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      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計

      發布時間:2014-12-01 責任編輯:echolady

      【導讀】充電器的設計是常常被電子工程師練手的設計方案,也因此各種不同種類的充電器被設計出來。本文將要設計師六級能效的SOP7內置MOS的充電器,相信能為電子發燒友們提供新靈感。

      隨著充電器六級能效標準的實施臨近,其方案需求日益迫切,很多充電器工程師反映QR架構方案雖然效率余量更大,但對比PSR方案的元件更多,調試生產更復雜。故提供QR架構PN836X產品方案之外,基于PN8358開發了一款更高性價比的六級能效7.5W充電器方案,比QR架構更簡潔更經濟,提供給國內成本壓力大的充電器廠商一個六級能效新選擇。

      基于PN8358的 5V 1.5A六級能效PSR電源解決方案,典型應用為智能手機、平板電腦的5V1.5A充電器,機頂盒、DVD的7.5W適配器。

      PN8358有如下特點:

      ● 待機功耗小于75mW:內置專利高壓啟動模塊,節省高壓啟動電阻,
      ● 效率滿足DOE Level 6:智能多重工作模式顯著提高平均效率,
      ● CV、CC精度5%以內:內置輸入電壓、DC輸出線補償,任何工況下均可滿足
      ● 體積緊湊:集成4.5ohm 650V 智能功率MOS,PSR省光耦/TL431,SOP7封裝
      ● 保護功能豐富:含過溫保護、VDD欠過壓保護、FB開短路保護、CS開短路保護,電壓和溫升de-rating裕量充足,提高系統可靠性

      系統設計要點

      系統的典型應用如圖1所示,設計要點羅列如下:

      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      圖1 PN8358 系統典型應用

      變壓器飽和設計
      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      其中Lp為變壓器原邊電感感量、Np為變壓器原邊圈數、Ae為變壓器窗口面積、CS腳內部基準電壓為0.5V,Bmax建議控制在0.32T以內。

      變壓器匝比n約束設計

      PN8358采用帶前饋補償的開環恒流法:去磁占空比近似為0.5。理論上,恒流可由下式表達:
      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      工程設計時,需考慮變壓器耦合因子及采樣誤差的影響,在(2)式中需加入修正因子。由其恒流原理可知,系統設計必須滿足下式約束:
      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      其中Vr為輸出電壓到變壓器原邊的折射電壓、VF為輸出二極管正向壓降、Vdc,min為輸入電容電壓最小值。若(3)式不滿足,輸出CC、CV精度下降。

      芯片供電回路設計

      PN8358通過脈沖采樣變壓器供電繞組信號,閉環控制調節輸出電壓:
      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      芯片FB腳內部電壓基準為2V,k為上下偏取樣電阻的比例,n1為變壓器供電繞組與次級繞組的匝比,其耦合情況影響CV精度及系統抗干擾能力。變壓器結構選擇及n1設計的準則是確保在空載不觸發VDD UVLO、滿載不觸發VDD OVP。
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      PCB布線

      為改善EMC性能,提高系統抗surge、ESD能力,PCB布線的三個重要原則:功率回路最短、功率回路與信號回路物理空間上分開、VDD電容貼近芯片供電腳。

      性能評估

      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      圖2 5V1.5A Demo外觀(33mm*53mm)

      5V1.5A Demo外觀如圖2所示,關鍵性能測試結果如下:

      待機功耗

      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      備注:115/230Vac待機功耗小于75mW限制。

      平均效率
      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      備注:115/230Vac效率滿足76.65%限制,效率測試為PCB板端USB口(不帶線充電器)。

      系統溫升
      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      備注:測試在40度密閉環境下進行。

      系統ESD
      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      備注:測試條件是230Vac輸入電壓、滿負載、輸入為2Pin電源線、輸出線1.5m的24 AWG。

      傳導&輻射

      內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
      備注:測試條件是230Vac輸入電壓、滿負載、輸入為2Pin電源線、輸出線1.5m的24 AWG。

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