      5G應(yīng)用 – 內(nèi)存解決方案推薦
       
      內(nèi)存重點(diǎn)技術(shù)
       
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      威剛內(nèi)存解決方案
       
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