<noscript id="jftie"></noscript>
    <style id="jftie"><mark id="jftie"><dfn id="jftie"></dfn></mark></style>
  1. <span id="jftie"></span>
    • 国产成人精品久久一区二区,韩国精品久久久久久无码,国产精品国产高清国产av,欧美99久久无码一区人妻a片,亚洲高清码在线精品av,午夜人妻久久久久久久久,伊人热热久久原色播放www ,亚洲女教师丝祙在线播放
      你的位置:首頁 > 光電顯示 > 正文

      為何發光二極管的很難發出藍光?

      發布時間:2021-05-07 責任編輯:lina

      【導讀】隨著LED在日常生活中已被廣泛使用,并在我國推廣節能照明的政策下,生產LED的廠家不計其數。這種種跡象讓人們理所當然地認為,和電腦、智能手機相比,這么個小小的燈管沒有太多的科學含量。
        
      發光二極管
       
      隨著LED在日常生活中已被廣泛使用,并在我國推廣節能照明的政策下,生產LED的廠家不計其數。這種種跡象讓人們理所當然地認為,和電腦、智能手機相比,這么個小小的燈管沒有太多的科學含量。
       
      但實際上,我國鋪天蓋地的光伏企業所做的,僅僅是對LED的封裝工作。這和電腦的生產十分相似,大大小小的企業只是把各個零件裝配起來,牛X一點的企業還會自行設計電腦外形。在LED這個行業,所有的光電企業,技術水平幾乎都達不到自行生產LED核心的部分,即發光二極管的芯片的程度。
       
      簡單來說,半導體容易發出紅黃光,很難發出藍光。要說明制造藍光LED的困難性,首先得從LED的發光原理說起。
       
      LED發光原理
       
      發光二極管(Light EmitTIng Diodes, LED)的發光區域是p-n結,稱為有源區(acTIve region)。在兩端加上電場后,p區的空穴和n區的電子向中央移動,終在這個區域復合。當然,不是所有的電子-空穴對復合時都會發出光子,能輻射出光子的復合稱為輻射性復合(radiaTIve recombinaTIon)。這個過程也可以認為是電子從導帶(conduction band)躍遷到價帶(valence band),并輻射出一個光子,如下圖。
       
      為何發光二極管的很難發出藍光?
       
      所以,輻射光的顏色,或者說輻射光子的能量完全由帶隙(band gap)決定。人們的需求使得半導體工藝迅猛發展,如今已經可以制備很大的單晶硅,即一塊相當完美的晶體,缺陷很少。只可惜,代半導體硅是間接帶隙(indirect bandgap)半導體,發光效率很低。對于電致發光元件來說,通常采用直接帶隙(direct bandgap)半導體,發展過程如下圖。
       
       為何發光二極管的很難發出藍光?
       
      然而對于直接帶隙半導體,如何獲取完美的晶體一直是技術上的難題。II-VI族半導體化合物極容易形成結構上的缺陷,缺乏商業應用的價值,因此被關注更多的是III-V族半導體化合物。在1975年之前,第二代半導體砷化物和磷化物已經實現在紅黃光區的明亮發光。由下圖可以看到,GaP與GaAs的帶隙較小,輻射的光子處于紅黃波段。為了實現短波輻射,需要提高磷組分的含量,但這導致發光效率大幅下降。
       
       為何發光二極管的很難發出藍光?
       
      隨著技術的發展,第三代半導體氮化物的優勢逐漸顯現。圖中的縱軸是能隙寬度,可見光范圍約為1.5eV-3eV. 由圖中可以看到,InN的帶隙為1.9eV,對應紅光區;而GaN 帶隙為3.4eV,對應于紫外光區。通過In與Ga組分配比調節,可以覆蓋整個可見光區。
       
      但如此美好的前景被一個殘酷的現實擊碎了 —— 氮化物的晶體質量無法得到保障。由于GaN與InN晶格常數不同,在高銦組分下,晶格失配導致大量缺陷的產生,嚴重影響器件的發光效率。之前提到GaAsP在短波段發光效率下降,是物理原理所致;而這里卻是生產技術的原因。
       
      LED面臨的問題
       
      藍光LED的芯片屬于是氮化鎵材料系,其面臨的問題主要有:1.黃綠光波段缺陷(Green-YellowGap) 從下圖可以看出,InGaN與AlGaInP兩種材料系的LED在可見光區的兩端有很高的外量子效率(即電光轉化效率),但在黃綠光區的效率卻都明顯下降。而其原因已經在前文說明。
       
       為何發光二極管的很難發出藍光?
       
      2.效率驟降(Efficiency Droop) 在小電流注入下,LED有很高的發光效率。但將注入電流增加至可供使用的程度時,高功率LED的發光效率會產生多于70% 的大幅衰減。這不是由簡單的芯片發熱引起的,原因未有定論,主要有兩種解釋:俄歇復合(Auger recombination)與載流子溢出(carrier leakage)。
       
      因此,在看到某大型照明企業在官方主頁聲稱自己的研發團隊“利用半導體降溫技術完全解決了發光效率衰減的問題”時,可能還只是噱頭。
       
      現在物理諾獎頒發給了藍光LED的發明者,看到此消息時心里萬分感慨。Nakamura的文獻我讀過很多,他所帶領的科研組在91年就已研制p-n結藍光LED,兩年后又制備了雙異質結LED。實現LED的商業化,他們克服的困難大致有以下三類:1.GaN晶體的生長,減小缺陷密度;2.有源區結構的設計,提高發光效率;3.電極的制作,使得金屬電極與半導體之間形成歐姆接觸(Ohmic contact),從而能使半導體芯片能連入電路。
       
      在今天,LED有源區的設計出現了許多新的結構,用得多的是多量子阱(Multiquantum Well, MQW)。我國的科研組至今仍未制備出可商業化的LED芯片。雖然節能照明一直受到國家政策的扶持,但這個行業的發展前景卻不容樂觀。我國大大小小照明企業即使能自行生長LED芯片,但生長用的MOCVD設備折舊是一筆極大的開銷,大部分利潤流入外國生產設備的廠家。我國某些排名前十的企業甚至只能靠國家補貼生存,LED行業的現狀令人唏噓不已。
       
      免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請電話或者郵箱聯系小編進行侵刪。
       
       
      推薦閱讀:
      如何為 FPGA 設計一款理想的電源?
      電源應用于LED驅動器應用分析
      光纖通信的大功率和高速應用
      MOM壓力傳感器的改進設計方案解析
      BGA封裝與PCB差分互連結構的設計與優化
      要采購晶體么,點這里了解一下價格!
      特別推薦
      技術文章更多>>
      技術白皮書下載更多>>
      熱門搜索
      ?

      關閉

      ?

      關閉

      主站蜘蛛池模板: 中文字幕日韩人妻不卡一区| 精品亚洲成a人在线看片| 国产激情久久久久久熟女老人| 国产偷国产偷亚洲清高孕妇| 精品亚洲成a人在线看片| 高清无码午夜福利视频| 国产欠欠欠18一区二区| 白嫩少妇bbw撒尿视频| 久久久久77777人人人人人| 精品国产综合区久久久久久| 国产成人精品亚洲777人妖| 97se狼狼狼狼狼亚洲网| 亚洲一区二区无码偷拍| 中文有码vs无码人妻| 9l国产精品久久久久尤物| 国产精品自在拍一区二区不卡| 在线天堂资源www在线中文| 伊人蕉久中文字幕无码专区 | 日本最新高清一区二区三| 人人妻人人澡人人爽精品日本| 亚洲欧美日韩一区二区| 久久国产色av免费看| 亚洲中文字幕永久在线全国| 免费裸体无遮挡黄网站免费看| 国产无套一区二区三区浪潮| 亚洲国产成人无码网站大全| 国产性夜夜春夜夜爽| 正在播放国产对白孕妇作爱| 国产亚洲精品久久久久久国| 三男一女吃奶添下面视频| 中文字幕人妻无码一夲道| 亚洲欧美另类成人综合图片| 国产精品宾馆在线精品酒店| 亚洲精品国产一区黑色丝袜| 免费看欧美成人a片无码| 在教室伦流澡到高潮hnp视频| 97无码免费人妻超级碰碰夜夜| 无码专区一va亚洲v专区在线| 久久香蕉国产线看观看怡红院妓院 | 女人被做到高潮免费视频| 国产亚洲精品久久久久久国|