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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補償?shù)墓β史旨壷改?/a>

羅姆助力英偉達800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構

技術文章

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復用三路DPDT開關

Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達670MHz的高頻信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為2.0Ω)、導通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠實現(xiàn)高頻切換。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關

TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器

Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內最高額定及飽和電流以及業(yè)內最低電感和DCR。

2008-05-16

TJ3-HT 高溫電感器

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開關

Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開關MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個連接器實現(xiàn)高性能的切換。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開關

SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能：在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結溫最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費電子

VFCD1505：Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器

Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時，該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR、在額定功率時 ±5ppm的出色PCR跟蹤（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）及±0.005%的負載壽命穩(wěn)定度。

2008-05-14

VFCD1505 分壓器

TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14

TR8 MicroTan鉭芯片電容

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