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      解惑答疑:半橋LLC電路中的波形從何而來(lái)?

      發(fā)布時(shí)間:2014-11-25 責(zé)任編輯:sherryyu

      【導(dǎo)讀】在半橋LLC當(dāng)中,存在著各種各樣的波形,那么這些波形是如何產(chǎn)生的呢?這些波形又為何存在?本篇文章對(duì)半橋LLC電路中的波形產(chǎn)生過(guò)程進(jìn)行了較為詳細(xì)的講解,屬于一篇有針對(duì)性并且較為基礎(chǔ)的文章,希望本篇文章能對(duì)各位新手有所幫助。
       
      半橋由兩個(gè)功率開關(guān)器件組成,以中間點(diǎn)為輸出,向外提供方波信號(hào)。LLC電路是一種包含了電容、電阻、電感等元件的電路網(wǎng)絡(luò)。在半橋LLC當(dāng)中,存在著各種各樣的波形,那么這些波形是如何產(chǎn)生的呢?這些波形又為何存在?
      半橋LLC電路中的波形從何而來(lái)?
      如果想要對(duì)半橋LLC所產(chǎn)生波形進(jìn)行分析,首先就需要從基本的諧振電路開始入手。圖1是半橋LLC電路中經(jīng)常被來(lái)用作參考的波形圖,雖然給出了波形,但是卻沒(méi)有給出產(chǎn)生的原因。
       
      LLC的之所以可以做到軟開關(guān),特別是FSW>FR1、FR1=FSW、FR1>FSW>FR2這三個(gè)區(qū),是針對(duì)MOS管來(lái)說(shuō)的,不是ZCS,而是ZVS,因?yàn)镸OS在開關(guān)過(guò)程中,開通損耗占很大比例,相反IGBT關(guān)斷時(shí)由于尾拖電流造成的損耗就要比開通過(guò)程的損耗大,所以IGBT如果滿足ZCS損耗就要小得多。
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      之所以LLC諧振腔要呈感性,是因?yàn)樾枰妷撼半娏鳎梢詫⑸瞎荛_通時(shí),想象成正弦電壓剛好從0°開始加在諧振腔里),一旦呈感性,則諧振腔的電流在上管開通前的流通方向是負(fù)的,正是因?yàn)檫@個(gè)負(fù)電流,才能給上管放電、下管充電,使得上管MOS兩端的電壓為0,開通前為0了,那么開通時(shí)便實(shí)現(xiàn)了ZVS。如果呈容性,同理可知上管開通前,諧振腔電流方向?yàn)檎鹿芸矿w二極管來(lái)續(xù)流,上管截止,當(dāng)開通的時(shí)候,下管體二極管由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在,有可能會(huì)使母線電壓短路,從而炸管。但是可以利用此特性,在上管關(guān)斷前,諧振腔電流為負(fù),實(shí)現(xiàn)ZCS,使得IGBT也可以適用LLC此類拓?fù)洹?/div>
       
      當(dāng)諧振腔電流與勵(lì)磁電流相等后,沒(méi)有電流流入“理想”變壓器初級(jí)繞組內(nèi),所以初級(jí)繞組并未被鉗位到NVO,此時(shí)勵(lì)磁電感就呈現(xiàn)出電感的性質(zhì),所以此時(shí)諧振頻率將改變成“L+L+C”,所以電流波形是一個(gè)斜坡(其實(shí)是一段曲線,因?yàn)槭钦也ǖ囊恍《危源芜呺妷簽橐粭l斜線,二階的導(dǎo)數(shù)是一階,就是一條線性的斜線)。
       
      當(dāng)fsw>fr1時(shí),此時(shí)勵(lì)磁電感并不參與諧振,圖1中電流波形之所以會(huì)突然被拉下來(lái),是因?yàn)樯瞎荜P(guān)斷后,勵(lì)磁電流與諧振電流仍不相等,所以勵(lì)磁電感兩端電壓會(huì)被鉗位在nVo,而此時(shí)諧振電容上有電壓,所以電流會(huì)呈現(xiàn)(Vc-nVo)/Lr的斜率下降,諧振電流被“拉”到與勵(lì)磁電流相等。
      半橋LLC電路中的波形從何而來(lái)?
      LLC的核心思想是通過(guò)f(頻率)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓原理。詳細(xì)原理如圖2所示。
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      那么LLC是如何實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的呢??
       
      這里提到一點(diǎn),即開關(guān)頻率一定要大于最小諧振頻率(即由Cr和Ls、Lp的諧振頻率); 為什么呢?因?yàn)椋@里必須保證這個(gè)諧振網(wǎng)絡(luò)為感性負(fù)載(電感的阻抗大于電容的阻抗)。為什么要這樣呢? 看下面的圖:
       
      半橋LLC電路中的波形從何而來(lái)?

       
      接下來(lái)解析一下圖3,設(shè)左邊最端點(diǎn)處的為零點(diǎn)(圖中為標(biāo)出),則由FHA可知,在半橋中點(diǎn)的電壓可以等效為 Vs=(2Vin/pi*sinw1t) ; 由于負(fù)載成感性,那么電流必將滯后電壓,,即Ip=A*sin(w1t-a), A表示一個(gè)常數(shù),a為滯后的相位。 這樣,在零電壓即VS=0的時(shí)候,流過(guò)MOS管的電流為負(fù)值即通過(guò)體二極管。這個(gè)時(shí)候,驅(qū)動(dòng)MOS管,則能實(shí)現(xiàn)開關(guān)零損耗;至于關(guān)斷呢?從圖3中可知,上管關(guān)斷時(shí),MOS管有正向電流通過(guò),然后由于MOS管兩端并接了緩沖電容,故使得電壓緩慢降低,從而實(shí)現(xiàn)了軟開關(guān)的作用。電容存儲(chǔ)的能量,在下一周期會(huì)返回到DC電源中去。
       
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