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      用于鋰離子電池保護電路的N溝道低導通電阻MOSFET

      發布時間:2012-12-13 責任編輯:easonxu

      【導讀】東芝推出新款N溝道低導通電阻MOSFET,可用于鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。采用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能和高抗雪崩性能。


      東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產品采用最新的第八代工藝打造,可用于鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到該產品系列中,成為現有型號的換代產品。所有三款產品均有助于降低設備厚度和總體尺寸,并可提高效率。

      規格

      應用
       
      鋰離子電池保護電路
      手機電源管理開關 
       
      主要特點
       
      由于采用了最新的第八代工藝,因此產品的導通電阻比現有的東芝產品要低。
      采用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能。
      高抗雪崩性能。
       

       

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