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      Molex推出業(yè)內(nèi)最低的底座面高僅1.10mm存儲器技術(shù)

      發(fā)布時間:2013-05-20 責(zé)任編輯:felixsong

      【導(dǎo)讀】近日,Molex公司推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM存儲器模塊插座產(chǎn)品組合。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm,為業(yè)內(nèi)最低;并且壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小,有效節(jié)省了寶貴的PCB空間,適用于較高密度的電子線路設(shè)計。

      近日,Molex公司推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM存儲器模塊插座產(chǎn)品組合,兩個產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡(luò)和存儲系統(tǒng)、先進(jìn)計算平臺、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中要求嚴(yán)苛的存儲器應(yīng)用。

      DDR3性對于DDR2技術(shù)優(yōu)勢:

      DDR3是為支持800-1600Mbps的數(shù)據(jù)速率(頻率400-800MHz)而制定的DDR DRAM接口技術(shù),該數(shù)據(jù)速率是DDR2接口的兩倍。采用標(biāo)準(zhǔn)1.5V工作電壓,DDR3對比DDR2減少了30%的功耗。Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計更低,在ATCA刀片系統(tǒng)中可以使用最大底座高度低于2.80mm的極低側(cè)高模塊,新型DDR3 DIMM插座還具有10mΩ的低電平接觸電阻,以便使用注冊DIMM模塊并且在刀片式服務(wù)器中降低功耗。

      Molex產(chǎn)品經(jīng)理Douglas Jones表示:“隨著對更高帶寬的需求繼續(xù)增長,能夠以較快速率傳輸數(shù)據(jù)而不犧牲寶貴的空間或功率是至關(guān)重要的。使用DDR3 DIMM插座,讓我們的客戶不僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優(yōu)勢,而且又能維持或減小現(xiàn)有封裝尺寸并降低功耗。”

      圖示:Molex推出的DDR3 DIMM插座
      圖示:Molex推出的DDR3 DIMM插座
      Molex新推出的兩款產(chǎn)品系列特征:

      Molex空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型外殼和閉鎖設(shè)計,以實現(xiàn)氣流最大化,并消除運(yùn)作期間聚集的熱空氣。人類環(huán)境學(xué)閉鎖設(shè)計能夠?qū)崿F(xiàn)快速動作,并且輕易移開高密度存儲器模塊。2.40mm的低底座面優(yōu)化了垂直空間,能更靈活地設(shè)計插座模塊的高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座用于極低側(cè)高壓接(14.26mm)、低側(cè)高壓接(22.03mm)、低側(cè)高SMT(21.34mm)和極低側(cè)高SMT(14.20mm)高度,與標(biāo)準(zhǔn)壓接終端相比,這些壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小,有效節(jié)省了寶貴的PCB空間,以適用于較高密度的電子線路設(shè)計。Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),SMT型款不含有鹵素。

      Molex超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm,為業(yè)內(nèi)最低。該插座在PCB上提供最高20.23mm垂直空間,用于安裝高密度DIMM,適用于要求符合ATCA電路板機(jī)械規(guī)范的應(yīng)用,這項規(guī)范要求前PCB板一側(cè)的元件高度不能超過21.33mm。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的閉鎖動作的角度較小,所需的PCB空間也比標(biāo)準(zhǔn)DIMM更少,既改善了氣流,又實現(xiàn)了更貼近的元件安裝。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置,可以使用波峰焊和高溫紅外回流焊運(yùn)作。

      Molex推出的這兩個產(chǎn)品系列,功耗更低,具有流線型外殼和閉鎖設(shè)計,以實現(xiàn)氣流最大化;壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小,有效節(jié)省了PCB空間,均適用于電信、網(wǎng)絡(luò)和存儲系統(tǒng)、先進(jìn)計算平臺、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中要求嚴(yán)苛的存儲器應(yīng)用。

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