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      高能效功率電子技術(shù)的最新進展

      文件來源:安森美半導體
      文件類型:pdf
      更新時間:2011-08-09
      文件大小:229K
      從 1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到,到 2030年,受益于采用半導體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大 70%以上,與此同時,使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導體一直專注于超低損MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長足的進展。
      本文鏈接:http://www.gdnengbo.cn/power-dl/657
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