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      功率元器件、模塊的開發現狀

      文件來源:羅姆半導體集團 ROHM
      文件類型:pdf
      更新時間:2011-09-12
      文件大小:3767K

      【本資料來自第八屆新型節能設計技術研討會】
      演講嘉賓:羅姆新材料元件研發中心經理 中村孝
      內容介紹:SiC功率器件作為次世代節能型功率器件非常令人期待。羅姆在已經實現SBD、DMOS實際應用的同時,也正在推進新一代Trench MOS的開發。而且,成功地進行了高速、高溫工作的SiC功率模塊的試制。同時,羅姆計劃將在世界范圍內率先推出采用了SiC-MOSFET和SiC二極管的FULL SiC POWER MODULE(全SiC功率模塊)產品。羅姆將挑戰SiC功率器件市場的變革。我們源源不斷穩定地向市場提供大量高品質且高性能的SiC元件,積極致力于打造高能效社會。
      本文鏈接:http://www.gdnengbo.cn/test-dl/705
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