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SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對稱功率MOSFET器件

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出在一個封裝內集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間

2009-06-29
Vishay依托技術優勢，大力推動綠色環保產業發展

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，替代能源虛擬貿易展(Alternative Energy Virtual Trade Show)在公司網站正式上線。

2009-06-19
1242 QPL系列：Vishay推出新的微調電位器

Vishay推出1242 QPL系列微調電位器，它具有低至±10ppm/℃的端到端TCR，在滑動端上的TCR為±25ppm/℃，負載壽命穩定率為0.1%，可設定值小于0.05%；1/4平方英寸、RJ26型的器件滿足并超出MIL-PRF-22097標準F章的要求。用于航空、軍工和航天。

2009-06-08
ACAS 0606 AT：Vishay新推出精密薄膜電阻陣列

Vishay Intertechnology, Inc.推出新款ACAS 0606 AT，擴大了ACAS AT系列精密薄膜電阻陣列的可用功率等級

2009-06-03
Accutrim系列：Vishay新型超高精度微調電位器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用Bulk Metal?箔技術的超高精度Accutrim?系列微調電位器 --- 1240和1260系列，達到并超出了MIL-PRF-39035標準H章的要求。

2009-06-01
Sfernice LPS系列：Vishay新型超小尺寸高性能厚膜功率電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出小尺寸、寬阻值范圍的新型300W、600W和800W厚膜功率電阻 --- Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800

2009-05-31
Vishay推出通過嚴格軍標認證的新型Bulk Metal箔電阻及其代替器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，已將其QPL RNC90Y系列高可靠Bulk Metal?箔電阻的容差減小到±0.005%。如果設計者需要的電阻阻值比QPL規定的范圍更高或更低，但是要求具有同樣的性能，也可采用非QPL版的S555器件。

2009-05-25
VLMW711U2U3XV：Vishay新型SMD功率封裝1W白光LED

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其Little Star?系列LED增添了一個新成員－通過汽車行業標準認證的1W白光LED --- Little Star VLMW711U2U3XV

2009-05-22
1202系列：Vishay超高精度AccutrimTM微調電位器

Vishay宣布，推出采用Bulk Metal?箔工藝的超高精度Accutrim?系列微調電位器 --- 1202系列，該系列器件采用1?英寸的直線RJ12型定型長度，達到并超出了MIL-PRF-22097標準F章的要求。對于精確的調校，該器件在-55℃～+150℃、+25℃參考溫度下提供了±10ppm/℃的端到端TCR，在整個滑動臂上的TCR為±25ppm/℃，在滿載額定功率、+85℃溫度下工作2000小時后的典型負載壽命穩定率為0.1%，典型設置精度小于0.05%。

2009-05-20
Vishay推出厚度僅為0.6mm的LC EMI/ESD濾波器陣列

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款LC EMI/ESD濾波器陣列，包括四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK，在超級緊湊的LLP1713和LLP3313無引線封裝內提供了小于1db的輸入損耗。

2009-05-15
Si7615DN：Vishay 新型第三代20V P通道功率MOSFET

Vishay Siliconix發布具有業界最低導通電阻的新型第三代20V P通道TrenchFET?功率MOSFET

2009-05-14
Vishay發布三款經CECC認證的新型高精度Bulk Metal箔電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款面向航空、國防和航天(AMS)應用的通過CECC認證的新型高精度Bulk Metal?箔電阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃參考溫度條件下，器件的典型TCR只有±2ppm/℃，容差為±0.01%，在70℃溫度下工作2000小時后的負載壽命穩定率為±0.005%(50ppm)。

2009-05-02

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