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硅振蕩器應(yīng)用

發(fā)布時間:2010-05-28

中心議題:
  • 振蕩器與晶體或陶瓷諧振器的比較
  • 硅振蕩器的應(yīng)用實例
解決方案:
  • 有獨特的內(nèi)部RC時間常數(shù)
  • 沒有裸露在外的高阻抗節(jié)點
  • 不需要附加定時元件

對于大多數(shù)微控制器的時鐘要求而言,硅振蕩器是一種簡單而有效的解決方案。與晶體和陶瓷諧振器不同的是,硅定時器件對于振動、沖擊和電磁干擾(EMI不敏感。此外,硅振蕩器不需要精心匹配定時元件或嚴格的電路板布線。

在實際應(yīng)用中,除了一些環(huán)境因素外,時鐘源的選擇標準通常依據(jù)四個基本條件:精度、供電電壓、尺寸和噪聲。精度需求通常取決于特定應(yīng)用所采用的通信標準。例如,高速USB需要±0.25%的總體時鐘精度。相比之下,無需外部通信的系統(tǒng)可能只需5%、10%、甚至20%的時鐘源精度便能很好地工作。

硅振蕩器與晶體或陶瓷諧振器的比較

微控制器時鐘的供電電壓典型范圍是1V至5.5V,而硅振蕩器典型的供電電壓范圍為2.4V至5.5V。

時鐘噪聲受許多因素的影響,包括放大器的噪聲、電源噪聲、線路板布線、以及振蕩元件固有的噪聲抑制特性等(或品質(zhì)因數(shù)“Q”)。晶體的Q值很高,一般而言產(chǎn)生的噪聲最小,特別適合用于要求低基帶噪聲的系統(tǒng)中,例如音頻CODEC。

然而,硅振蕩器占據(jù)的空間最小,而且不需要附加的定時元件。對于大多數(shù)硅振蕩器來說,所需的外部元件通常只有一個電源旁路電容。

皮爾斯振蕩器

晶體和陶瓷諧振器大多被用在皮爾斯振蕩器中,其中晶體或諧振器作為調(diào)諧元件用在反相放大器的反饋中。為了使電路穩(wěn)定,需要另加電容和電阻來進行相移補償和增益控制。此外,還須用電阻提供一定的阻尼,以防過驅(qū)動造成晶體或諧振器永久損壞。

圖1給出了兩個皮爾斯振蕩器的實例。圖1a是一個典型的晶體振蕩電路,使用外部電容和電阻。圖1b則是一個基于三端陶瓷諧振器的皮爾斯振蕩器,陶瓷諧振器中集成了補償電容。這些設(shè)計中的每一個元件的值與工作頻率、供電電壓、反相器的類型、元件類型(晶體或諧振器)以及制造商有關(guān)。


圖1.采用晶體和三端陶瓷諧振器的皮爾斯振蕩器

皮爾斯振蕩器最常見的實現(xiàn)方法是用一個CMOS非門做為放大器。雖然這種方案的穩(wěn)定性和功耗性能通常比不上基于晶體管的振蕩器,但是,基于CMOS反相器的電路比較簡單,而且在許多情況下非常實用。帶緩沖和無緩沖反相器都能用于放大元件,其中首選無緩沖的反相器,因為它們工作得更穩(wěn)定,雖然也伴隨著功耗的增加。無緩沖門沒有強大的輸出級,所以要驅(qū)動電路板上的長走線時必須使用標準反相器加以緩沖。
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硅振蕩器的優(yōu)點

硅振蕩器,這種完全集成的振蕩元件是最簡單的時鐘源。這些器件可產(chǎn)生規(guī)定頻率的方波,可直接送入微控制器(µC)的時鐘輸入。硅振蕩器并不依賴于機械共振特性來獲得振蕩頻率,而是基于一個內(nèi)部的RC時間常數(shù)。這樣的設(shè)計使硅器件對于外部機械作用不敏感。而且,與傳統(tǒng)振蕩器不同的是,沒有裸露在外的高阻抗節(jié)點,這樣使硅振蕩器可以承受更大的濕度和EMI影響。

硅振蕩器的應(yīng)用

如果用硅振蕩器代替晶體或陶瓷諧振器,首先可以去掉和振蕩電路相關(guān)的所有元件。這通常包括一到兩個電阻和兩個電容(如果它們未被包含在諧振器封裝內(nèi))。振蕩器可以安裝在適當?shù)奈恢茫缓髮⑵鋾r鐘輸出引到微控制器(µC)時鐘輸入(OSC1)引腳。振蕩器的電源應(yīng)該來自于驅(qū)動µC時鐘輸入電路的電源。

圖2和圖3給出了這種設(shè)計的一個實例,其中顯示的是用于MC68HC908µC的振蕩電路。圖2為推薦電路,三端陶瓷諧振器。

圖3為采用硅振蕩器的電路,本例采用MAX7375,SC70封裝,包括引腳在內(nèi)的外形尺寸僅為2.0mmx2.1mm。


圖2.MC68HC908µC采用基于三端諧振器的振蕩器

圖3.MC68HC908µC采用MAX7375硅振蕩器

硅振蕩器在電路板上的布局通常沒有很高的要求,因為這種器件輸出的是低阻抗方波,它能夠在電路板上傳送足夠的距離,且無須顧慮其他信號對它的干擾。硅振蕩器能夠驅(qū)動多個器件。和任何其他高速信號一樣,硅振蕩器的時鐘輸出在驅(qū)動長導(dǎo)線時會產(chǎn)生電磁輻射。靠近時鐘發(fā)生器的引腳,在每路時鐘信號上串連一個電阻可以降低這種輻射。如圖4所示,MAX7375驅(qū)動兩路時鐘電路時,每條時鐘線上都串入了一個電阻。


圖4.串聯(lián)電阻減小電磁輻射
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