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通信廣電

P溝道功率MOSFETs及其應用

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負載點更具吸引力。

2024-04-07

功率MOSFETs

關于高速電路中的AC耦合電容

在很多高速串行信號中，都會使用到AC耦合電容，既然在設計高速串行電路時，任何一個小小的不同都會引起信號完整性問題，為什么要在串行鏈路中加入一個AC耦合電容呢？這個電容不僅會導致信號邊沿變得緩慢，還有可能會引起阻抗不連續。

2024-04-04

高速電路 AC耦合電容

汽車區域控制器架構趨勢下，這三類的典型電路設計正在改變

汽車市場正在轉向區域控制器架構的趨勢方向，而汽車區域控制器架構正朝著分布式、集成化、智能化的方向發展，以實現更高效的數據處理、功能整合與自動駕駛支持。基于區域控制器架構帶來很多設計的機會與挑戰，例如SmartFET正越來越多替代傳統的MOSFET器件。

2024-04-04

汽車控制器電路設計

意法半導體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度

隨著低開關損耗的寬禁帶半導體等技術的廣泛應用，設計人員開始提高功率轉換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當開關頻率變得更高時，用作整流器的傳統平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴重限制了轉換能效的改進。意法半導體推出可提升高開關頻率功率轉換器能效的100V溝...

2024-04-03

意法半導體肖特基整流二極管

揭秘電壓基準源：如何選擇才能確保電子系統穩定如初？

高精度電壓基準源是眾多電子設備和系統的重要組件，其性能的優劣直接影響整個系統的穩定性和可靠性。除了高精度這一特性之外，低溫漂、低噪聲、低功耗等特性同樣是電壓基準源在應對各類電子設備日益嚴苛要求時的必備要素。

2024-04-03

電壓基準源電子系統

實現高降壓比的三種緊湊型解決方案

本文將闡述為何非隔離式DC-DC降壓轉換器（在本文中簡稱為降壓轉換器）在高輸出電流下將高DC輸入電壓轉換為很低的輸出電壓時會面臨嚴峻挑戰，并介紹可以實現高降壓比，同時保持小尺寸的三種不同方法。

2024-04-03

DC-DC 降壓轉換器

自適應能量采集PMIC有助于構建環保的自動互聯設備

人們常提議利用環境能量采集技術為遠程物聯網設備的電池充電，但這種技術尚未普及。本博客探討了導致這一情況的原因，并介紹了Nexperia（安世半導體）的創新型電源管理集成電路(PMIC)，該集成電路將從根本上提高能量采集的可行性，且環境效益顯著。

2024-04-03

能量 PMIC 環保自動互聯設備

基于RTC的低功耗精準時鐘同步

時鐘同步的應用廣泛，但常規的時鐘同步方案或對終端設備要求高，或原理相對復雜。對此，本文利用大普的RTC秒上升沿即時生效原理，設計一種低功耗、高精確時鐘同步方案。

2024-04-03

RTC 時鐘

利用雙MOSFET最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能

工業和汽車開關轉換器和電機驅動器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。

2024-03-29

雙MOSFET 開關轉換器

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