<noscript id="jftie"></noscript>
    <style id="jftie"><mark id="jftie"><dfn id="jftie"></dfn></mark></style>
  1. <span id="jftie"></span>
    • 国产成人精品久久一区二区,韩国精品久久久久久无码,国产精品国产高清国产av,欧美99久久无码一区人妻a片,亚洲高清码在线精品av,午夜人妻久久久久久久久,伊人热热久久原色播放www ,亚洲女教师丝祙在线播放
      你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

      絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列

      發(fā)布時間:2022-06-23 來源:英飛凌 責任編輯:wenwei

      【導(dǎo)讀】在之前的技術(shù)文章中,介紹了驅(qū)動芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù),本文會繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動芯片技術(shù)。


      高壓柵極驅(qū)動IC的技術(shù)經(jīng)過長期的發(fā)展,走向了絕緣體上硅(silicon-on-insulator,簡稱SOI),SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅,相對于傳統(tǒng)的導(dǎo)電型的硅襯底,它有三層結(jié)構(gòu),第一層是厚的硅襯底層,用于提供機械支撐,第二層是薄的二氧化硅層,二氧化硅是一種絕緣體,從而形成一層絕緣結(jié)構(gòu),第三層是薄的單晶硅頂層,在這一層進行電路的刻蝕,形成驅(qū)動IC的工作層。


      1655198395788342.png

      圖1.絕緣體上硅SOI(左圖)與傳統(tǒng)體硅(Bulk CMOS)(右圖)結(jié)構(gòu)的比較


      SOI在1964年由C.W. Miller和P.H. Robinson提出,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,逐漸成熟。英飛凌采用了SOI的獨特設(shè)計的柵極驅(qū)動IC,從設(shè)計上帶來了諸多優(yōu)勢。其中,最大的優(yōu)勢在于,SOI的二氧化硅的絕緣層,能夠徹底消除體硅(Bulk CMOS)結(jié)構(gòu)中襯底中的寄生PN結(jié),從而消除了閉鎖效應(yīng),提高了驅(qū)動芯片耐受負壓的能力。


      1655198381711174.png

      圖2.傳統(tǒng)體硅(Bulk CMOS)(左圖)與絕緣體上硅SOI(右圖)寄生PN結(jié)的比較


      從柵極驅(qū)動IC的設(shè)計結(jié)構(gòu)上,如圖3所示,可以清楚的看到相關(guān)電路的影響,在體硅(Bulk CMOS)的設(shè)計中,對于高邊電路,襯底連接COM電位,MOS的源極SOURCE連接VS電位,因為襯底與VS之間存在一個寄生二極管,從而在某些工況下,當COM的電位高于VS的電位時,寄生二極管會導(dǎo)通,產(chǎn)生無法控制的電流,從而對電路的可靠性產(chǎn)生影響。在絕緣體上硅SOI的驅(qū)動IC中,因為二氧化硅絕緣層的存在,消除了連接COM和VS的寄生二極管,從而極大提升了驅(qū)動IC的可靠性。


      1655198366937741.png

      圖3.傳統(tǒng)體硅(Bulk CMOS)(左圖)與絕緣體上硅SOI(右圖)寄生PN結(jié)對設(shè)計的影響


      驅(qū)動芯片的耐受負壓(VS的電壓低于COM)的能力,對于電機驅(qū)動應(yīng)用,或者橋式電路帶感性負載的應(yīng)用情況,都非常重要。如圖4所示,當上管Q2關(guān)閉的時候,負載電流切換到下管D1,此時電流從負母線流向負載。考慮動態(tài)的情況,在D1上的電流逐步建立的過程中,在VS~COM之間,會產(chǎn)生由Ls1和Ld1的感生電壓,以及Q1的二極管的導(dǎo)通電壓,總的電壓等于這三個電壓的疊加,方向上電壓在COM為正,VS為負。因為這類應(yīng)用中,負壓現(xiàn)象不可避免,所以驅(qū)動IC耐受這個負壓的能力越高越好,圖4的右圖可以看出,英飛凌的SOI驅(qū)動IC,抗負壓的能力可以達到-100V/300ns或者-60V/1000ns,這種抗負壓的能力遠遠大于JI設(shè)計的驅(qū)動IC。


      1655198352942080.png

      圖4.橋式電路中負壓的產(chǎn)生,及英飛凌的SOI驅(qū)動的負壓耐受工作區(qū)


      另外,SOI的結(jié)構(gòu)中,因為寄生PN結(jié)的消失,器件的寄生效應(yīng)減小,器件的開關(guān)損耗也可極大的降低,并且由于漏電流的減小,靜態(tài)功耗也可以得到降低,從而使得采用SOI設(shè)計的驅(qū)動IC,工作頻率能夠更高,整體損耗更小。圖5對比了300kHz的開關(guān)頻率下,2ED2106(SOI設(shè)計)與IR2106(Bulk CMOS設(shè)計)的溫升對比,可以看到,2ED2106的最高溫度只有66°C,而IR2106的溫度高達122°C。


      37.jpg

      圖5.絕緣體上硅SOI與傳統(tǒng)體硅(Bulk CMOS)的驅(qū)動IC的溫升比較


      再次,SOI因為存在良好的介質(zhì)隔離,更方便進行集成。英飛凌的SOI的驅(qū)動IC集成了自舉二極管,從而能夠節(jié)省掉以前需要外加的高壓自舉二極管,從而節(jié)省系統(tǒng)成本。


      38.png

      圖6.絕緣體上硅SOI集成自舉二極管示意圖


      綜上所述,絕緣體上硅SOI是柵極驅(qū)動器的一次技術(shù)飛躍,具有負壓耐受能力強、損耗低、集成自舉二極管等一系列的優(yōu)異特性。


      英飛凌已經(jīng)推出了大量的絕緣體上硅SOI的驅(qū)動IC,電壓覆蓋200V至1200V,結(jié)構(gòu)有高低邊驅(qū)動、半橋及三相橋。可以點擊文末“閱讀原文”,查詢相關(guān)的型號。


      1655198319357109.png



      免責聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。


      推薦閱讀:


      消除ISO 26262功能安全認證過程中的各種障礙

      基于功率電感飽和特性要求的電感設(shè)計與選型優(yōu)化

      小型化趨勢下,東芝單芯片方案實現(xiàn)高性價比電機驅(qū)動

      你還在用光標測量I2C通信時序嗎?

      TP8312滿足0.9V低電壓工作的一節(jié)兩節(jié)干電池升壓IC解決方案

      特別推薦
      技術(shù)文章更多>>
      技術(shù)白皮書下載更多>>
      熱門搜索
      ?

      關(guān)閉

      ?

      關(guān)閉

      主站蜘蛛池模板: 国产精品一区二区含羞草| 久久香蕉国产线看观看怡红院妓院| 日本少妇被黑人猛cao| 亚洲欧美v国产一区二区| 亚洲成a v人片在线观看| 国产精品制服| 中文有码vs无码人妻| 好男人中文资源在线观看| 欧美精品日韩精品一卡| 欧美日韩国产综合草草| 动漫精品视频一区二区三区| 精品国产av一区二区果冻传媒| 无码人妻精品一区二区蜜桃色欲| 国产亚洲曝欧美精品手机在线| 亚洲欧美日韩一区二区| 7777精品伊久久久大香线蕉| 日韩新无码精品毛片| 中文字幕日韩精品一区二区三区| 国产精品宾馆在线精品酒店| 绝顶高潮合集videos| 亚洲国产精品无码久久98| 国产精品欧美亚洲韩国日本久久| 99精品偷自拍| 亚洲人成网线在线播放va| 久久午夜神器| 国内精品久久久久伊人av| 四虎影库久免费视频| 国产+成+人+亚洲欧洲自线| 丰满大爆乳波霸奶| 久久久久久曰本av免费免费| 国产欧美国日产在线播放| 精品一区二区不卡无码av| 国偷自产一区二区免费视频 | 国产亚洲曝欧美精品手机在线| 亚洲成a v人片在线观看| 2023国产精品一卡2卡三卡4卡| 国偷自产一区二区免费视频 | 亚洲综合天堂av网站在线观看| 久久久噜噜噜久久熟女aa片| 欧美内射深插日本少妇| 黄页网站18以下勿看|