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通信廣電

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開(kāi)關(guān)

Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個(gè)連接器實(shí)現(xiàn)高性能的切換。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開(kāi)關(guān)

SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子

SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子

TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類(lèi)電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14

TR8 MicroTan鉭芯片電容

STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列

意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源

STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源

ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車(chē)精密薄膜芯片電阻陣列

日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車(chē)精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過(guò)AEC-Q200測(cè)試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對(duì)溫度和濕度的新要求，同時(shí)可為工業(yè)、電信及消費(fèi)電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。

2008-05-09

ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列

VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED

為滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的對(duì)AlInGaP技術(shù)的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強(qiáng)度和低功耗的特點(diǎn)。

2008-05-09

VLRE31 VLRK31 LED

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