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安防監(jiān)控

陶瓷氣體放電管選型指南

2012-05-24

陶瓷氣體放電管選型指南

瞬態(tài)電壓抑制二極管選型指南

TVS 是一種快速抑制浪涌過電壓的瞬態(tài)電壓抑制二極管保護元件，它也被稱作TVP 或ABD。它能以皮秒級響應(yīng)速度將浪涌過電壓限制箝位到一個安全的電壓范圍內(nèi)，以保護后面電路不受損壞。

2012-05-24

瞬態(tài)電壓抑制二極管 TVS

HOMSEMI MOSFET基于100KHz逆變焊機的應(yīng)用評測

早期的逆變焊機中功率開關(guān)器件采用晶閘管，逆變頻率為2--3KHz，變壓器鐵心采用硅鋼片，重量較大。本逆變焊機采用成啟半導體大功率MOSFET HS20N50，逆變頻率在100KHz以上，可以對熔滴過渡實現(xiàn)精細控制。

2012-05-23

逆變焊機成啟半導體 MOSFET HS20N50 HOMSEMI

Lumex發(fā)布最新的QuasarBrite高溫表面組裝段數(shù)字LED顯示器技術(shù)

PALATINE, IL –Lumex 在全球發(fā)行其最新的 QuasarBrite 高溫表面組裝 (SMD) 七段數(shù)字 LED 顯示器技術(shù)，該技術(shù)能夠提供在市場主導的溫度范圍內(nèi)（可高達105°C）的明亮清晰的顯示性能。作為能夠與無鉛錫焊相容的表面組裝技術(shù)，該技術(shù)不需要金屬化孔顯示器要求的額外焊接步驟，節(jié)省時間并減少要求的體力...

2012-05-23

LED 顯示器監(jiān)護儀顯示器

君耀電子半導體放電管選型指南

TSS 晶閘體半導體放電管是一種并聯(lián)于線路中的開關(guān)型過壓保護器件,平時處于開路狀態(tài)，一當有異常的過電壓脈沖，達到其擊穿電壓時，會迅速的由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，會把瞬間的浪涌電流旁路而泄放掉，由于負阻的效應(yīng)，而此時二端的電壓小于4V 以下，一當異常電壓消失，立即恢復到高阻狀態(tài)。

2012-05-23

君耀電子半導體放電管

本土分銷商轉(zhuǎn)型應(yīng)選擇適合的渠道模式

近年來，一方面國際分銷商在國內(nèi)業(yè)務(wù)的滲透給本土分銷商帶來了直接競爭；另一方面，受行業(yè)分銷利潤趨薄、成本的上升，讓本土分銷商不得不調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)和方向，向增值服務(wù)“轉(zhuǎn)型”達到既為保證客戶滿意、下游渠道商滿意，還要保證公司的利潤空間。

2012-05-23

分銷商渠道模式

Green Star Green World 中電華星<br/> — 致力于為新能源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案

Green Star Green World 中電華星
— 致力于為新能源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案

長期以來，中電華星一直致力于為電源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案。在與電力電子及相關(guān)行業(yè)長期合作中，針對新能源行業(yè)深入調(diào)查和研究，現(xiàn)將各類新能源產(chǎn)品測試方案提供給大家，給力新能源產(chǎn)業(yè)，共建綠地球。

2012-05-22

中電華星新能源測試系統(tǒng)

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導通損耗降低20%

美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。

2012-05-21

IGBT Power MOS 8 Microsemi

美國Molycorp CEO：通過“鳳凰計劃”逐步增加美國稀土產(chǎn)量

稀土在生產(chǎn)高科技產(chǎn)品、可再生能源發(fā)電裝置及電動汽車（EV）等時不可或缺，其關(guān)注度正不斷提高。有關(guān)中國稀土產(chǎn)量占全球一半以上、過度依賴中國存在風險之類討論一直不斷。隨著稀土價格不斷上漲，中國以外其他產(chǎn)地的稀土開發(fā)越來越活躍。關(guān)于現(xiàn)狀及今后的預(yù)測，中國外全球最大稀土開采商美國Molyco...

2012-05-21

稀土 EV Molycorp

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