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通信廣電

金山辦公攜信創(chuàng)協(xié)同辦公亮相CITE2023

2023年政府工作報(bào)告明確提出“要加快建設(shè)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系，圍繞制造業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈，集中優(yōu)質(zhì)資源合力推進(jìn)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)”。作為亞洲最大的綜合性電子信息博覽會，第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將在2023年4月7-9日在深圳會展中心（福田）拉開帷幕。

2023-03-31

金山辦公信創(chuàng)協(xié)同辦公

跨越速運(yùn)集團(tuán)有限公司：速度與安全至上，時時為客戶護(hù)航

第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將于2023年4月7-9日在深圳會展中心（福田）拉開帷幕。本屆展會將呈現(xiàn)8萬平米展示面積，匯聚超1200參展企業(yè)，舉辦40余場同期活動，吸引超8萬人次觀眾。

2023-03-31

跨越速運(yùn)

設(shè)計(jì)基于 GaN 的電源系統(tǒng)的更簡單方法：比較市場上的集成驅(qū)動器產(chǎn)品

氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了一個令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關(guān)損耗并提高電源效率，并支持更高的開關(guān)頻率，從而減小系統(tǒng)尺寸和重量。

2023-03-29

電源系統(tǒng) GaN

使用光學(xué)相位詢問技術(shù)和聚合物光纖進(jìn)行應(yīng)變感測

本技術(shù)說明旨在向集成商介紹光相位詢問 (OPI) 技術(shù)，并基本了解傳感解決方案如何與聚合物光纖 (POF) 一起使用。

2023-03-29

光學(xué)相位聚合物光纖

微型微控制器托管雙直流/直流升壓轉(zhuǎn)換器

電池是便攜式系統(tǒng)應(yīng)用的典型電源，如今基于微控制器的便攜式系統(tǒng)并不罕見。各種微控制器在低電源電壓下運(yùn)行，例如 1.8V。因此，您可以使用兩節(jié) AA 或 AAA 電池為電路供電。然而，如果電路需要更高的電壓——例如，LCD 的 LED 背光需要大約 7.5V 的直流電壓——你必須使用合適的 dc/dc 轉(zhuǎn)換器將電源電壓...

2023-03-29

微型微控制器直流升壓轉(zhuǎn)換器

Bang－bang 光伏穩(wěn)壓器無需磁性元件

光伏系統(tǒng)通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變期間為負(fù)載提供電力。但是，在可行的情況下，無存儲系統(tǒng)是具有更高 MTBF 的更環(huán)保的替代方案。

2023-03-29

Bang－bang 光伏穩(wěn)壓器磁性元件

LDO參數(shù)指標(biāo)淺談

在整個電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，電源部分是整個產(chǎn)品正常運(yùn)行發(fā)揮最佳性能的基礎(chǔ)。一個復(fù)雜的電源系統(tǒng)，會經(jīng)過多種電壓之間的轉(zhuǎn)換，在我們初始設(shè)計(jì)時會比較關(guān)心輸入電壓范圍，輸出電壓值和輸出電流最大是多少，但是否只需要了解這些參數(shù)就夠了呢，顯然不是。

2023-03-29

LDO 參數(shù)指標(biāo)

哪些原因會導(dǎo)致 BGA 串?dāng)_？

在多門和引腳數(shù)量眾多的集成電路中，集成度呈指數(shù)級增長。得益于球柵陣列 (ball grid array ，即BGA) 封裝的發(fā)展，這些芯片變得更加可靠、穩(wěn)健，使用起來也更加方便。BGA 封裝的尺寸和厚度都很小，引腳數(shù)則更多。然而，BGA 串?dāng)_嚴(yán)重影響了信號完整性，從而限制了 BGA 封裝的應(yīng)用。下面我們來探討一...

2023-03-29

BGA 串?dāng)_

SiC器件如何推動EV市場發(fā)展

汽車子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師不斷努力尋找創(chuàng)新的方法來延長 EV 的續(xù)航里程并縮短充電時間。在實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的過程中，他們將基于硅的技術(shù)在尺寸、重量和電源效率方面推向物理極限，因而需要轉(zhuǎn)向碳化硅（SiC）來幫助其應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。

2023-03-27

SiC器件 EV

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使用光學(xué)相位詢問技術(shù)和聚合物光纖進(jìn)行應(yīng)變感測

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LDO參數(shù)指標(biāo)淺談

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SiC器件如何推動EV市場發(fā)展

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