【導讀】碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
一、前言
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
二、碳化硅產(chǎn)品特點
碳化硅(SiC)具有寬禁帶(Si的3倍)、高熱導率(Si的3.3倍)、高的臨界擊穿電場(Si的10倍)、高飽和電子遷移率(Si的2.5倍)以及高健合能等優(yōu)點，這就使得碳化硅材料可以很好地適用于高性能(高頻、高溫、高功率、抗輻射)電子器件。高的熱導率有利于大功率器件的熱耗散和高密度集成，高的載流子飽和遷移速率可以使之應(yīng)用于高速開關(guān)器件；高的臨界位移能使碳化硅器件的抗輻射性能優(yōu)于Si器件。
主要性能：
?極小的反向恢復電荷可降低開關(guān)損耗；
?出色的熱管理可降低冷卻要求；
?Vce(sat)正溫度系數(shù)易并聯(lián)；
?低VF，高浪涌電流耐量；
?符合軍工民用考核標準：GJB 7400-2011，器件參數(shù)一致性較好;
三、碳化硅在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種非常適合電力應(yīng)用的半導體，這主要歸功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍。基于碳化硅的半導體具有更高的熱導率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗；從而碳化硅(SiC)二極管已經(jīng)進入迅速擴張的太陽能逆變器市場，尤其是在歐洲已經(jīng)意識到了太陽能的優(yōu)點，正在推動商業(yè)和個人使用太陽能，將太陽光輻射能直接轉(zhuǎn)換為電能的一種新型發(fā)電系統(tǒng)，為了最大限度利用太陽能，用碳化硅二極管的光伏逆變器更加具有較高的效率和可靠性。
四、光伏逆變器的拓撲線路
五、瑞森半導體碳化硅二極管產(chǎn)品推薦
（來源：RS瑞森半導體）
免責聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進行處理。
推薦閱讀：
