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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創新技術，配合優異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創新技術，配合優異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調查" LED企業上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業即半導體照明企業，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區企業)。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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我國遭美"337調查" LED企業上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業即半導體照明企業，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區企業)。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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我國遭美"337調查" LED企業上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業即半導體照明企業，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區企業)。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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LY530AL：ST超小型GPS應用MEMS陀螺儀
通過提供可選的模擬或數字角速率絕對值輸出，意法半導體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設計靈活性，簡化集成難度，并節省外部元器件。全程量可測角速率高達每秒+/-300度，在直觀人機界面或增強型汽車導航GPS等應用中，意法半導體的全新陀螺儀可測量快速角位移。
2008-09-12
LY530AL MEMS陀螺儀
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中能打破多晶硅技術壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發布了一則令全球光伏行業為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協鑫硅業(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業務主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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