隨著技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)電子設(shè)備已成為我們生活和文化的重要組成部分。平板電腦和智能手機(jī)觸摸技術(shù)的應(yīng)用，讓我們能夠與這些設(shè)備進(jìn)行更多的互動(dòng)。它構(gòu)成了一個(gè)完整的靜電放電 (ESD) 危險(xiǎn)環(huán)境，即人體皮膚對設(shè)備產(chǎn)生的靜電放電。例如，在使用消費(fèi)類電子設(shè)備時(shí)，在用戶手指和平板電腦 USB 或者 HDMI 接口之間會發(fā)生 ESD，從而對平板電腦產(chǎn)生不可逆的損壞，例如：峰值待機(jī)電流或者永久性系統(tǒng)失效。本文將為您解釋系統(tǒng)級 ESD 現(xiàn)象和器件級 ESD 現(xiàn)象之間的差異，并向您介紹一些提供 ESD 事件保護(hù)的系統(tǒng)級設(shè)計(jì)方法。

系統(tǒng)級ESD保護(hù)與器件級ESD保護(hù)的對比

IC 的 ESD 損壞可發(fā)生在任何時(shí)候，從裝配到板級焊接，再到終端用戶人機(jī)互動(dòng)。ESD 相關(guān)損壞最早可追溯到半導(dǎo)體發(fā)展之初，但在 20 世紀(jì) 70 年代微芯片和薄柵氧化 FET 應(yīng)用于高集成 IC 以后，它才成為一個(gè)普遍的問題。所有 IC 都有一些嵌入式器件級 ESD 結(jié)構(gòu)，用于在制造階段保護(hù) IC 免受 ESD 事件的損壞。這些事件可由三個(gè)不同的器件級模型進(jìn)行模擬：人體模型 (HBM)、機(jī)器模型 (MM) 和帶電器件模型 (CDM)。HBM 用于模擬用戶操作引起的 ESD 事件，MM 用于模擬自動(dòng)操作引起的 ESD 事件，而 CDM 則模擬產(chǎn)品充電/放電所引起的 ESD 事件。這些模型都用于制造環(huán)境下的測試。在這種環(huán)境下，裝配、最終測試和板級焊接工作均在受控ESD 環(huán)境下完成，從而減小暴露器件所承受的 ESD 應(yīng)力。在制造環(huán)境下，IC 一般僅能承受 2-kV HBM 的 ESD電擊，而最近出臺的小型器件靜電規(guī)定更是低至 500V。

盡管在廠房受控 ESD 環(huán)境下器件級模型通常已足夠，但在系統(tǒng)級測試中它們卻差得很遠(yuǎn)。在終端用戶環(huán)境下，電壓和電流的ESD電擊強(qiáng)度要高得多。因此，工業(yè)環(huán)境使用另一種方法進(jìn)行系統(tǒng)級 ESD 測試，其由 IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)定義。器件級 HBM、MM和CDM 測試的目的都是保證 IC 在制造過程中不受損壞；IEC 61000-4-2規(guī)定的系統(tǒng)級測試用于模擬現(xiàn)實(shí)世界中的終端用戶ESD事件。

IEC 規(guī)定了兩種系統(tǒng)級測試：接觸放電和非接觸放電。使用接觸放電方法時(shí)， 測試模擬器電極與受測器件(DUT) 保持接觸。非接觸放電時(shí)，模擬器的帶電電極靠近DUT，同 DUT 之間產(chǎn)生的火花促使放電。

表 1 列出了 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的每種方法的測試級別范圍。請注意，兩種方法的每種測試級別的放電強(qiáng)度并不相同。我們通常在4級（每種方法的最高官方標(biāo)稱級別）以上對應(yīng)力水平進(jìn)行逐級測試，直到發(fā)生故障點(diǎn)為止。

表1 接觸放電和非接觸放電方法的測試電平


表2 器件級模型與IEC系統(tǒng)級模型比較



器件級模型和系統(tǒng)級模型有一些明顯的區(qū)別，表 2 列出了這些區(qū)別。表 2 中最后三個(gè)參數(shù)（電流、上升時(shí)間和電擊次數(shù)）需特別注意：

1、電流差對于 ESD 敏感型器件是否能夠承受一次 ESD 事件至關(guān)重要。由于強(qiáng)電流可引起結(jié)點(diǎn)損壞和柵氧化損壞，8-kVHBM 保護(hù)芯片（峰值電流5.33A）可能會因 2-kV IEC 模型電擊（峰值電流7.5A）而損壞。因此，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員不能把 HBM 額定值同 IEC 模型額定值混淆，這一點(diǎn)極為重要。

2、另一個(gè)差異存在于電壓尖峰上升時(shí)間。HBM 的規(guī)定上升時(shí)間為 25ns。IEC 模型脈沖上升時(shí)間小于 1ns，其在最初3ns 消耗掉大部分能量。如果 HBM 額定的器件需 25ns 來做出響應(yīng)，則在其保護(hù)電路激活以前器件就已被損壞。
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3、兩種模型在測試期間所用的電擊次數(shù)不同。HBM僅要求測試一次正電擊和一次負(fù)電擊，而 IEC 模型卻要求 10 次正電擊和 10 次負(fù)電擊。可能出現(xiàn)的情況是，器件能夠承受第一次電擊，但由于初次電擊帶來的損壞仍然存在，其會在后續(xù)電擊中失效。圖1 顯示了 CDM、HBM 和 IEC 模型的 ESD 波形舉例。很
明顯，相比所有器件級模型的脈沖，IEC 模型的脈沖攜帶了更多的能量。


TVS 如何保護(hù)系統(tǒng)免受 ESD 事件的損害

與 ESD 保護(hù)集成結(jié)構(gòu)不同，IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模型通常會使用離散式獨(dú)立瞬態(tài)電壓抑制二極管，也即瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。相比電源管理或者微控制器單元中集成的 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)，獨(dú)立 TVS 成本更低，并且可以靠近系統(tǒng) I/O 連接器放置，如圖 2 所示。


立即沿這條通路接地。在單向 TVS 情況下，只要 D2 和Z1 都不進(jìn)入其擊穿區(qū)域，則電壓信號會在接地電壓以上擺動(dòng)。當(dāng)正ESD電擊擊中I/O線路時(shí)，D1變?yōu)檎蚱茫鳽1 先于 D2 進(jìn)入其擊穿區(qū)域；通過 D1 和 Z1 形成一條接地通路，從而讓 ESD 能量得到耗散。當(dāng)發(fā)生負(fù)ESD 事件時(shí)，D2 變?yōu)檎蚱茫珽SD能量通過 D2接地通路得到耗散。由于 D1 和 D2 尺寸可以更小、寄生電容更少，單向二極管可用于許多高速應(yīng)用；D1 和 D2 可以“隱藏”更大的齊納二極管 Z1（大尺寸的原因是處理擊穿區(qū)域更多的電流）。

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系統(tǒng)級 ESD 保護(hù)的關(guān)鍵器件參數(shù)

圖 4 顯示了 TVS 二極管電流與電壓特性的對比情況。盡管 TVS 是一種簡單的結(jié)構(gòu)，但是在系統(tǒng)級 ESD 保護(hù)設(shè)計(jì)過程中仍然需要注意幾個(gè)重要的參數(shù)。這些參數(shù)包括擊穿電壓 VBR、動(dòng)態(tài)電阻 RDYN、鉗位電壓 VCL 和電容。


擊穿電壓

正確選擇 TVS 的第一步是研究擊穿電壓 (VBR)。例如，如果受保護(hù) I/O 線路的最大工作電壓 VRWM 為 5V，則在達(dá)到該最大電壓以前 TVS 不應(yīng)進(jìn)入其擊穿區(qū)域。通常，TVS 產(chǎn)品說明書會包括具體漏電流的 VRWM，它讓我們能夠更加容易地選擇正確的TVS。否則，我們可以選擇一個(gè) VBR（min） 大于受保護(hù) I/O線路 VRWM 幾伏的 TVS。

動(dòng)態(tài)電阻

ESD 是一種極速事件，也就是幾納秒的事情。在如此短的時(shí)間內(nèi)，TVS 傳導(dǎo)接地通路不會立即建立起來，并且在通路中存在一定的電阻。這種電阻被稱作動(dòng)態(tài)電阻(RDYN)，如圖 5 所示。


鉗位電壓


由于ESD是一種極速瞬態(tài)事件，I/O路線的電壓不能立即得到鉗制。如圖6所示，根據(jù)IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)千伏電壓被鉗制為數(shù)十伏。如方程式1所示，RDYN越小，鉗位性能也就越好：其中，IPP為ESD事件期間的峰值脈沖電流，而Iparasitic為通過TVS接地來自連接器的線路寄生電感。

方程式1：

把鉗位電壓波形下面的區(qū)域想像成能量。鉗位性能越好，受保護(hù)ESD敏感型器件在ESD事件中受到損壞的機(jī)率也就越小。由于鉗位電壓很小，一些TVS可承受IEC模型的8kV接觸式放電，但是“受保護(hù)”器件卻被損壞了。

電容

在正常工作狀態(tài)下，TVS為一個(gè)開路，并具有寄生電容分流接地。設(shè)計(jì)人員應(yīng)在信號鏈帶寬預(yù)算中考慮到這種電容。

結(jié)論

由于 IC 工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)變得越來越小，它也越來越容易受到 ESD 損壞的影響，不管是在制造過程還是在終端用戶使用環(huán)境下。器件級ESD 保護(hù)并不足以在系統(tǒng)層面為 IC 提供保護(hù)。我們應(yīng)在系統(tǒng)級設(shè)計(jì)中使用獨(dú)立 TVS。在選擇某個(gè) TVS 時(shí)，設(shè)計(jì)人員應(yīng)注意一些重要參數(shù)，例如：VBR、RDYN、VCL 和電容等。