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      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用

      發(fā)布時(shí)間:2023-04-27 責(zé)任編輯:lina

      【導(dǎo)讀】受外來精致露營(yíng)風(fēng)潮的影響,近幾年涌現(xiàn)出了許多戶外新品,比如戶外電源、自動(dòng)帳篷等好用又高顏值的露營(yíng)裝備,極大降低了露營(yíng)的門檻,減輕了露營(yíng)的負(fù)擔(dān),提高了露營(yíng)的生活體驗(yàn),讓更多的人可以更簡(jiǎn)單,更精致的去露營(yíng)體驗(yàn),也為國(guó)內(nèi)露營(yíng)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展提供了可持續(xù)發(fā)展動(dòng)力。


      一、前言 


      受外來精致露營(yíng)風(fēng)潮的影響,近幾年涌現(xiàn)出了許多戶外新品,比如戶外電源、自動(dòng)帳篷等好用又高顏值的露營(yíng)裝備,極大降低了露營(yíng)的門檻,減輕了露營(yíng)的負(fù)擔(dān),提高了露營(yíng)的生活體驗(yàn),讓更多的人可以更簡(jiǎn)單,更精致的去露營(yíng)體驗(yàn),也為國(guó)內(nèi)露營(yíng)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展提供了可持續(xù)發(fā)展動(dòng)力。


      在信息化愈發(fā)重要的今天,電子產(chǎn)品也越來越豐富,越來越便利。但是到了戶外,粗大笨重的發(fā)電機(jī),車載設(shè)備的低效率,高能耗,也導(dǎo)致了一系列充電難題,這就為儲(chǔ)能電池行業(yè)打開了新賽道,一些輕巧便攜、續(xù)航能力強(qiáng)且功能多元化的新型儲(chǔ)能電池陸續(xù)在露營(yíng)活動(dòng)中頻頻出現(xiàn)。

      便攜式儲(chǔ)能電源又被稱作戶外電源,是一種內(nèi)置鋰離子電池的小型儲(chǔ)能設(shè)備,可以提供穩(wěn)定交流/直流電壓輸出的電源系統(tǒng),具有大容量、大功率、安全便攜等特點(diǎn),其電池容量一般在100Wh-2000Wh,配有AC輸入,DC輸入,AC輸出,USB /Type-C 輸出等多種接口。


      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用


      二、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D


      從電路上分析,整個(gè)戶外電源的組成模塊如下:


      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用


      各單元拓?fù)鋱D:


      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用


      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用


      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用

      各單元拓?fù)鋱D:在這其中,出現(xiàn)頻率之高,讓人為之側(cè)目。不難看出,MOSFET這一功率器件,在戶外電源應(yīng)用中占據(jù)關(guān)鍵地位,高品質(zhì)的MOSFET,讓戶外電源的電氣品質(zhì)進(jìn)一步提升。


      三、主逆變儲(chǔ)能單元--產(chǎn)品選型推薦 


      在主逆變儲(chǔ)能單元中,根據(jù)不同的逆變器功率需求選擇不同參數(shù)的產(chǎn)品,瑞森半導(dǎo)體推薦使用平面高壓MOS系列:


      1、300W 推薦RS13N50F型號(hào)及以上規(guī)格選型

      2、400W 推薦RS15N50F型號(hào)及以上規(guī)格選型

      3、500W 推薦RS18N50F型號(hào)及以上規(guī)格選型

      4、600W 推薦RS20N50F或RS25N50F型號(hào)及以上規(guī)格選型

      5、800W 推薦RS25N50W或RS28N50W型號(hào)及以上規(guī)格選型

      6、1000W 推薦 RS30N50W型號(hào)及以上規(guī)格選型


      平面高壓MOS推薦 :


      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用


      四、DC-DC單元--產(chǎn)品選型推薦 


      瑞森半導(dǎo)體低壓MOS系列使用SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍,柵電極下方增加一塊多晶硅電極,即屏蔽電極或稱耦合電極;實(shí)現(xiàn)屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用,減小米勒電容以及柵電荷,使器件的開關(guān)速度加快,開關(guān)損耗低。


      SGT技術(shù)的加持,獨(dú)特的器件結(jié)構(gòu)和掩膜版圖設(shè)計(jì)提升了產(chǎn)品的耐用度,并同時(shí)減少了芯片面積,用更低的導(dǎo)通電阻,更小的柵電荷Qg,實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通及開關(guān)損耗;優(yōu)異的EMI優(yōu)勢(shì)和抗雪崩EAS能力,可以為用戶帶來更高的使用效率,更舒適的使用體驗(yàn)。


      在DC-DC單元中,推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列:

      1、12V推薦RS30N150D、RS30N150T、RS40N130G、RS40N180T型號(hào)

      2、24V推薦RS60N130G、RS60N200T型號(hào)

      3、48V推薦RS85N140T、RS85N140S、RS85N150T、RS85N150S型號(hào)


      低壓MOS-SGT推薦:


      RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用


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