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智能家居

NI發布2009年測試與測量發展趨勢

2009-02-04

虛擬儀器并行處理多核 NI LabVIEW 測試測量

南方芯源總經理羅義：依靠品牌與質量走向未來

2008年，南方芯源科技有限公司在半導體行業成績斐然，其生產的MOSFET成功的成為全球巨頭Philips Lighting Electronics公司的供應商。南方芯源的企業戰略是：重金投入研發；靈活的銷售模式；依靠品牌與質量走向未來。

2009-02-03

南方芯源羅義 MOSFET

中國LED產業穩步發展愈加成熟

2008年可以說是LED產業豐收的一年，有以下幾個特點：2008年是LED產業的奧運年；城市道路照明由示范工程到主要照明順利過渡；我國LED產業投資方式多元化；傳統光源企業步入LED照明領域；2009年LED產業將更規范有序。

2009-02-03

LED LED照明半導體照明

中國LED產業穩步發展愈加成熟

2009-02-03

LED LED照明半導體照明

中國LED產業穩步發展愈加成熟

2009-02-03

LED LED照明半導體照明

215系列：Littelfuse新款5×20mm陶瓷體延時型管狀保險絲

Littelfuse推出新款215系列5×20mm陶瓷體、延時型管狀保險絲，能夠在有限的空間內實現高熔斷容量。此新款保險絲可以為高達250VAC的供電提供15A、16A、20A和25A的額定電流。

2009-02-03

215系列延時型保險絲

Eamex開發出電極上能量密度為100Wh/L的大容量電容器

日本Eamex近日宣布，開發出了單位體積電量密度極高的大容量電容器。該產品是使用金屬電極夾住固體高分子膜的電雙層電容器的一種，電極的比表面積提高到該公司原產品的10倍，同時電解液的鹽通過使用鋰離子，實現了電極上100Wh/L的能量密度。

2009-02-03

大容量電容器鋰離子電容器

GM4BN653C0A：夏普新款用于手機背光的側面發光白色LED

夏普將上市封裝高度0.6mm、側面發光的白色LED“GM4BN653C0A”。其順向電壓為+3.2V、順向電流為20mA時的亮度為1700mcd。主要用于手機和游戲機等中小型液晶面板的背光源。

2009-02-03

GM4BN653C0A 側面發光白色LED

TIG058E8：三洋半導體開發出面積縮小60％的手機閃光燈用IGBT

三洋半導體開發出了面積比原產品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能。可通過IGBT的開關操作瞬間釋放電容器內存儲的電力，使氙氣管發光。

2009-02-02

IGBT TIG058E8 氙氣閃光燈

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