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      IGBT驅(qū)動芯片進入可編程時代,英飛凌新品X3有何玄機?

      發(fā)布時間:2023-09-19 來源:英飛凌 責任編輯:wenwei

      【導(dǎo)讀】俗話說,好馬配好鞍,好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率,最好還要有完善的保護功能,例如退飽和保護、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護等,為IGBT的安全運行保駕護航。


      然而有保護功能的驅(qū)動芯片,大部分的參數(shù)都是固定的,或者是只能靠外圍器件進行粗放的調(diào)節(jié)。對于退飽和保護來說,內(nèi)部電流源的電流是固定的,短路消隱時間只能靠調(diào)節(jié)外接電容大小來調(diào)整。對于兩電平關(guān)斷功能來說,兩電平持續(xù)的時間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來實現(xiàn)。而軟關(guān)斷電流及米勒鉗位電流對于某一顆芯片來說也是固定的,無法調(diào)整。這樣芯片的適用范圍就受到了限制,而且增加了BOM成本。


      然而,英飛凌最新推出的X3系列驅(qū)動芯片——1ED34X1及1ED38X0即將打破這種刻板印象。最高可達64檔的參數(shù)調(diào)節(jié)究竟能給IGBT應(yīng)用帶來怎樣的益處?


      1ED34X1是模擬控制芯片,1ED38X0是純數(shù)字芯片系列。它們外觀采用了300mil的寬體封裝。Pin腳數(shù)量與前代1ED020I12系列保持一致,都是16pin,但是pin腳間距從2.54mm降低到1.27mm,排布更加緊湊。


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      1ED34X1


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      1ED38X0


      然而細看1ED34X1的PIN腳分布,可以發(fā)現(xiàn)這顆芯片最特別的地方在于原邊兩個控制PIN腳ADJA和ADJB。這兩個引腳連接不同阻值的電阻即可方便地調(diào)節(jié)退飽和保護功能的延遲以及濾波時間、兩電平關(guān)斷的電位及持續(xù)時間等參數(shù)。


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      而1ED38X0是純數(shù)字芯片,通過標準的I2C總線進行參數(shù)配置,SCL與SDA是串行I/O及時鐘輸入接口。可以實現(xiàn)對多個參數(shù)的最高64個檔位的個性化設(shè)定。


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      數(shù)字化的驅(qū)動芯片究竟有何過人之處?我們來一一揭曉


      01 短路延遲及消隱時間可編程!


      以往短路保護消隱時間需要通過外接電容來實現(xiàn),而X3系列則不需要外接電容。其中,1ED34X1通過ADJB引腳連接不同阻值的電阻可設(shè)置不同的消隱時間,共有16檔可調(diào)。典型外圍電路設(shè)置如下圖。


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      短路保護時序圖如下圖所示。其中,tDESATleb是門極開啟到DESAT功能被激活的時間。在此期間DESAT功能禁用,這是為了防止功率器件開通過程中震蕩引起DESAT誤觸發(fā)。tDESATleb時間過后,芯片內(nèi)部偏置電流開始從DESAT pin流經(jīng)功率器件。當短路發(fā)生后,DESAT引腳的電位迅速上升到退飽和閾值電壓VDESAT。在經(jīng)過一定的濾波時間tDESATfilter之后,芯片內(nèi)部比較器翻轉(zhuǎn)。再經(jīng)過一定時間的延遲之后,輸出被拉低,系統(tǒng)報錯。


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      在1ED34X1中,退飽和閾值電壓是傳統(tǒng)的9.2V。而在1ED38X0中,退飽和閾值電壓也是可以調(diào)整的,閾值電壓從1.8V到9.2V,有18檔可以調(diào)節(jié)。


      在整個退飽和過程中,tDESATfilter是一個重要的參數(shù),它標志著從DESAT腳電位達到9V,到比較器翻轉(zhuǎn)的時間。在經(jīng)典的1ED020I12-F2中,這一數(shù)值是250ns。這個時間太短,所以需外接DESAT電容來設(shè)定消隱時間。但在1ED34X1中,tDESATfilter從1575ns到3975ns,8檔可調(diào)。對于短路時間5us以下的器件,這個濾波時間足夠用了。這樣一來,傳統(tǒng)標配的退飽和電容完全可以省了!


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      1ED38X0的調(diào)節(jié)更加靈活,Tdesatled從0ns到3150ns有64檔可調(diào),而tDESATfilter從0ns到6000ns有32檔可調(diào)!


      1ED34X1和1ED38X0也支持經(jīng)典的退飽和電路。這樣,濾波時間tDESATfilter就要和外接電容所導(dǎo)致的消隱時間tblanking相疊加,形成一個相對較長的短路保護反應(yīng)時間。


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      有外接退飽和電容的1ED34X1


      02 可調(diào)節(jié)的軟關(guān)斷電流!


      1ED34x1還具有在故障情況下軟關(guān)斷的功能。在器件出現(xiàn)過流故障的情況下,驅(qū)動芯片將會使用較低的電流關(guān)斷IGBT,將會減慢IGBT的di/dt,避免出現(xiàn)過高的電壓尖峰損壞IGBT。軟關(guān)斷的參數(shù)通過 ADJA連接的電阻可調(diào)。系列中每一款芯片都有16檔關(guān)斷電流,ADJA電阻與軟關(guān)斷電流關(guān)系如下表所示。


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      1ED38X0也有軟關(guān)斷功能,軟關(guān)斷電流范圍根據(jù)型號不同而有所區(qū)別,各有16檔可調(diào)。


      ●  1ED3830M:15mA-233mA

      ●  1ED3860M:29mA-466mA

      ●  1ED3890M:44mA-699mA


      03 擴展的米勒鉗位能力


      就米勒鉗位而言,1ED34X1系列產(chǎn)品按鉗位方式分為兩種。一種是直接鉗位,例如1ED3431,即直接把clamp pin接到IGBT的門極。這種情況下鉗位電流的典型值是2A,適用于100A以下的IGBT。


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      另一種方式是在clamp PIN外接一個N-MOSFET,來擴展鉗位電流,以適應(yīng)更大電流IGBT的需求。例如1ED3461及1ED3491。根據(jù)外接NMOS型號的不同,鉗位電流最大可擴展到20A。


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      對于1ED38X0來說,可以通過編程設(shè)定采用直接鉗位或者外接MOS進行鉗位。而且鉗位延遲8檔可調(diào)。


      04 兩電平關(guān)斷


      1ED38X0有兩電平關(guān)斷功能,有4個相關(guān)參數(shù),皆可調(diào)整。其中,關(guān)斷電平VTLTOFF從4.25V到12V,每0.25V為一檔位,共有32檔可調(diào),兩電平關(guān)斷時間tTLToff同樣32檔可調(diào)。


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      這么多參數(shù),是不是已經(jīng)眼花繚亂了?然而事情并沒有結(jié)束,1ED34X1與1ED38X0較上一代的改進還有很多!


      ●  1ED34X1與1ED38X0采用16pin寬體封裝,通過了VDE 0884-11認證,符合加強絕緣標準。

      ●  1ED34X1與1ED38X0系列最高輸出電流可達9A。領(lǐng)導(dǎo)再也不用擔心輸出電流不夠用了!還省了推挽電路的BOM及成本,采購也夸我是省料小能手!

      ●  1ED34X1與1ED38X0能不能驅(qū)動SiC?必須能!精確的退飽和時間設(shè)定簡直就是為SiC量身定做,哪怕SiC的短路時間低到2us也是游刃有余。


      一張圖總結(jié)一下干貨


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      1ED34X1產(chǎn)品系列完整型號如下表


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      1ED34X1產(chǎn)品系列完整型號如下表


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