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      TK系列:Toshiba推出高性能功率MOSFET

      發(fā)布時間:2010-04-01 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

      產(chǎn)品特性TK系列
      • 應(yīng)用工作電壓高達650V,電流20A
      • 采用完全隔離的TO220SIS封裝和普通的TO-3P(N)封裝
      應(yīng)用范圍:
      • 各種新和新興電源應(yīng)用
      • 包括功率因數(shù)校正設(shè)計和照明用鎮(zhèn)流器

      Toshiba推出新系列的功率MOSFET,這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度,應(yīng)用工作電壓高達650V,電流20A。新的TK系列器件適合用于各種新和新興電源應(yīng)用中,包括功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計和照明用鎮(zhèn)流器。

      Toshiba的TK系列MOSFET采用完全隔離的TO220SIS封裝和普通的TO-3P(N)封裝。兩種封裝的大小分別為10mmx15mmx4.5mm和15.9mmx20mmx5mm。所有TO220SIS器件具有Toshiba的‘Warp’封裝,使用銅連接器而不是金屬線連接。這就降低了內(nèi)部連接的電阻,改善散熱并支持處理更高電流。


      新系列產(chǎn)品中提供的電壓選擇為450V,500V,525V,550V,600V和650V,漏極電流為2A~20A。RDS(ON)額定值為從5?低至僅0.27?。
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